JAJSKJ4N February   1977  – June 2024 TL081 , TL081A , TL081B , TL081H , TL082 , TL082A , TL082B , TL082H , TL084 , TL084A , TL084B , TL084H

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 Pin Configuration and Functions
  6. 5 Specifications
    1. 5.1  Absolute Maximum Ratings
    2. 5.2  ESD Ratings
    3. 5.3  Recommended Operating Conditions
    4. 5.4  Thermal Information for Single Channel
    5. 5.5  Thermal Information for Dual Channel
    6. 5.6  Thermal Information for Quad Channel
    7. 5.7  Electrical Characteristics: TL08xH
    8. 5.8  Electrical Characteristics (DC): TL08xC, TL08xAC, TL08xBC, TL08xI, TL08xM
    9. 5.9  Electrical Characteristics (AC): TL08xC, TL08xAC, TL08xBC, TL08xI, TL08xM
    10. 5.10 Typical Characteristics: TL08xH
  7. 6 Parameter Measurement Information
  8. 7 Detailed Description
    1. 7.1 Overview
    2. 7.2 Functional Block Diagram
    3. 7.3 Feature Description
      1. 7.3.1 Total Harmonic Distortion
      2. 7.3.2 Slew Rate
    4. 7.4 Device Functional Modes
  9. 8 Applications and Implementation
    1. 8.1 Application Information
    2. 8.2 Typical Applications
      1. 8.2.1 Inverting Amplifier Application
        1. 8.2.1.1 Design Requirements
        2. 8.2.1.2 Detailed Design Procedure
        3. 8.2.1.3 Application Curve
    3. 8.3 System Examples
      1. 8.3.1 General Applications
    4. 8.4 Power Supply Recommendations
    5. 8.5 Layout
      1. 8.5.1 Layout Guidelines
      2. 8.5.2 Layout Examples
  10. 9 Device and Documentation Support
    1. 9.1 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    2. 9.2 サポート・リソース
    3. 9.3 Trademarks
    4. 9.4 静電気放電に関する注意事項
    5. 9.5 用語集
  11. 10Revision History
  12. 11Mechanical, Packaging, and Orderable Information

パッケージ・オプション

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
  • D|14
  • N|14
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

9.4 静電気放電に関する注意事項

TL081 TL081A TL081B TL081H TL082 TL082A TL082B TL082H TL084 TL084A TL084B TL084H この IC は、ESD によって破損する可能性があります。テキサス・インスツルメンツは、IC を取り扱う際には常に適切な注意を払うことを推奨します。正しい取り扱いおよび設置手順に従わない場合、デバイスを破損するおそれがあります。
ESD による破損は、わずかな性能低下からデバイスの完全な故障まで多岐にわたります。精密な IC の場合、パラメータがわずかに変化するだけで公表されている仕様から外れる可能性があるため、破損が発生しやすくなっています。