JAJSC99B December 2012 – December 2015 TLC6C5912-Q1
PRODUCTION DATA.
NOTE
以降のアプリケーション情報は、TIの製品仕様に含まれるものではなく、TIではその正確性または完全性を保証いたしません。個々の目的に対する製品の適合性については、お客様の責任で判断していただくことになります。お客様は自身の設計実装を検証しテストすることで、システムの機能を確認する必要があります。
TLC6C5912デバイスはシリアル・イン、パラレル・アウト、パワー・ロジックの12ビット・シフト・レジスタで、VCC = 5Vのとき、ローサイドのオープン・ドレインDMOS出力定格は、40Vおよび50mAの連続シンク電流能力です。このデバイスは抵抗性負荷を駆動するよう設計されており、マイクロコントローラとLEDやランプとの間のインターフェイスとして特に適しています。また、デバイスは人体モデルを使用したテストで2000V、マシン・モデルを使用したテストで200VのESD保護を実現しています。
2つのTLC6C5912-Q1チップをカスケード・トポロジに構成した代表的なカスケード・アプリケーション回路を、Figure 13に示します。すべての入力信号はMCUが生成します。
この設計例のパラメータを、Table 1に一覧表記します。
設計パラメータ | 例での値 |
---|---|
Vbattery | 9~40V |
VCC_1 | 3.3V |
I(D0)、I(D1)、I(D2)、I(D3)、I(D4)、I(D5)、I(D6)、I(D7)、I(D8)、I(D9)、I(D10)、I(D11) | 30mA |
VCC_2 | 5V |
I(D12)、I(D13)、I(D14)、I(D15)、I(D16)、I(D17)、I(D18)、I(D19)、I(D20)、I(D21)、I(D122)、I(D23) | 50mA |
設計プロセスを開始するには、いくつかのパラメータを決定する必要があります。
パラメータを決定してから、Equation 1を使用して、LEDと直列の抵抗値を計算します。