JAJSQF0B May   2023  – April 2024 SN74LV1T04-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 ピン構成および機能
  6. 5 仕様
    1. 5.1  絶対最大定格
    2. 5.2  ESD 定格
    3. 5.3  推奨動作条件
    4. 5.4  熱に関する情報
    5. 5.5  電気的特性
    6. 5.6  スイッチング特性：1.8V VCC
    7. 5.7  スイッチング特性：2.5V VCC
    8. 5.8  スイッチング特性：3.3V VCC
    9. 5.9  スイッチング特性：5.0V VCC
    10. 5.10 代表的特性
  7. 6 パラメータ測定情報
  8. 7 詳細説明
    1. 7.1 概要
    2. 7.2 機能ブロック図
    3. 7.3 機能説明
      1. 7.3.1 平衡化された CMOS 3 ステート出力
      2. 7.3.2 クランプ・ダイオード構造
      3. 7.3.3 LVxT 拡張入力電圧
        1. 7.3.3.1 降圧変換
        2. 7.3.3.2 昇圧変換
    4. 7.4 デバイスの機能モード
  9. 8 アプリケーションと実装
    1. 8.1 アプリケーション情報
    2. 8.2 代表的なアプリケーション
      1. 8.2.1 設計要件
        1. 8.2.1.1 電源に関する考慮事項
        2. 8.2.1.2 入力に関する検討事項
        3. 8.2.1.3 出力に関する考慮事項
      2. 8.2.2 詳細な設計手順
      3. 8.2.3 アプリケーション曲線
  10. 9 電源に関する推奨事項
  11. 10レイアウト
    1. 10.1 レイアウトのガイドライン
    2. 10.2 レイアウト例
  12. 11デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 11.1 ドキュメントのサポート
      1. 11.1.1 関連資料
    2. 11.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 11.3 サポート・リソース
    4. 11.4 商標
    5. 11.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 11.6 用語集
  13. 12改訂履歴
  14. 13メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
  • DBV|5
  • DCK|5
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

5.2 ESD 定格

値 単位
V(ESD) 静電放電 人体モデル (HBM)、AEC Q100-002(1) HBM ESD 分類レベル 2 準拠 ±2000 V
デバイス帯電モデル (CDM)、AEC Q100-011 CDM ESD 分類レベル C4B 準拠 ±1000
(1) AEC Q100-002 には、HBM ストレス試験は ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 仕様に従って実施することと規定されています。