JAJSS61 November 2023 SN74LV4T08-EP
PRODUCTION DATA
デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。
目的の電源電圧が、「推奨動作条件」に規定された範囲に入っていることを確認します。 「電気的特性」セクションに記載されているように、電源電圧は本デバイスの電気的特性を決定づけます。
正電圧の電源は、SN74LV4T08-EP のすべての出力によってソースされる総電流、「電気的特性」に記載された静的消費電流 (ICC) の最大値、スイッチングに必要な任意の過渡電流の合計に等しい電流を供給できる必要があります。 論理デバイスは、正の電源から供給されるのと同じ電流のみをソースできます。「絶対最大定格」に記載された VCC 総電流の最大値を超えないようにしてください。
グランドは、SN74LV4T08-EP のすべての出力によってシンクされる総電流、「電気的特性」に記載された最大消費電流 (ICC)、スイッチングに必要な任意の過渡電流の合計に等しい電流をシンクできる必要があります。 論理デバイスは、グランド接続にシンク可能な電流量分のみをシンクできます。「絶対最大定格」に記載された GND 総電流の最大値を超えないようにしてください。
SN74LV4T08-EP は、データシートの仕様をすべて満たしつつ、合計容量 50pF 以下の負荷を駆動できます。これより大きな容量性負荷を印加することもできますが、50pF を超えることは推奨しません。
SN74LV4T08-EP は、「電気的特性」表に定義されている出力電圧および電流 (VOH および VOL) で、RL ≧ VO / IO で記述される合計抵抗の負荷を駆動できます。 High 状態で出力する場合、この式の出力電圧は、測定した出力電圧と VCC ピンの電源電圧の差として定義されます。
総消費電力は、『CMOS の消費電力と Cpd の計算』アプリケーション・ノートに記載された情報を使って計算できます。
温度の上昇は、『標準リニアおよびロジック (SLL) パッケージおよびデバイスの熱特性』アプリケーション・ノートに記載された情報を使って計算できます。