JAJSQJ4A february   2023  – june 2023 MSPM0G1106 , MSPM0G1107

ADVANCE INFORMATION  

  1.   1
  2. 特長
  3. アプリケーション
  4. 概要
  5. 機能ブロック図
  6. 製品比較
  7. ピン構成および機能
    1. 6.1 ピン配置図
    2. 6.2 ピン属性
    3. 6.3 信号の説明
    4. 6.4 未使用ピンの接続
  8. 仕様
    1. 7.1  絶対最大定格
    2. 7.2  ESD 定格
    3. 7.3  推奨動作条件
    4. 7.4  熱に関する情報
    5. 7.5  電源電流特性
      1. 7.5.1 RUN / SLEEP モード
      2. 7.5.2 STOP / STANDBY モード
      3. 7.5.3 SHUTDOWN モード
    6. 7.6  電源シーケンス
      1. 7.6.1 POR および BOR
      2. 7.6.2 電源ランプ
    7. 7.7  フラッシュ・メモリの特性
    8. 7.8  タイミング特性
    9. 7.9  クロック仕様
      1. 7.9.1 システム発振器 (SYSOSC)
      2. 7.9.2 低周波数発振器 (LFOSC)
      3. 7.9.3 システム・フェーズ・ロック・ループ (SYSPLL)
      4. 7.9.4 低周波数クリスタル / クロック
      5. 7.9.5 高周波数クリスタル / クロック
    10. 7.10 デジタル IO
      1. 7.10.1 電気的特性
      2. 7.10.2 スイッチング特性
    11. 7.11 アナログ・マルチプレクサ VBOOST
    12. 7.12 ADC
      1. 7.12.1 電気的特性
      2. 7.12.2 スイッチング特性
      3. 7.12.3 直線性パラメータ
      4. 7.12.4 代表的な接続図
    13. 7.13 温度センサ
    14. 7.14 VREF
      1. 7.14.1 電圧特性
      2. 7.14.2 電気的特性
    15. 7.15 GPAMP
      1. 7.15.1 電気的特性
      2. 7.15.2 スイッチング特性
    16. 7.16 I2C
      1. 7.16.1 I2C のタイミング図
      2. 7.16.2 I2C 特性
      3. 7.16.3 I2C フィルタ
    17. 7.17 SPI
      1. 7.17.1 SPI
      2. 7.17.2 SPI のタイミング図
    18. 7.18 UART
    19. 7.19 TIMx
    20. 7.20 エミュレーションおよびデバッグ
      1. 7.20.1 SWD タイミング
  9. 詳細説明
    1. 8.1  CPU
    2. 8.2  動作モード
      1. 8.2.1 動作モード別の機能 (MSPM0G110x)
    3. 8.3  パワー・マネージメント・ユニット (PMU)
    4. 8.4  クロック・モジュール (CKM)
    5. 8.5  DMA
    6. 8.6  イベント
    7. 8.7  メモリ
      1. 8.7.1 メモリ構成
      2. 8.7.2 ペリフェラル・ファイル・マップ
      3. 8.7.3 ペリフェラルの割り込みベクタ
    8. 8.8  フラッシュ・メモリ
    9. 8.9  SRAM
    10. 8.10 GPIO
    11. 8.11 IOMUX
    12. 8.12 ADC
    13. 8.13 温度センサ
    14. 8.14 VREF
    15. 8.15 GPAMP
    16. 8.16 CRC
    17. 8.17 UART
    18. 8.18 I2C
    19. 8.19 SPI
    20. 8.20 WWDT
    21. 8.21 RTC
    22. 8.22 タイマ (TIMx)
    23. 8.23 デバイスのアナログ接続
    24. 8.24 入力 / 出力の回路図
    25. 8.25 シリアル・ワイヤ・デバッグ・インターフェイス
    26. 8.26 ブート・ストラップ・ローダ (BSL)
    27. 8.27 デバイス・ファクトリ定数
    28. 8.28 識別
  10. アプリケーション、実装、およびレイアウト
    1. 9.1 代表的なアプリケーション
      1. 9.1.1 回路図
  11. 10デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 10.1 入門と次のステップ
    2. 10.2 デバイス命名規則
    3. 10.3 ツールとソフトウェア
    4. 10.4 ドキュメントのサポート
    5. 10.5 サポート・リソース
    6. 10.6 商標
    7. 10.7 静電気放電に関する注意事項
    8. 10.8 用語集
  12. 11メカニカル、パッケージ、および注文情報
  13. 12改訂履歴

パッケージ・オプション

メカニカル・データ(パッケージ|ピン)
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

直線性パラメータ

電源電圧が推奨範囲内で、自由気流の動作温度範囲内のとき (特に記述のない限り)。すべての代表値は 25℃で測定されており、すべての直線性パラメータは 12 ビット分解能モードを使用して測定されています (特に記述のない限り)。(1)
パラメータ テスト条件 最小値 代表値 最大値 単位
EI 積分直線性誤差 (INL) 外部リファレンス (2) 外部リファレンス (2) -2.0 +2.0 LSB
ED 微分直線性誤差 (DNL)
ミッシング・コードなしを保証
外部リファレンス電圧 (2) 外部リファレンス電圧 (2) -1.0 +1.0 LSB
EO オフセット誤差 外部リファレンス電圧 (2) -3 3 mV
内部リファレンス電圧、VR+ = VREF = 2.5V -3 3 mV
EG ゲイン誤差 外部リファレンス電圧 (2) -3 3 LSB
総合未調整誤差 (TUE) は、次の式を使用して、EI、EO、EG から計算できます。TUE = √(EI2 + |EO|2 + EG2)
注:上記の式が正確であるためには、すべての誤差を同じ単位 (通常は LSB) に変換する必要があります。
外部リファレンス電圧のすべての仕様は、VR+ = VREF+ = VDD および VR- = VSS = 0V で測定されたものであり、また、ハードウェア平均化機能は PG2.0 以降でのみサポートされます。