JAJSPX2A february   2023  – june 2023 MSPM0G1505 , MSPM0G1506 , MSPM0G1507

ADVANCE INFORMATION  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 機能ブロック図
  6. 5 デバイスの比較
  7. 6 ピン構成および機能
    1. 6.1 ピン配置図
    2. 6.2 ピン属性
    3. 6.3 信号の説明
    4. 6.4 未使用ピンの接続
  8. 7 仕様
    1. 7.1  絶対最大定格
    2. 7.2  ESD 定格
    3. 7.3  推奨動作条件
    4. 7.4  熱に関する情報
    5. 7.5  電源電流特性
      1. 7.5.1 RUN / SLEEP モード
      2. 7.5.2 STOP / STANDBY モード
      3. 7.5.3 SHUTDOWN モード
    6. 7.6  電源シーケンス
      1. 7.6.1 POR および BOR
      2. 7.6.2 電源ランプ
    7. 7.7  フラッシュ・メモリの特性
    8. 7.8  タイミング特性
    9. 7.9  クロック仕様
      1. 7.9.1 システム発振器 (SYSOSC)
      2. 7.9.2 低周波数発振器 (LFOSC)
        1. 7.9.2.1 SYSOSC の標準的な周波数精度
      3. 7.9.3 システム・フェーズ・ロック・ループ (SYSPLL)
      4. 7.9.4 低周波数クリスタル / クロック
      5. 7.9.5 高周波数クリスタル / クロック
    10. 7.10 デジタル IO
      1. 7.10.1 電気的特性
      2. 7.10.2 スイッチング特性
    11. 7.11 アナログ・マルチプレクサ VBOOST
    12. 7.12 ADC
      1. 7.12.1 電気的特性
      2. 7.12.2 スイッチング特性
      3. 7.12.3 直線性パラメータ
      4. 7.12.4 代表的な接続図
    13. 7.13 温度センサ
    14. 7.14 VREF
      1. 7.14.1 電圧特性
      2. 7.14.2 電気的特性
    15. 7.15 コンパレータ (COMP)
      1. 7.15.1 コンパレータ電気的特性
    16. 7.16 DAC
      1. 7.16.1 DAC 電源仕様
      2. 7.16.2 DAC 出力仕様
      3. 7.16.3 DAC 動的仕様
      4. 7.16.4 DAC 直線性仕様
      5. 7.16.5 DAC タイミング仕様
    17. 7.17 GPAMP
      1. 7.17.1 電気的特性
      2. 7.17.2 スイッチング特性
    18. 7.18 OPA
      1. 7.18.1 電気的特性
      2. 7.18.2 スイッチング特性
      3. 7.18.3 PGA モード
    19. 7.19 I2C
      1. 7.19.1 I2C 特性
      2. 7.19.2 I2C フィルタ
      3. 7.19.3 I2C のタイミング図
    20. 7.20 SPI
      1. 7.20.1 SPI
      2. 7.20.2 SPI のタイミング図
    21. 7.21 UART
    22. 7.22 TIMx
    23. 7.23 TRNG
      1. 7.23.1 TRNG 電気的特性
      2. 7.23.2 TRNG スイッチング特性
    24. 7.24 エミュレーションおよびデバッグ
      1. 7.24.1 SWD タイミング
  9. 8 詳細説明
    1. 8.1  CPU
    2. 8.2  動作モード
      1. 8.2.1 動作モード別の機能 (MSPM0G150x)
    3. 8.3  パワー・マネージメント・ユニット (PMU)
    4. 8.4  クロック・モジュール (CKM)
    5. 8.5  DMA
    6. 8.6  イベント
    7. 8.7  メモリ
      1. 8.7.1 メモリ構成
      2. 8.7.2 ペリフェラル・ファイル・マップ
      3. 8.7.3 ペリフェラルの割り込みベクタ
    8. 8.8  フラッシュ・メモリ
    9. 8.9  SRAM
    10. 8.10 GPIO
    11. 8.11 IOMUX
    12. 8.12 ADC
    13. 8.13 温度センサ
    14. 8.14 VREF
    15. 8.15 COMP
    16. 8.16 DAC
    17. 8.17 OPA
    18. 8.18 GPAMP
    19. 8.19 TRNG
    20. 8.20 AES
    21. 8.21 CRC
    22. 8.22 UART
    23. 8.23 I2C
    24. 8.24 SPI
    25. 8.25 WWDT
    26. 8.26 RTC
    27. 8.27 タイマ (TIMx)
    28. 8.28 デバイスのアナログ接続
    29. 8.29 入力 / 出力の回路図
    30. 8.30 シリアル・ワイヤ・デバッグ・インターフェイス
    31. 8.31 ブート・ストラップ・ローダ (BSL)
    32. 8.32 デバイス・ファクトリ定数
    33. 8.33 識別
  10. 9 アプリケーション、実装、およびレイアウト
    1. 9.1 代表的なアプリケーション
      1. 9.1.1 回路図
  11. 10デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 10.1 入門と次のステップ
    2. 10.2 デバイス命名規則
    3. 10.3 ツールとソフトウェア
    4. 10.4 ドキュメントのサポート
    5. 10.5 サポート・リソース
    6. 10.6 商標
    7. 10.7 静電気放電に関する注意事項
    8. 10.8 用語集
  12. 11メカニカル、パッケージ、および注文情報
  13. 12改訂履歴

