JAJSHQ2 July   2019 TLV2186

PRODUCTION DATA.  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
    1.     Device Images
      1.      ハイサイド電流シャント・モニタ・アプリケーション
      2.      VOS と入力同相電圧
  4. 4 改訂履歴
  5. 5 Pin Configuration and Functions
    1.     Pin Functions
  6. 6 Specifications
    1. 6.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2 ESD Ratings
    3. 6.3 Recommended Operating Conditions
    4. 6.4 Thermal Information
    5. 6.5 Electrical Characteristics
    6. 6.6 Typical Characteristics
  7. 7 Detailed Description
    1. 7.1 Overview
    2. 7.2 Functional Block Diagram
    3. 7.3 Feature Description
      1. 7.3.1 Rail-to-Rail Inputs
      2. 7.3.2 Phase-Reversal Protection
      3. 7.3.3 Input Bias Current Clock Feedthrough
      4. 7.3.4 EMI Rejection
        1. 7.3.4.1 EMIRR +IN Test Configuration
      5. 7.3.5 Electrical Overstress
      6. 7.3.6 MUX-Friendly Inputs
    4. 7.4 Device Functional Modes
  8. 8 Application and Implementation
    1. 8.1 Application Information
      1. 8.1.1 Basic Noise Calculations
    2. 8.2 Typical Applications
      1. 8.2.1 High-Side Current Sensing
        1. 8.2.1.1 Design Requirements
        2. 8.2.1.2 Detailed Design Procedure
        3. 8.2.1.3 Application Curve
      2. 8.2.2 Bridge Amplifier
      3. 8.2.3 Low-Side Current Monitor
      4. 8.2.4 RTD Amplifier With Linearization
  9. 9 Power Supply Recommendations
  10. 10Layout
    1. 10.1 Layout Guidelines
    2. 10.2 Layout Example
  11. 11デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 11.1 デバイス・サポート
      1. 11.1.1 開発サポート
        1. 11.1.1.1 TINA-TI(無料のダウンロード・ソフトウェア)
        2. 11.1.1.2 TI Precision Designs
    2. 11.2 ドキュメントのサポート
      1. 11.2.1 関連資料
    3. 11.3 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    4. 11.4 コミュニティ・リソース
    5. 11.5 商標
    6. 11.6 静電気放電に関する注意事項
    7. 11.7 Glossary
  12. 12メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

6.4 Thermal Information

THERMAL METRIC(1) TLV2186 UNIT
D (SOIC)
8 PINS
RθJA Junction-to-ambient thermal resistance 129.4 °C/W
RθJC(top) Junction-to-case (top) thermal resistance 69.6 °C/W
RθJB Junction-to-board thermal resistance 72.8 °C/W
ΨJT Junction-to-top characterization parameter 20.8 °C/W
ΨJB Junction-to-board characterization parameter 72.0 °C/W
RθJC(bot) Junction-to-case (bottom) thermal resistance N/A °C/W
(1) For more information about traditional and new thermal metrics, see the Semiconductor and IC Package Thermal Metrics application report.