JAJSKN5B April   2021  – December 2021 OPA3S2859-EP

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
  4. 4 Revison History
  5. 5 Pin Configuration and Functions
  6. 6 Specifications
    1. 6.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2 ESD Ratings
    3. 6.3 Recommended Operating Conditions
    4. 6.4 Thermal Information
    5. 6.5 Electrical Characteristics
    6. 6.6 Switching Characteristics
    7. 6.7 Typical Characteristics
  7. 7 Parameter Measurement Information
  8. 8 Detailed Description
    1. 8.1 Overview
    2. 8.2 Functional Block Diagram
    3. 8.3 Feature Description
      1. 8.3.1 Programmable Gain
      2. 8.3.2 Slew Rate
      3. 8.3.3 Input and ESD Protection
    4. 8.4 Device Functional Modes
      1. 8.4.1 Split-Supply and Single-Supply Operation
      2. 8.4.2 Power-Down Mode
      3. 8.4.3 Gain Select Mode (SEL)
      4. 8.4.4 Latch Mode
  9. 9 Application and Implementation
    1. 9.1 Application Information
    2. 9.2 Typical Application
      1. 9.2.1 Design Requirements
      2. 9.2.2 Detailed Design Procedure
      3. 9.2.3 Application Curves
  10. 10Power Supply Recommendations
  11. 11Layout
    1. 11.1 Layout Guidelines
    2. 11.2 Layout Examples
  12. 12Device and Documentation Support
    1. 12.1 Device Support
      1. 12.1.1 Development Support
    2. 12.2 Documentation Support
      1. 12.2.1 Related Documentation
    3. 12.3 Receiving Notification of Documentation Updates
    4. 12.4 サポート・リソース
    5. 12.5 Trademarks
    6. 12.6 Electrostatic Discharge Caution
    7. 12.7 Glossary
  13. 13Mechanical, Packaging, and Orderable Information

パッケージ・オプション

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
  • RTW|24
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

1 特長

  • ゲイン帯域幅積：900MHz
  • 内部スイッチでゲインをプログラム可能
  • 高インピーダンスの FET 入力
  • 入力電圧ノイズ：2.2nV/√Hz
  • スルーレート：350V/μs
  • 電源電圧範囲：3.3V～5.25V
  • 静止電流：22 mA/チャネル
  • パワーダウン・モードの IQ：75μA
  • 温度範囲：-55℃～125℃
  • 防衛、航空宇宙、および医療アプリケーションをサポート
    • 管理されたベースライン
    • 単一のアセンブリ/テスト施設
    • 単一の製造施設
    • 長い製品ライフ・サイクル
    • 製品変更通知期間の延長
    • 製品のトレーサビリティ