JAJSFO4B August   2017  – December 2018 OPA2810

PRODUCTION DATA.  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
    1.     マルチチャネル・センサ・インターフェイス
  3. 3 概要
    1.     高調波歪みと周波数との関係
  4. 4 改訂履歴
  5. 5 Pin Configuration and Functions
    1.     Pin Functions
  6. 6 Specifications
    1. 6.1  Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2  ESD Ratings
    3. 6.3  Recommended Operating Conditions
    4. 6.4  Thermal Information
    5. 6.5  Electrical Characteristics: 10 V
    6. 6.6  Electrical Characteristics: 24 V
    7. 6.7  Electrical Characteristics: 5 V
    8. 6.8  Typical Characteristics: VS = 10 V
    9. 6.9  Typical Characteristics: VS = 24 V
    10. 6.10 Typical Characteristics: VS = 5 V
    11. 6.11 Typical Characteristics: ±2.375 V to ±12 V Split Supply
  7. 7 Detailed Description
    1. 7.1 Overview
    2. 7.2 Functional Block Diagram
      1. 7.2.1 ESD Protection
    3. 7.3 Feature Description
      1. 7.3.1 OPA2810 Comparison
    4. 7.4 Device Functional Modes
      1. 7.4.1 Split-Supply Operation (±2.375 V to ±13.5 V)
      2. 7.4.2 Single-Supply Operation (4.75 V to 27 V)
  8. 8 Application and Implementation
    1. 8.1 Application Information
      1. 8.1.1 Selection of Feedback Resistors
      2. 8.1.2 Noise Analysis and the Effect of Resistor Elements on Total Noise
    2. 8.2 Typical Applications
      1. 8.2.1 Transimpedance Amplifier
        1. 8.2.1.1 Design Requirements
        2. 8.2.1.2 Detailed Design Procedure
      2. 8.2.2 Multichannel Sensor Interface
  9. 9 Power Supply Recommendations
  10. 10Layout
    1. 10.1 Layout Guidelines
      1. 10.1.1 Thermal Considerations
    2. 10.2 Layout Example
  11. 11デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 11.1 ドキュメントのサポート
      1. 11.1.1 関連資料
    2. 11.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 11.3 コミュニティ・リソース
    4. 11.4 商標
    5. 11.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 11.6 Glossary
  12. 12メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

8.2.1.1 Design Requirements

Design a high-bandwidth, high-gain transimpedance amplifier with the design requirements listed in Table 3.

Table 3. Design Requirements

TARGET BANDWIDTH (MHz) TRANSIMPEDANCE GAIN (KΩ) PHOTODIODE CAPACITANCE (pF)
> 2 100 20