JAJSJB7D June   2020  – November 2023 LM339LV , LM393LV , TL331LV , TL391LV

PRODMIX  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 ピン構成および機能
    1. 4.1 TL331LV および TL391LV のピン機能
    2. 4.2 ピンの機能：LM393LV
    3. 4.3 ピンの機能：LM339LV
  6. 5 仕様
    1. 5.1  絶対最大定格
    2. 5.2  ESD 定格
    3. 5.3  推奨動作条件
    4. 5.4  TL3x1LV の熱に関する情報
    5. 5.5  熱に関する情報、LM393LV
    6. 5.6  熱に関する情報、LM339LV
    7. 5.7  電気的特性、TL3x1LV
    8. 5.8  スイッチング特性、TL3x1LV
    9. 5.9  電気的特性、LM393LV
    10. 5.10 スイッチング特性、LM393LV
    11. 5.11 電気的特性、LM339LV
    12. 5.12 スイッチング特性、LM339LV
    13. 5.13 代表的特性
  7. 6 詳細説明
    1. 6.1 概要
    2. 6.2 機能ブロック図
    3. 6.3 機能説明
    4. 6.4 デバイスの機能モード
      1. 6.4.1 オープン・ドレイン出力
      2. 6.4.2 パワーオン・リセット (POR)
      3. 6.4.3 入力
        1. 6.4.3.1 レール・ツー・レール入力
        2. 6.4.3.2 フォルト・トレラント入力
        3. 6.4.3.3 入力保護
      4. 6.4.4 ESD 保護
      5. 6.4.5 未使用入力
      6. 6.4.6 ヒステリシス
  8. 7 アプリケーションと実装
    1. 7.1 アプリケーション情報
      1. 7.1.1 基本的なコンパレータの定義
        1. 7.1.1.1 動作
        2. 7.1.1.2 伝搬遅延
        3. 7.1.1.3 オーバードライブ電圧
      2. 7.1.2 ヒステリシス
        1. 7.1.2.1 ヒステリシス付きの反転コンパレータ
        2. 7.1.2.2 ヒステリシス付きの非反転コンパレータ
    2. 7.2 代表的なアプリケーション
      1. 7.2.1 ウィンドウ・コンパレータ
        1. 7.2.1.1 設計要件
        2. 7.2.1.2 詳細な設計手順
        3. 7.2.1.3 アプリケーション曲線
      2. 7.2.2 方形波発振器
        1. 7.2.2.1 設計要件
        2. 7.2.2.2 詳細な設計手順
        3. 7.2.2.3 アプリケーション曲線
      3. 7.2.3 可変パルス幅ジェネレータ
      4. 7.2.4 時間遅延ジェネレータ
      5. 7.2.5 ロジック・レベル・シフタ
      6. 7.2.6 ワンショット・マルチバイブレータ
      7. 7.2.7 双安定マルチバイブレータ
      8. 7.2.8 ゼロ交差検出器
      9. 7.2.9 パルス・スライサ
    3. 7.3 電源に関する推奨事項
    4. 7.4 レイアウト
      1. 7.4.1 レイアウトのガイドライン
      2. 7.4.2 レイアウト例
  9. 8 デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 8.1 関連資料
    2. 8.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 8.3 サポート・リソース
    4. 8.4 商標
    5. 8.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 8.6 用語集
  10. 9 改訂履歴
  11. 10メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

5.6 熱に関する情報、LM339LV

熱評価基準(1) LM339LV 単位
D (SOIC) PW (TSSOP) RTE (WQFN) DYY (SOT-23)
14 ピン 14 ピン 16 ピン 14 ピン
RqJA 接合部から周囲への熱抵抗 136.0 155.0 134.1 211.1 ℃/W
RqJC(top) 接合部からケース (上面) への熱抵抗 91.2 82.0 122.6 121.1 ℃/W
RqJB 接合部から基板への熱抵抗 92.0 98.5 109.3 120.4 ℃/W
yJT 接合部から上面への熱特性パラメータ 46.9 25.7 30.9 22.3 ℃/W
yJB 接合部から基板への熱特性パラメータ 91.6 97.6 108.3 120.1 ℃/W
RqJC(bot) 接合部からケース (底面) への熱抵抗 – – 98.7 – ℃/W
(1) 従来および最新の熱評価基準の詳細については、『半導体および IC パッケージの熱評価基準』アプリケーション・レポートを参照してください。