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

7.4 熱に関する情報

熱評価基準(1) パッケージ 値 単位
RθJA 接合部から周囲への熱抵抗 LQFP-64 (PM) 61.8 ℃/W
RθJC(top) 接合部からケース (上面) への熱抵抗 22.0 ℃/W
RθJB 接合部から基板への熱抵抗 33.0 ℃/W
ΨJT 接合部から上面への特性パラメータ 1.7 ℃/W
ΨJB 接合部から基板への特性パラメータ 32.7 ℃/W
RθJC(bot) 接合部からケース (底面) への熱抵抗 該当なし ℃/W
RθJA 接合部から周囲への熱抵抗 VQFN-48 (RGZ) 30.1 ℃/W
RθJC(top) 接合部からケース (上面) への熱抵抗 20.7 ℃/W
RθJB 接合部から基板への熱抵抗 12.5 ℃/W
ΨJT 接合部から上面への熱特性パラメータ 0.3 ℃/W
ΨJB 接合部から基板への特性パラメータ 12.4 ℃/W
RθJC(bot) 接合部からケース (底面) への熱抵抗 4.2 ℃/W
RθJA 接合部から周囲への熱抵抗 LQFP-48 (PT) 69.7 ℃/W
RθJC(top) 接合部からケース (上面) への熱抵抗 28.0 ℃/W
RθJB 接合部から基板への熱抵抗 33.4 ℃/W
ΨJT 接合部から上面への特性パラメータ 2.7 ℃/W
ΨJB 接合部から基板への特性パラメータ 33.2 ℃/W
RθJC(bot) 接合部からケース (底面) への熱抵抗 該当なし ℃/W
RθJA 接合部から周囲への熱抵抗 VQFN-32 (RHB) 32.1 ℃/W
RθJC(top) 接合部からケース (上面) への熱抵抗 23.6 ℃/W
RθJB 接合部から基板への熱抵抗 13.0 ℃/W
ΨJT 接合部から上面への熱特性パラメータ 0.3 ℃/W
ΨJB 接合部から基板への特性パラメータ 13.0 ℃/W
RθJC(bot) 接合部からケース (底面) への熱抵抗 3.3 ℃/W
RθJA 接合部から周囲への熱抵抗 VSSOP-28 (DGS28) 78.9 ℃/W
RθJC(top) 接合部からケース (上面) への熱抵抗 38.6 ℃/W
RθJB 接合部から基板への熱抵抗 41.3 ℃/W
ΨJT 接合部から上面への特性パラメータ 3.4 ℃/W
ΨJB 接合部から基板への特性パラメータ 41.0 ℃/W
RθJC(bot) 接合部からケース (底面) への熱抵抗 該当なし ℃/W
RθJA 接合部から周囲への熱抵抗 VQFN-24 (RGE) 40.3 ℃/W
RθJC(top) 接合部からケース (上面) への熱抵抗 30.8 ℃/W
RθJB 接合部から基板への熱抵抗 17.9 ℃/W
ΨJT 接合部から上面への特性パラメータ 0.5 ℃/W
ΨJB 接合部から基板への特性パラメータ 17.8 ℃/W
RθJC(bot) 接合部からケース (底面) への熱抵抗 3.4 ℃/W
(1) 従来および最新の熱評価基準の詳細については、『半導体および IC パッケージの熱評価基準』アプリケーション・レポートを参照してください。