JAJSSU8B October   2023  – May 2024 MSPM0G3105-Q1 , MSPM0G3106-Q1 , MSPM0G3107-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 機能ブロック図
  6. 5 デバイスの比較
  7. 6 ピン構成および機能
    1. 6.1 ピン配置図
    2. 6.2 ピン属性
    3. 6.3 信号の説明
    4. 6.4 未使用ピンの接続
  8. 7 仕様
    1. 7.1  絶対最大定格
    2. 7.2  ESD 定格
    3. 7.3  推奨動作条件
    4. 7.4  熱に関する情報
    5. 7.5  電源電流特性
      1. 7.5.1 RUN / SLEEP モード
      2. 7.5.2 STOP / STANDBY モード
      3. 7.5.3 SHUTDOWN モード
    6. 7.6  電源ランプ
      1. 7.6.1 POR および BOR
    7. 7.7  フラッシュ メモリの特性
    8. 7.8  タイミング特性
    9. 7.9  クロック仕様
      1. 7.9.1 システム発振器 (SYSOSC)
        1. 7.9.1.1 SYSOSC の標準的な周波数精度
      2. 7.9.2 低周波数発振器 (LFOSC)
      3. 7.9.3 システム フェーズ ロック ループ (SYSPLL)
      4. 7.9.4 低周波数クリスタル / クロック
      5. 7.9.5 高周波数クリスタル / クロック
    10. 7.10 デジタル IO
      1. 7.10.1 電気的特性
      2. 7.10.2 スイッチング特性
    11. 7.11 アナログ マルチプレクサ VBOOST
    12. 7.12 ADC
      1. 7.12.1 電気的特性
      2. 7.12.2 スイッチング特性
      3. 7.12.3 直線性パラメータ
    13. 7.13 代表的な接続図
    14. 7.14 温度センサ
    15. 7.15 VREF
      1. 7.15.1 電圧特性
      2. 7.15.2 電気的特性
    16. 7.16 GPAMP
      1. 7.16.1 電気的特性
      2. 7.16.2 スイッチング特性
    17. 7.17 I2C
      1. 7.17.1 I2C のタイミング図
      2. 7.17.2 I2C 特性
      3. 7.17.3 I2C フィルタ
    18. 7.18 SPI
      1. 7.18.1 SPI
      2. 7.18.2 SPI タイミング図
    19. 7.19 UART
    20. 7.20 TIMx
    21. 7.21 TRNG
      1. 7.21.1 TRNG 電気的特性
      2. 7.21.2 TRNG スイッチング特性
    22. 7.22 エミュレーションおよびデバッグ
      1. 7.22.1 SWD タイミング
  9. 8 詳細説明
    1. 8.1  CPU
    2. 8.2  動作モード
      1. 8.2.1 動作モード別の機能 (MSPM0G310x)
    3. 8.3  パワー マネージメント ユニット (PMU)
    4. 8.4  クロック モジュール (CKM)
    5. 8.5  DMA
    6. 8.6  イベント
    7. 8.7  メモリ
      1. 8.7.1 メモリ構成
      2. 8.7.2 ペリフェラル ファイル マップ
      3. 8.7.3 ペリフェラルの割り込みベクタ
    8. 8.8  フラッシュ メモリ
    9. 8.9  SRAM
    10. 8.10 GPIO
    11. 8.11 IOMUX
    12. 8.12 ADC
    13. 8.13 温度センサ
    14. 8.14 VREF
    15. 8.15 GPAMP
    16. 8.16 TRNG
    17. 8.17 AES
    18. 8.18 CRC
    19. 8.19 UART
    20. 8.20 I2C
    21. 8.21 SPI
    22. 8.22 CAN-FD
    23. 8.23 WWDT
    24. 8.24 RTC
    25. 8.25 タイマ (TIMx)
    26. 8.26 デバイスのアナログ接続
    27. 8.27 入力 / 出力の回路図
    28. 8.28 シリアル ワイヤ デバッグ インターフェイス
    29. 8.29 ブートストラップ ローダ (BSL)
    30. 8.30 デバイス ファクトリ定数
    31. 8.31 識別
  10. 9 アプリケーション、実装、およびレイアウト
    1. 9.1 代表的なアプリケーション
      1. 9.1.1 回路図
  11. 10デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 10.1 入門と次のステップ
    2. 10.2 デバイス命名規則
    3. 10.3 ツールとソフトウェア
    4. 10.4 ドキュメントのサポート
    5. 10.5 サポート・リソース
    6. 10.6 商標
    7. 10.7 静電気放電に関する注意事項
    8. 10.8 用語集
  12. 11改訂履歴
  13. 12メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
  • DGS|28
  • RGZ|48
  • RHB|32
  • PM|64
  • DGS|32
  • PT|48
  • DGS|20
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

