JAJSKS3A January   2022  – May 2022 SN74LXC2T45-Q1

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
  4. 4 改訂履歴
  5. 5 ピン構成と機能
  6. 6 仕様
    1. 6.1  絶対最大定格
    2. 6.2  ESD 定格
    3. 6.3  推奨動作条件
    4. 6.4  熱に関する情報
    5. 6.5  電気的特性
    6. 6.6  スイッチング特性：Tsk、TMAX
    7. 6.7  スイッチング特性、VCCA = 1.2 ± 0.1V
    8. 6.8  スイッチング特性、VCCA = 1.5 ± 0.1V
    9. 6.9  スイッチング特性、VCCA = 1.8 ± 0.15V
    10. 6.10 スイッチング特性、VCCA = 2.5 ± 0.2V
    11. 6.11 スイッチング特性、VCCA = 3.3 ± 0.3V
    12. 6.12 スイッチング特性、VCCA = 5.0 ± 0.5V
    13. 6.13 動作特性
    14. 6.14 代表的特性
  7. 7 パラメータ測定情報
    1. 7.1 負荷回路および電圧波形
  8. 8 詳細説明
    1. 8.1 概要
    2. 8.2 機能ブロック図
    3. 8.3 機能説明
      1. 8.3.1 プルダウン内蔵の CMOS シュミット・トリガ入力
        1. 8.3.1.1 ダイナミック・プルダウン抵抗内蔵の I/O
        2. 8.3.1.2 スタティック・プルダウン抵抗内蔵の制御入力
      2. 8.3.2 バランスのとれた高駆動能力の CMOS プッシュプル出力
      3. 8.3.3 部分的パワーダウン (Ioff)
      4. 8.3.4 VCC の絶縁および VCC の接続解除 (Ioff-float)
      5. 8.3.5 過電圧許容入力
      6. 8.3.6 グリッチの発生しない電源シーケンシング
      7. 8.3.7 負のクランプ・ダイオード
      8. 8.3.8 フル構成可能なデュアル・レール設計
      9. 8.3.9 高速変換をサポート
    4. 8.4 デバイスの機能モード
  9. 9 アプリケーションと実装
    1. 9.1 アプリケーション情報
    2. 9.2 イネーブル時間
    3. 9.3 代表的なアプリケーション
      1. 9.3.1 設計要件
      2. 9.3.2 詳細な設計手順
  10. 10電源に関する推奨事項
  11. 11レイアウト
    1. 11.1 レイアウトのガイドライン
    2. 11.2 レイアウト例
  12. 12デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 12.1 ドキュメントのサポート
      1. 12.1.1 関連資料
    2. 12.2 Receiving Notification of Documentation Updates
    3. 12.3 サポート・リソース
    4. 12.4 商標
    5. 12.5 Electrostatic Discharge Caution
    6. 12.6 Glossary
  13. 13メカニカル、パッケージ、および注文情報
    1. 13.1 テープおよびリール情報

パッケージ・オプション

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
  • DCU|8
  • DTT|8
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

8.3.1.1 ダイナミック・プルダウン抵抗内蔵の I/O

データ I/O の入力回路は、デバイスがディセーブルでも常にアクティブです。大電流消費を防ぐため、I/O で有効な電圧レベルを維持することを推奨します。ディセーブル時に I/O のフローティング入力を防止するため、このデバイスのすべてのデータ I/O には標準で 100kΩ の弱いダイナミック・プルダウンが内蔵されています。デバイスがディセーブルになると、ダイナミック・プルダウンはわずかな時間だけ動作して、デバイスの I/O が高インピーダンスになる前にフローティング入力を駆動して、Low に維持されるようにします。デバイスがディセーブルになってから I/O の配線をフローティングにする場合は、外付けのプルダウンを使用して、これらを有効な入力電圧レベルに維持することをお勧めします。この機能は、30pF 以下の負荷に最適です。容量性負荷がこれより大きい場合は、外付けのプルダウンを推奨します。外付けのプルアップが必要な場合、内蔵の 100kΩ のプルダウンとの競合を避けるため、15kΩ 以上にはしないでください。