Data Sheet
SN74TVC3306 デュアル電圧クランプ
このリソースの元の言語は英語です。 翻訳は概要を便宜的に提供するもので、自動化ツール (機械翻訳) を使用していることがあり、TI では翻訳の正確性および妥当性につきましては一切保証いたしません。 実際の設計などの前には、ti.com で必ず最新の英語版をご参照くださいますようお願いいたします。
1 特長
- 電圧制限アプリケーションで使用できるように設計
- ポート A と B の間は
3.5Ω のオン状態接続 - フロースルー・ピン配置によりプリント基板の配線を簡素化
- GTL+ レベルとのダイレクト・インターフェイス
- JESD 78、Class II 準拠で
100mA 超のラッチアップ性能 - JESD 22 を上回る ESD 保護：
- 人体モデルで 2000V
- マシン・モデルで 200V
- 荷電デバイス・モデルで 1000V
2 アプリケーション
- 電圧レベル変換
- 信号スイッチング
- バス絶縁
3 概要
SN74TVC3306 このデバイスには、共通のバッファなしゲートを持つ 3 個の並列 NMOS パス・トランジスタが搭載されています。スイッチのオン状態の抵抗が低いため、最小の伝播遅延で接続が可能です。
このデバイスは、リファレンス・トランジスタにゲートをカスケード接続したデュアル・スイッチとして使用できます。各パス・トランジスタの低電圧側は、リファレンス・トランジスタによって設定された電圧に制限されます。これは、 High 状態の電圧レベルのオーバーシュートに敏感な入力を持つ部品を保護するためです。
(1) 利用可能なすべてのパッケージについては、データシートの末尾にある注文情報を参照してください。
(2) パッケージ・サイズ (長さ×幅) は公称値であり、該当する場合はピンも含まれます。
この SN74TVC3306 デバイスは、多くの電圧レベルにわたって双方向機能を備えています。このデータシートに記載されている電圧レベルは例です。
概略回路図