7.10.1 電気的特性

電源電圧が推奨範囲内で、自由気流の動作温度範囲内のとき (特に記述のない限り)。
パラメータ テスト条件 最小値 代表値 最大値 単位
VIH High レベル入力電圧 ODIO (1) VDD≧1.62V 0.7*VDD 5.5 V
VDD≧2.7V 2 5.5 V
すべての I/O (ODIO とリセットを除く) VDD≧1.62V 0.7*VDD VDD+0.3 V
VIL Low レベル入力電圧 ODIO VDD≧1.62V -0.3 0.3*VDD V
VDD≧2.7V -0.3 0.8 V
すべての I/O (ODIO とリセットを除く) VDD≧1.62V -0.3 0.3*VDD V
VHYS ヒステリシス ODIO 0.05*VDD V
すべての I/O (ODIO を除く) 0.1*VDD V
Ilkg ハイ インピーダンスのリーク電流 (PM を除くすべてのパッケージ) SDIO(2)(3) 1.62V ≦ VDD ≦ 3.6V、-40℃ ≦ TA ≦ 125℃ 50(4) nA
Ilkg ハイ インピーダンスのリーク電流 (PM パッケージ)  SDIO(2)(3) 1.62V ≦ VDD ≦ 3.6V、-40℃ ≦ TA ≦ 85℃ 50(4) nA
1.62V ≦ VDD ≦ 3.6V、-40℃ ≦ TA ≦ 105℃ 200(4) nA
1.62V ≦ VDD ≦ 3.6V、-40℃ ≦ TA ≦ 125℃ 400(4) nA
RPU プルアップ抵抗 すべての I/O (ODIO を除く) 40 kΩ
RPD プルダウン抵抗 40 kΩ
CI 入力容量 5 pF
VOH High レベル出力電圧 SDIO VDD≧2.7V、|IIO|、max=6mA
VDD≧1.71V、|IIO|、max=2mA
VDD≧1.62V、|IIO|、max=1.5mA
-40℃ ≦TJ≦25℃		 VDD-0.4 V
VDD≧2.7V、|IIO|、max=6mA
VDD≧1.71V、|IIO|、max=2mA
VDD≧1.62V、|IIO|、max=1.5mA
-40℃ ≦TJ≦130℃		 VDD-0.45
HSIO VDD≧2.7V、DRV=1、|IIO|、max=6mA
VDD≧1.71V、DRV=1、|IIO|、max=3mA
VDD≧1.62V、DRV=1、|IIO|、max=2mA
-40℃ ≦TJ≦25℃		 VDD-0.4
VDD≧2.7V、DRV=1、|IIO|、max=6mA
VDD≧1.71V、DRV=1、|IIO|、max=3mA
VDD≧1.62V、DRV=1、|IIO|、max=2mA
-40℃ ≦TJ≦130℃		 VDD-0.4
VDD≧2.7V、DRV=0、|IIO|、max=4mA
VDD≧1.71V、DRV=0、|IIO|、max=2mA
VDD≧1.62V、DRV=0、|IIO|、max=1.5mA
-40℃ ≦TJ≦25℃		 VDD-0.45
VDD≧2.7V、DRV=0、|IIO|、max=4mA
VDD≧1.71V、DRV=0、|IIO|、max=2mA
VDD≧1.62V、|IIO|、max=1.5mA
-40℃ ≦TJ≦130℃		 VDD-0.45
HDIO VDD≧2.7V、DRV=1、|IIO|、max=20mA
VDD≧1.71V、DRV=1、|IIO|、max=10mA		 VDD-0.4
VDD≧2.7V、DRV=0、|IIO|、max=6mA
VDD≧1.71V、DRV=0、|IIO|、max=2mA		 VDD-0.4
VOL Low レベル出力電圧 SDIO VDD≧2.7V、|IIO|、max=6mA
VDD≧1.71V、|IIO|、max=2mA
VDD≧1.62V、|IIO|、max=1.5mA
-40℃ ≦TJ≦25℃		 0.4 V
SDIO VDD≧2.7V、|IIO|、max=6mA
VDD≧1.71V、|IIO|、max=2mA
VDD≧1.62V、|IIO|、max=1.5mA
-40℃ ≦Tj≦130℃		 0.45
HSIO VDD≧2.7V、DRV=1、|IIO|、max=6mA
VDD≧1.71V、DRV=1、|IIO|、max=3mA
VDD≧1.62V、DRV=1、|IIO|、max=2mA
TJ≦85℃		 0.4
HSIO VDD≧2.7V、DRV=1、|IIO|、max=6mA
VDD≧1.71V、DRV=1、|IIO|、max=3mA
VDD≧1.62V、DRV=1、|IIO|、max=2mA
-40℃ ≦TJ≦130℃		 0.45
HSIO VDD≧2.7V、DRV=0、|IIO|、max=4mA
VDD≧1.71V、DRV=0、|IIO|、max=2mA
VDD≧1.62V、DRV=0、|IIO|、max=1.5mA
TJ≦85℃		 0.4
HSIO VDD≧2.7V、DRV=0、|IIO|、max=4mA
VDD≧1.71V、DRV=0、|IIO|、max=2mA
VDD≧1.62V、DRV=0、|IIO|、max=1.5mA
-40℃ ≦TJ≦130℃		 0.45
HDIO VDD≧2.7V、DRV=1、|IIO|、max=20mA
VDD≧1.71V、DRV=1、|IIO|、max=10mA		 0.4
HDIO VDD≧2.7V、DRV=0、|IIO|、max=6mA
VDD≧1.71V、DRV=0、|IIO|、max=2mA		 0.4

ODIO

 VDD≧2.7V、IOL、max=8mA
VDD≧1.71V、IOL、max=4mA
-40℃ ≦TJ≦25℃		 0.4

ODIO

 VDD≧2.7V、IOL、max=8mA
VDD≧1.71V、IOL、max=4mA
-40℃ ≦TJ≦130℃		 0.45
(1) I/O タイプ：ODIO = 5V 許容オープン ドレイン、SDIO = 標準駆動、HSIO = 高速
(2) リーク電流は、対応するピンに VSS または VDD を印加して計測されます (特に記述のない限り)。
(3) デジタル ポート ピンのリーク電流は個別に計測されます。ポート ピンは入力として選択され、プルアップ / プルダウン抵抗は無効化されています。
(4) この値は、SDIO がアナログ入力と多重化されていない場合の値です。SDIO がアナログ入力と多重化されている場合、リーク電流はさらに大きくなる可能性があります。