JAJSVH4C August   2006  – October 2024

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 Pin Configuration and Functions
  6. 5 Specifications
    1. 5.1  Absolute Maximum Ratings
    2. 5.2  ESD Ratings
    3. 5.3  Recommended Operating Conditions
    4. 5.4  Thermal Information
    5. 5.5  Reference Section Electrical Characteristics
    6. 5.6  Oscillator Section Electrical Characteristics
    7. 5.7  Error-Amplifier Section Electrical Characteristics
    8. 5.8  Current-Sense Section Electrical Characteristics
    9. 5.9  Output Section Electrical Characteristics
    10. 5.10 Undervoltage-Lockout Section Electrical Characteristics
    11. 5.11 Pulse-Width Modulator Section Electrical Characteristics
    12. 5.12 Supply Voltage Electrical Characteristics
    13. 5.13 Typical Characteristics
  7. 6 Detailed Description
    1. 6.1 Functional Block Diagram
  8. 7 Application and Implementation
    1. 7.1 Application Information
    2. 7.2 Shutdown Technique
    3. 7.3 Open-Loop Laboratory Test Fixture
    4. 7.4 Typical Application
      1. 7.4.1 Application Curves
  9. 8 Device and Documentation Support
    1. 8.1 Related Links
    2. 8.2 Trademarks
    3. 8.3 静電気放電に関する注意事項
    4. 8.4 用語集
  10. 9 Revision History
  11. 10Mechanical, Packaging, and Orderable Information

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

8.3 静電気放電に関する注意事項

TL284xB TL384xB この IC は、ESD によって破損する可能性があります。テキサス・インスツルメンツは、IC を取り扱う際には常に適切な注意を払うことを推奨します。正しい取り扱いおよび設置手順に従わない場合、デバイスを破損するおそれがあります。
ESD による破損は、わずかな性能低下からデバイスの完全な故障まで多岐にわたります。精密な IC の場合、パラメータがわずかに変化するだけで公表されている仕様から外れる可能性があるため、破損が発生しやすくなっています。