JAJSPZ2C October   2022  – January 2024 MSPM0L1105 , MSPM0L1106

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特長
  3. アプリケーション
  4. 概要
  5. 機能ブロック図
  6. デバイスの比較
  7. ピン構成および機能
    1. 6.1 ピン配置図
    2. 6.2 ピン属性
    3. 6.3 信号の説明
    4. 6.4 未使用ピンの接続
  8. 仕様
    1. 7.1  絶対最大定格
    2. 7.2  ESD 定格
    3. 7.3  推奨動作条件
    4. 7.4  熱に関する情報
    5. 7.5  電源電流特性
      1. 7.5.1 RUN/SLEEP モード
      2. 7.5.2 STOP/STANDBY モード
      3. 7.5.3 SHUTDOWN モード
    6. 7.6  電源シーケンス
      1. 7.6.1 POR と BOR
      2. 7.6.2 電源ランプ
    7. 7.7  フラッシュ メモリの特性
    8. 7.8  タイミング特性
    9. 7.9  クロック仕様
      1. 7.9.1 システム発振器 (SYSOSC)
        1. 7.9.1.1 SYSOSC の標準周波数精度
      2. 7.9.2 低周波数発振器 (LFOSC)
    10. 7.10 デジタル IO
      1. 7.10.1 電気的特性
      2. 7.10.2 スイッチング特性
    11. 7.11 アナログ マルチプレクサ VBOOST
    12. 7.12 ADC
      1. 7.12.1 電気的特性
      2. 7.12.2 スイッチング特性
      3. 7.12.3 直線性パラメータ
      4. 7.12.4 代表的な接続図
    13. 7.13 温度センサ
    14. 7.14 VREF
      1. 7.14.1 電圧特性
      2. 7.14.2 電気的特性
    15. 7.15 GPAMP
      1. 7.15.1 電気的特性
      2. 7.15.2 スイッチング特性
    16. 7.16 I2C
      1. 7.16.1 I2C の特性
      2. 7.16.2 I2C フィルタ
      3. 7.16.3 I2C のタイミング図
    17. 7.17 SPI
      1. 7.17.1 SPI
      2. 7.17.2 SPI タイミング図
    18. 7.18 UART
    19. 7.19 TIMx
    20. 7.20 エミュレーションおよびデバッグ
      1. 7.20.1 SWD タイミング
  9. 詳細説明
    1. 8.1  CPU
    2. 8.2  動作モード
      1. 8.2.1 動作モード別の機能 (MSPM0L110x)
    3. 8.3  パワー マネージメント ユニット (PMU)
    4. 8.4  クロック・モジュール (CKM)
    5. 8.5  DMA
    6. 8.6  イベント
    7. 8.7  メモリ
      1. 8.7.1 メモリ構成
      2. 8.7.2 ペリフェラル・ファイル・マップ
      3. 8.7.3 ペリフェラルの割り込みベクタ
    8. 8.8  フラッシュ・メモリ
    9. 8.9  SRAM
    10. 8.10 GPIO
    11. 8.11 IOMUX
    12. 8.12 ADC
    13. 8.13 温度センサ
    14. 8.14 VREF
    15. 8.15 GPAMP
    16. 8.16 CRC
    17. 8.17 UART
    18. 8.18 SPI
    19. 8.19 I2C
    20. 8.20 WWDT
    21. 8.21 タイマ (TIMx)
    22. 8.22 デバイスのアナログ接続
    23. 8.23 入力 / 出力の回路図
    24. 8.24 ブートストラップ・ローダ (BSL)
    25. 8.25 シリアル・ワイヤ・デバッグ・インターフェイス
    26. 8.26 デバイス・ファクトリ定数
    27. 8.27 識別
  10. アプリケーション、実装、およびレイアウト
    1. 9.1 代表的なアプリケーション
      1. 9.1.1 回路図
  11. 10デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 10.1 デバイス命名規則
    2. 10.2 ツールとソフトウェア
    3. 10.3 サポート・リソース
    4. 10.4 商標
    5. 10.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 10.6 用語集
  12. 11改訂履歴
  13. 12メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ(パッケージ|ピン)
  • DGS|28
  • RGE|24
  • DYY|16
  • RHB|32
  • RTR|16
  • DGS|20
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

メモリ構成

表 8-4 に、本デバイスのメモリ・マップを示します。メモリ領域の詳細については、『MSPM0 L シリーズ 32MHz マイクロコントローラ・テクニカル・リファレンス・マニュアル』の「プラットフォーム・メモリ・マップ」セクションを参照してください。

表 8-4 メモリ構成
メモリ領域サブ領域MSPM0L1105MSPM0L1106
コード (フラッシュ)MAIN (3)

32KB~8B (1)

0x0000.0000~0x0000.7FF8

64KB~8B (1)

0x0000.0000~0x0000.FFF8
MAIN のエイリアス (2)(3)0x0040.0000~0x0040.7FF80x0040.0000~0x0040.FFF8
SRAM (SRAM)SRAM

4KB

0x2000.0000~0x2000.1000

4KB

0x2000.0000~0x2000.1000
SRAM のエイリアス (2)0x2000.0000~0x2000.10000x2000.0000~0x2000.1000
ペリフェラルペリフェラル0x4000.0000~0x40FF.FFFF0x4000.0000~0x40FF.FFFF
MAIN (3)0x0000.0000~0x0000.7FF80x0000.0000~0x0000.FFF8
MAIN のエイリアス (2)(3)0x0040.0000~0x0040.7FF80x0040.0000~0x0040.FFF8
NONMAIN

512 バイト

0x41C0.0000~0x41C0.0200

512 バイト

0x41C0.0000~0x41C0.0200
NONMAIN のエイリアス (2)0x41C1.0000~0x41C1.02000x41C1.0000~0x41C1.0200
FACTORY0x41C4.0000~0x41C4.00800x41C4.0000~0x41C4.0080
FACTORY のエイリアス (2)0x41C5.0000~0x41C5.00800x41C5.0000~0x41C5.0080
サブシステム0x6000.0000~0x7FFF.FFFF0x6000.0000~0x7FFF.FFFF
システム PPB0xE000.0000~0xE00F.FFFF0xE000.0000~0xE00F.FFFF
フラッシュ・メモリの上位 32KB (アドレス 0x0000.0000~0x0000.8000) の書き込み / 消去サイクルは最大 100000 回です。
メモリのエイリアスは、対応するメモリ領域と同じメモリ領域を読み出します。ECC を備えたデバイスとの互換性を維持するために、メモリのエイリアスが備わっています
フラッシュ領域の最後の 8 バイトのいずれかに CPU がアクセスすると、ハード・フォルトが発生します。これは、プリフェッチ・ロジックが 1 フラッシュ・ワード (64 ビット) を先に読み出そうとして、無効なメモリ位置の読み出しを試みるためです。