JAJSP64J December 2003 – March 2025 OPA695
PRODUCTION DATA
デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。
| パラメータ | テスト条件 | 最小値 | 標準値 | 最大値 | 単位 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AC 特性 | |||||||
| SSBW | 小信号帯域幅 | VO = 0.5VPP | G = +1V/V、RF = 511Ω | 1200 | MHz | ||
| G = +2V/V、RF = 487Ω | 700 | ||||||
| G = +8V/V、RF = 348Ω | 500 | ||||||
| G = +16V/V、RF = 162Ω | 410 | ||||||
| 0.2dB ゲイン平坦度の帯域幅 | VO = 0.5VPP、G = +2V/V、RF = 487Ω | 110 | MHz | ||||
| +1V/V のゲインでのピーキング | VO = 0.5 VPP、RF = 511Ω | 2.2 | dB | ||||
| LSBW | 大信号帯域幅 | VO = 2VPP、G = +8V/V | 430 | MHz | |||
| SR | スルー レート | VO = 2-V ステップ、G = +8V/V | 2500 | V/μs | |||
| 立ち上がり / 立ち下がり時間 | G = +8V/V | VO = 0.5-V ステップ | 0.7 | ns | |||
| VO = 2V ステップ | 0.8 | ||||||
| 0.5% までのセトリング タイム | VO = 2V ステップG = +8V/V | 10 | ns | ||||
| HD2 | 2 次高調波歪み | f = 10MHz | VO = 2 VPP、RL = 100Ω | -69 | dBc | ||
| VO = 2 VPP、RL = 500Ω | -68 | ||||||
| HD3 | 3 次高調波歪み | f = 10MHz | VO = 2 VPP、RL = 100Ω | -62 | dBc | ||
| VO = 2 VPP、RL = 500Ω | -63 | ||||||
| en | 入力電圧ノイズ | f > 1MHz | 1.9 | nV/√Hz | |||
| in+ | 非反転入力電流ノイズ | f > 1MHz | 14 | pA/√Hz | |||
| in- | 反転入力電流ノイズ | f > 1MHz | 22 | pA/√Hz | |||
| DC 特性 | |||||||
| ZOL | 開ループ トランスインピーダンス ゲイン | 40 | 250 | kΩ | |||
| TA = -40℃ ~ +85℃ | 36 | ||||||
| VOS | 入力オフセット電圧 | VCM = VS/2 | ±0.3 | ±3 | mV | ||
| TA = –40℃~+85℃ | ±4 | ||||||
| 平均入力オフセット電圧ドリフト | VCM = VS/2、TA = –40°C ~ +85°C | ±4 | ±15 | μV/℃ | |||
| 非反転入力バイアス電流 | VCM = VS/2 | 15 | ±40 | μA | |||
| TA = –40℃~+85℃ | ±50 | ||||||
| 平均非反転入力バイアス電流ドリフト | VCM = VS/2、TA = –40°C ~ +85°C | 60 | ±170 | nA/℃ | |||
| 反転入力バイアス電流 | VCM = VS/2 | ±5 | ±60 | μA | |||
| TA = –40℃~+85℃ | ±70 | ||||||
| 平均反転入力バイアス電流ドリフト | VCM = VS/2、TA = –40°C ~ +85°C | ±16 | ±160 | nA/℃ | |||
| 入力特性 | |||||||
| CMIR | 同相入力範囲 (正の) | 3.2 | 3.4 | V | |||
| TA = -40℃ ~ +85℃ | 3.1 | ||||||
| 同相入力範囲 (負の) | 1.6 | 1.8 | |||||
| TA = -40℃ ~ +85℃ | 1.9 | ||||||
| CMRR | 同相除去比 | ΔVIN = 0.5V | 51 | 65 | dB | ||
| TA = –40℃~+85℃ | 50 | ||||||
| 非反転入力抵抗 | 250 || 2 | kΩ || pF | |||||
| 反転入力抵抗 | 開ループ | 21 | Ω | ||||
| 出力特性 | |||||||
| VO | 出力電圧スイング (最も正) | 無負荷 | 3.95 | 4.05 | V | ||
| TA = –40℃~85℃ | 3.75 | ||||||
| 出力電圧スイング (最小正) | 無負荷 | 0.9 | 1.05 | ||||
| TA = –40℃~+85℃ | 1.25 | ||||||
| IO | 出力電流、ソース | VO = VS/2 | 70 | 100 | mA | ||
| TA = –40℃~+85℃ | 66 | ||||||
| 出力電流、シンク | VO = VS/2 | -100 | –70 | ||||
| TA = –40℃~+85℃ | -60 | ||||||
| ZOUT | 閉ループ出力インピーダンス | G = +2V/V、f = 100kHz | 0.02 | Ω | |||
| 電源 | |||||||
| IQ | 静止時電流 | 10.9 | 13 | 14.4 | mA | ||
| TA = –40℃~+85℃ | 9.1 | 17.1 | |||||
| -PSRR | 負の電源電圧変動除去比 | 69 | dB | ||||
| ディセーブル モード (DIS Low) | |||||||
| パワーダウン静止時電流 (+VS) | VDIS = 0V | 120 | 160 | μA | |||
| TA = –40℃~+85℃ | 180 | ||||||
| ディセーブル時間 | VIN = ±0.25VDC | 5 | μs | ||||
| イネーブル時間 | VIN = ±0.25VDC | 80 | ns | ||||
| オフ アイソレーション | G = +8V/V、f = 10MHz | 70 | dB | ||||
| ディスエーブル時の出力容量 | 2.5 | pF | |||||
| 電圧スレッショルド有効化 | 3.1 | 3.5 | V | ||||
| TA = –40℃~+85℃ | 3.7 | ||||||
| 電圧スレッショルド無効化 | 1.7 | 2.4 | V | ||||
| TA = –40℃~+85℃ | 1.5 | ||||||
| DIS 制御ピンの入力バイアス電流 | 95 | 130 | μA | ||||
| TA = –40℃~+85℃ | 149 | ||||||