JAJSPZ2C October   2022  – January 2024 MSPM0L1105 , MSPM0L1106

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 機能ブロック図
  6. 5 デバイスの比較
  7. 6 ピン構成および機能
    1. 6.1 ピン配置図
    2. 6.2 ピン属性
    3. 6.3 信号の説明
    4. 6.4 未使用ピンの接続
  8. 7 仕様
    1. 7.1  絶対最大定格
    2. 7.2  ESD 定格
    3. 7.3  推奨動作条件
    4. 7.4  熱に関する情報
    5. 7.5  電源電流特性
      1. 7.5.1 RUN/SLEEP モード
      2. 7.5.2 STOP/STANDBY モード
      3. 7.5.3 SHUTDOWN モード
    6. 7.6  電源シーケンス
      1. 7.6.1 POR と BOR
      2. 7.6.2 電源ランプ
    7. 7.7  フラッシュ メモリの特性
    8. 7.8  タイミング特性
    9. 7.9  クロック仕様
      1. 7.9.1 システム発振器 (SYSOSC)
        1. 7.9.1.1 SYSOSC の標準周波数精度
      2. 7.9.2 低周波数発振器 (LFOSC)
    10. 7.10 デジタル IO
      1. 7.10.1 電気的特性
      2. 7.10.2 スイッチング特性
    11. 7.11 アナログ マルチプレクサ VBOOST
    12. 7.12 ADC
      1. 7.12.1 電気的特性
      2. 7.12.2 スイッチング特性
      3. 7.12.3 直線性パラメータ
      4. 7.12.4 代表的な接続図
    13. 7.13 温度センサ
    14. 7.14 VREF
      1. 7.14.1 電圧特性
      2. 7.14.2 電気的特性
    15. 7.15 GPAMP
      1. 7.15.1 電気的特性
      2. 7.15.2 スイッチング特性
    16. 7.16 I2C
      1. 7.16.1 I2C の特性
      2. 7.16.2 I2C フィルタ
      3. 7.16.3 I2C のタイミング図
    17. 7.17 SPI
      1. 7.17.1 SPI
      2. 7.17.2 SPI タイミング図
    18. 7.18 UART
    19. 7.19 TIMx
    20. 7.20 エミュレーションおよびデバッグ
      1. 7.20.1 SWD タイミング
  9. 8 詳細説明
    1. 8.1  CPU
    2. 8.2  動作モード
      1. 8.2.1 動作モード別の機能 (MSPM0L110x)
    3. 8.3  パワー マネージメント ユニット (PMU)
    4. 8.4  クロック・モジュール (CKM)
    5. 8.5  DMA
    6. 8.6  イベント
    7. 8.7  メモリ
      1. 8.7.1 メモリ構成
      2. 8.7.2 ペリフェラル・ファイル・マップ
      3. 8.7.3 ペリフェラルの割り込みベクタ
    8. 8.8  フラッシュ・メモリ
    9. 8.9  SRAM
    10. 8.10 GPIO
    11. 8.11 IOMUX
    12. 8.12 ADC
    13. 8.13 温度センサ
    14. 8.14 VREF
    15. 8.15 GPAMP
    16. 8.16 CRC
    17. 8.17 UART
    18. 8.18 SPI
    19. 8.19 I2C
    20. 8.20 WWDT
    21. 8.21 タイマ (TIMx)
    22. 8.22 デバイスのアナログ接続
    23. 8.23 入力 / 出力の回路図
    24. 8.24 ブートストラップ・ローダ (BSL)
    25. 8.25 シリアル・ワイヤ・デバッグ・インターフェイス
    26. 8.26 デバイス・ファクトリ定数
    27. 8.27 識別
  10. 9 アプリケーション、実装、およびレイアウト
    1. 9.1 代表的なアプリケーション
      1. 9.1.1 回路図
  11. 10デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 10.1 デバイス命名規則
    2. 10.2 ツールとソフトウェア
    3. 10.3 サポート・リソース
    4. 10.4 商標
    5. 10.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 10.6 用語集
  12. 11改訂履歴
  13. 12メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
  • DGS|28
  • RGE|24
  • DYY|16
  • RHB|32
  • RTR|16
  • DGS|20
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

8.8 フラッシュ・メモリ

実行可能なプログラム・コードとアプリケーション・データを格納するため、1 バンクの不揮発性フラッシュ・メモリが備わっています。

フラッシュの主な特長は次のとおりです。

  • 推奨電源電圧範囲全体にわたって、インサーキットでの書き込み / 消去動作をサポート
  • 1KB の小さなセクタ・サイズ (1KB の最小消去分解能)
  • フラッシュ・メモリの下位 32KB で最大 100000 回の書き込み / 消去サイクル、残りのフラッシュ・メモリで最大 10000 回の書き込み / 消去サイクルをサポート (32KB 以下のデバイスでは、フラッシュ・メモリ全体で 100000 サイクルをサポート)

フラッシュ・メモリの詳細な説明については、『MSPM0 L シリーズ 32MHz マイクロコントローラ・テクニカル・リファレンス・マニュアル』の「NVM」の章を参照してください。