4 改訂履歴
Changes from Revision G (December 2021) to Revision H (June 2023)
- 精度を高めるために、図 7-15「開ループ・トランスインピーダンス・ゲインと位相」を変更。Go
Changes from Revision F (April 2010) to Revision G (December 2021)
- 「製品情報」表、「ピン機能」表、「ESD 定格」表、「推奨動作条件」表、「熱に関する情報」表、「概要」セクション、「機能ブロック図」セクション、「機能説明」セクション、「デバイスの機能モード」セクション、「アプリケーションと実装」セクション、「電源に関する推奨事項」セクション、「レイアウト」セクション、「デバイスおよびドキュメントのサポート」セクション、「メカニカル、パッケージ、および注文情報」セクションを追加Go
- ドキュメント全体にわたって表、図、相互参照の採番方法を更新Go
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「関連製品」セクションのタイトルを「製品ファミリ比較表」に変更Go
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「パッケージ / 注文情報」表を削除Go
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「ピン構成」セクションのタイトルを「ピン構成および機能」に変更Go
- ドキュメント全体を通して QFN を VQFN に変更Go
- すべての入力ピンの電流制限値を ±30mA から ±10mA に変更Go
- 熱評価基準の新しい表を追加。Go
- G = 4V/V 時の全温度範囲での SSBW を 260MHz から 300MHz に変更Go
- G = 8V/V 時の全温度範囲での SSBW を 260MHz から 300MHz に変更Go
- ゲイン 9V/V および 8V/V 時の LSBW の新しい仕様を追加Go
- G = 4V/V 時の LSBW を 300MHz から 144MHz に変更 Go
- スルーレート仕様を 3000V/µs から 3500V/µs に変更Go
- HD2 を -68dBc から -70dBc に変更Go
- HD3 を -72dBc から -73dBc に変更Go
- 非反転入力電流ノイズを 5.2pA/√Hz から 3pA/√Hz に変更Go
- 反転入力電流ノイズを 35pA/√Hz から 25pA/√Hz に変更Go
- クロストークを -92dBc から -85dBc に変更Go
- 非反転入力抵抗の標準値を 1.5MΩ から 3MΩ に変更Go
- 反転入力抵抗の最小値を 16Ω から 10Ω に変更Go
- 短絡電流の制限値の標準値を ±800mA から ±1000mA に変更Go
- 閉ループ出力インピーダンスの標準値を 10mΩ から 0.4mΩ に変更Go
- 完全バイアス時の静止電流の最大値を 38mA から 42mA に変更Go
- 完全バイアス時の全温度範囲での静止電流の最大値を 42mA から 46mA に変更Go
- +PSRR 仕様を追加Go
- 75% バイアスでの AC 性能データを追加Go
- 75% バイアスでの HD3 仕様を -66dBc から -72dBc に変更Go
- 75% バイアスでの静止電流の最大値を 29mA から 31mA に変更Go
- 50% バイアスでの AC 性能データを追加Go
- 50% バイアスでの HD3 仕様を -60dBc から -70dBc に変更Go
- 75% および 50% バイアス条件での静止電流を、室温と全温度範囲で 2mA 増加Go
- 完全バイアス時の最大静止電流を 19mA から 21mA に変更Go
Changes from Revision E (April 2010) to Revision F (May 2010)
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最小動作電圧 (単一電源) パラメータを追加。Go
Changes from Revision D (January 2010) to Revision E (April 2010)
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「絶対最大定格」表を改訂、リード温度仕様を削除、保存温度範囲を -40℃から -65℃に変更。Go