JAJSS51
November 2023
SN74LV3T98-EP
PRODUCTION DATA
1
1
特長
2
アプリケーション
3
概要
4
ピン構成および機能
5
仕様
5.1
絶対最大定格
5.2
ESD 定格
5.3
推奨動作条件
5.4
熱に関する情報
5.5
電気的特性
5.6
スイッチング特性
5.7
ノイズ特性
5.8
代表的特性
6
パラメータ測定情報
7
詳細説明
7.1
概要
7.2
機能ブロック図
7.3
機能説明
7.3.1
平衡化された CMOS プッシュプル出力
7.3.2
クランプ・ダイオード構造
7.3.3
SCxT 拡張入力電圧
7.3.3.1
降圧変換
7.3.3.2
昇圧変換
7.4
デバイスの機能モード
7.4.1
ロジック構成
8
アプリケーションと実装
8.1
アプリケーション情報
8.2
代表的なアプリケーション
8.2.1
設計要件
8.2.1.1
電源に関する考慮事項
8.2.1.2
入力に関する考慮事項
8.2.1.3
出力に関する考慮事項
8.2.2
詳細な設計手順
8.2.3
アプリケーション曲線
8.3
電源に関する推奨事項
8.4
レイアウト
8.4.1
レイアウトのガイドライン
8.4.2
レイアウト例
9
デバイスおよびドキュメントのサポート
9.1
ドキュメントのサポート
9.1.1
関連資料
9.2
ドキュメントの更新通知を受け取る方法
9.3
サポート・リソース
9.4
商標
9.5
静電気放電に関する注意事項
9.6
用語集
10
改訂履歴
11
メカニカル、パッケージ、および注文情報
パッケージ・オプション
デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。
メカニカル・データ(パッケージ|ピン)
PW|14
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報
jajss51_oa
jajss51_pm
8.2.2
詳細な設計手順
V
CC
から GND の間にデカップリング・コンデンサを追加します。このコンデンサは、物理的にデバイスの近く、かつ V
CC
ピンと GND ピンの両方に電気的に近づけて配置する必要があります。レイアウト例を「レイアウト」セクションに示します。
出力の容量性負荷は、必ず 50pF 以下になるようにします。これは厳密な制限ではありませんが、性能が最適化されます。これは、
SN74LV3T98-EP
から 1 つ以上の受信デバイスへのトレースを短い適切なサイズにすることで実現できます。
出力の抵抗性負荷を (V
CC
/I
O(max)
) Ω より大きくします。これを行っても、「絶対最大定格」の最大出力電流に違反することにはなりません。ほとんどの CMOS 入力は、MΩ単位で測定される抵抗性負荷を備えています。これは、上記で計算される最小値よりはるかに大きい値です。
熱の問題がロジック・ゲートで懸念されることはほとんどありませんが、消費電力と温度上昇は、アプリケーション・レポート
『CMOS 消費電力と Cpd の計算』
に記載された手順を使って計算できます。