JAJSC99B December 2012 – December 2015 TLC6C5912-Q1
PRODUCTION DATA.
TLC6C5912-Q1は、モノリシックで中程度の電圧、低電流出力の12ビット・シフト・レジスタで、LEDなど、比較的中程度の負荷電力を必要とするシステムで使用するよう設計されています。
このデバイスには、12ビットのシリアル・イン、パラレル・アウトのシフト・レジスタが内蔵されており、12ビットのDタイプ・ストレージ・レジスタへデータを供給します。データはシフト・レジスタとストレージ・レジスタを経由して、それぞれシフト・レジスタ・クロック(SRCK)とレジスタ・クロック(RCK)の立ち上がりエッジで転送されます。ストレージ・レジスタは、シフト・レジスタ・クリア(CLR)がHIGHのとき、出力バッファへデータを転送します。CLRがLOWになると、デバイス内のすべてのレジスタがクリアされます。出力イネーブル(G)をHIGHに保持すると、出力バッファのすべてのデータがLOWに保持され、すべてのドレイン出力がオフになります。GをLOWに保持すると、ストレージ・レジスタのデータが出力バッファへ透過的になります。
出力バッファのデータがLOWのとき、DMOSトランジスタの出力がオフになります。データがHIGHのとき、DMOSトランジスタ出力はシンク電流能力を持つようになります。シリアル出力(SER OUT)は、SRCKの立ち下がりエッジでデバイスからクロック出力され、カスケード接続されたアプリケーション用に追加のホールド時間を与えます。これによって、クロック信号のスキューの可能性がある、デバイスが互いに接近して配置されていない、またはシステムに電磁気干渉への耐性が必要なアプリケーションのパフォーマンスが向上しています。デバイスには、サーマル・シャットダウン保護が組み込まれています。
出力はローサイドのオープンドレインDMOSトランジスタで、VCC = 5Vのとき、出力定格は連続的なシンク電流で40Vおよび50mAの能力があります。デバイス保護を強化するため、接合部温度が上昇すると、電流制限が減少します。また、デバイスは人体モデルを使用したテストで2000V、マシン・モデルを使用したテストで200VのESD保護を実現しています。
TLC6C5912-Q1の特性は、-40℃~125℃の動作時周辺温度範囲での動作についてのものです。
型番 | パッケージ | 本体サイズ(公称) |
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TLC6C5912-Q1 | SOIC (20) | 12.80mm×7.50mm |
TSSOP (20) | 6.50mm×4.40mm |
Changes from A Revision (January 2013) to B Revision
Changes from * Revision (December 2012) to A Revision