JAJSQJ2A february 2023 – june 2023 MSPM0G3505 , MSPM0G3506 , MSPM0G3507
ADVANCE INFORMATION
パラメータ | テスト条件 | 最小値 | 代表値 | 最大値 | 単位 | |
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電源 | ||||||
VDDPGM/ERASE | 書き込みと消去の電源電圧 | 1.62 | 3.6 | V | ||
IDDERASE | 消去動作中の VDD からの電源電流 | 電源電流の差分 | 10 | mA | ||
IDDPGM | 書き込み動作中の VDD からの電源電流 | 電源電流の差分 | 10 | mA | ||
耐久性 | ||||||
NWEC(LOWER) | 消去 / 書き込みサイクル耐久性 (フラッシュの下位 32KB) (1) | 100 | k サイクル | |||
NWEC(UPPER) | 消去 / 書き込みサイクル耐久性 (フラッシュの残り) (1) | 10 | k サイクル | |||
NE(MAX) | 故障に至るまでの全消去動作回数 (2) | 802 | k 回の消去動作 | |||
NW(MAX) | セクタが消去されるまでのワード線あたりの書き込み動作回数 (3) | 83 | 書き込み動作 | |||
保持 | ||||||
tRET_85 | フラッシュ・メモリのデータ保持 | -40℃ ≦ Tj ≦ 85℃ | 60 | 年 | ||
tRET_105 | フラッシュ・メモリのデータ保持 | -40℃ ≦ Tj ≦ 105℃ | 11.4 | 年 | ||
書き込みと消去のタイミング | ||||||
tPROG (WORD, 64) | フラッシュ・ワードの書き込み時間 (4) (6) | 50 | 275 | µs | ||
tPROG (SEC, 64) | 1KB セクタの書き込み時間 (5) (6) | 6.4 | ms | |||
tERASE (SEC) | セクタの消去時間 | 2k 以下の消去 / 書き込みサイクル、Tj≧25℃ | 4 | 20 | ms | |
tERASE (SEC) | セクタの消去時間 | 10k 以下の消去 / 書き込みサイクル、Tj≧25℃ | 20 | 150 | ms | |
tERASE (SEC) | セクタの消去時間 | 10k 未満の消去 / 書き込みサイクル | 20 | 200 | ms | |
tERASE (BANK) | バンクの消去時間 | 10k 未満の消去 / 書き込みサイクル | 22 | 220 | ms |