JAJSHI9G March   2004  – June 2019 SN74LVC1G08-Q1

UNLESS OTHERWISE NOTED, this document contains ADVANCE INFORMATION for pre-production products; subject to change without notice.  

  1. 特長
  2. アプリケーション
  3. 概要
    1.     Device Images
  4. 改訂履歴
  5. Pin Configuration and Functions
    1.     Pin Functions
  6. Specifications
    1. 6.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2 ESD Ratings
    3. 6.3 Recommended Operating Conditions
    4. 6.4 Thermal Information
    5. 6.5 Electrical Characteristics
    6. 6.6 Switching Characteristics, TA = –40°C to 125°C
    7. 6.7 Switching Characteristics, TA = –40°C to 85°C
    8. 6.8 Operating Characteristics
    9. 6.9 Typical Characteristics
  7. Parameter Measurement Information
  8. Detailed Description
    1. 8.1 Overview
    2. 8.2 Functional Block Diagram
    3. 8.3 Feature Description
    4. 8.4 Device Functional Modes
  9. Application and Implementation
    1. 9.1 Application Information
    2. 9.2 Typical Application
      1. 9.2.1 Design Requirements
      2. 9.2.2 Detailed Design Procedure
      3. 9.2.3 Application Curves
  10. 10Power Supply Recommendations
  11. 11Layout
    1. 11.1 Layout Guidelines
    2. 11.2 Layout Example
  12. 12デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 12.1 商標
    2. 12.2 静電気放電に関する注意事項
    3. 12.3 Glossary
  13. 13メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ(パッケージ|ピン)
  • DBV|5
  • DCK|5
  • DRY|6
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

静電気放電に関する注意事項

esds-image

これらのデバイスは、限定的なESD(静電破壊)保護機能を内 蔵しています。保存時または取り扱い時は、MOSゲートに対す る静電破壊を防止するために、リード線同士をショートさせて おくか、デバイスを導電フォームに入れる必要があります。