JAJSLX2A November   2021  – March 2022 THS4541-DIE

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
  4. 4 改訂履歴
  5. 5 ベア・ダイの情報
  6. 6 ピン構成および機能
  7. 7 仕様
    1. 7.1 絶対最大定格
    2. 7.2 推奨動作条件
    3. 7.3 電気的特性：(Vs+) – Vs– = 5V
    4. 7.4 代表的特性 (5V 単一電源)
    5. 7.5 代表的特性：電源電圧範囲：3V～5V
  8. 8 詳細説明
    1. 8.1 概要
      1. 8.1.1 用語とアプリケーションの前提条件
    2. 8.2 機能ブロック図
    3. 8.3 機能説明
      1. 8.3.1 差動 I/O
      2. 8.3.2 パワーダウン制御ピン (PD)
        1. 8.3.2.1 電源シャットダウン動作時の特長
      3. 8.3.3 入力オーバードライブ動作
    4. 8.4 デバイスの機能モード
      1. 8.4.1 シングルエンド・ソースから差動出力への動作
  9. 9 アプリケーションと実装
    1. 9.1 アプリケーション情報
    2. 9.2 代表的なアプリケーション
      1. 9.2.1 高性能 ADC とのインターフェイス
        1. 9.2.1.1 設計要件
        2. 9.2.1.2 詳細な設計手順
        3. 9.2.1.3 アプリケーション曲線
  10. 10電源に関する推奨事項
  11. 11レイアウト
    1. 11.1 レイアウトのガイドライン
  12. 12デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 12.1 デバイスのサポート
      1. 12.1.1 開発サポート
        1. 12.1.1.1 TINA シミュレーション・モデルの機能
    2. 12.2 ドキュメントのサポート
      1. 12.2.1 関連資料
    3. 12.3 Receiving Notification of Documentation Updates
    4. 12.4 サポート・リソース
    5. 12.5 商標
    6. 12.6 Electrostatic Discharge Caution
    7. 12.7 Glossary
  13. 13メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
  • Y|0
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

12.6 Electrostatic Discharge Caution

GUID-D6F43A01-4379-4BA1-8019-E75693455CED-low.gif This integrated circuit can be damaged by ESD. Texas Instruments recommends that all integrated circuits be handled with appropriate precautions. Failure to observe proper handling and installation procedures can cause damage.
ESD damage can range from subtle performance degradation to complete device failure. Precision integrated circuits may be more susceptible to damage because very small parametric changes could cause the device not to meet its published specifications.