JAJSQT3A July   2023  – January 2024 SN74LV1T32-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 ピン構成および機能
  6. 5 仕様
    1. 5.1  絶対最大定格
    2. 5.2  ESD 定格
    3. 5.3  推奨動作条件
    4. 5.4  熱に関する情報
    5. 5.5  電気的特性
    6. 5.6  スイッチング特性：1.8V VCC
    7. 5.7  スイッチング特性：2.5V VCC
    8. 5.8  スイッチング特性：3.3V VCC
    9. 5.9  スイッチング特性：5.0V VCC
    10. 5.10 代表的特性
  7. 6 パラメータ測定情報
  8. 7 詳細説明
    1. 7.1 概要
    2. 7.2 機能ブロック図
    3. 7.3 機能説明
      1. 7.3.1 平衡化された CMOS プッシュプル出力
      2. 7.3.2 LVxT 拡張入力電圧
        1. 7.3.2.1 降圧変換
        2. 7.3.2.2 昇圧変換
      3. 7.3.3 クランプ・ダイオード構造
    4. 7.4 デバイスの機能モード
  9. 8 アプリケーションと実装
    1. 8.1 アプリケーション情報
    2. 8.2 代表的なアプリケーション
      1. 8.2.1 設計要件
        1. 8.2.1.1 電源に関する考慮事項
        2. 8.2.1.2 入力に関する考慮事項
        3. 8.2.1.3 出力に関する考慮事項
      2. 8.2.2 詳細な設計手順
    3. 8.3 アプリケーション曲線
    4. 8.4 電源に関する推奨事項
    5. 8.5 レイアウト
      1. 8.5.1 レイアウトのガイドライン
      2. 8.5.2 レイアウト例
  10. 9 デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 9.1 ドキュメントのサポート
      1. 9.1.1 関連資料
    2. 9.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 9.3 サポート・リソース
    4. 9.4 商標
    5. 9.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 9.6 用語集
  11. 10改訂履歴
  12. 11メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

5.4 熱に関する情報

熱評価基準 (1) DBV (SOT-23) DCK (SC-70) 単位
5 ピン 5 ピン
RθJA 接合部から周囲への熱抵抗 278.0 293.4 ℃/W
RθJC(top) 接合部からケース (上面) への熱抵抗 180.5 208.8 ℃/W
RθJB 接合部から基板への熱抵抗 184.4 180.6 ℃/W
ΨJT 接合部から上面への特性パラメータ 115.4 120.6 ℃/W
ΨJB 接合部から基板への特性パラメータ 183.4 179.5 ℃/W
RθJC(bot) 接合部からケース (底面) への熱抵抗 該当なし N/A ℃/W
(1) 従来および最新の熱評価基準の詳細については、『半導体および IC パッケージの熱評価基準』アプリケーション レポートを参照してください。