JAJSFF1E February   2019  – August 2021 TLV9101 , TLV9102 , TLV9104

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
  4. 4 改訂履歴
  5. 5 ピン構成および機能
  6. 6 仕様
    1. 6.1 絶対最大定格
    2. 6.2 ESD 定格
    3. 6.3 推奨動作条件
    4. 6.4 シングル・チャネルの熱に関する情報
    5. 6.5 デュアル・チャネルの熱に関する情報
    6. 6.6 クワッド・チャネルの熱に関する情報
    7. 6.7 電気的特性
    8. 6.8 代表的特性
  7. 7 詳細説明
    1. 7.1 概要
    2. 7.2 機能ブロック図
    3. 7.3 機能説明
      1. 7.3.1  EMI 除去
      2. 7.3.2  位相反転の防止
      3. 7.3.3  過熱保護動作
      4. 7.3.4  容量性負荷および安定度
      5. 7.3.5  同相電圧範囲
      6. 7.3.6  電気的オーバーストレス
      7. 7.3.7  過負荷からの回復
      8. 7.3.8  代表的な仕様と分布
      9. 7.3.9  露出サーマル・パッド付きパッケージ
      10. 7.3.10 シャットダウン
    4. 7.4 デバイスの機能モード
  8. 8 アプリケーションと実装
    1. 8.1 アプリケーション情報
    2. 8.2 代表的なアプリケーション
      1. 8.2.1 高電圧高精度コンパレータ
        1. 8.2.1.1 設計要件
        2. 8.2.1.2 詳細な設計手順
        3. 8.2.1.3 アプリケーション曲線
  9. 9 電源に関する推奨事項
  10. 10レイアウト
    1. 10.1 レイアウトのガイドライン
    2. 10.2 レイアウト例
  11. 11デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 11.1 デバイスのサポート
      1. 11.1.1 開発サポート
        1. 11.1.1.1 TINA-TI (無料のダウンロード・ソフトウェア)
    2. 11.2 ドキュメントのサポート
      1. 11.2.1 関連資料
    3. 11.3 Receiving Notification of Documentation Updates
    4. 11.4 サポート・リソース
    5. 11.5 商標
    6. 11.6 Electrostatic Discharge Caution
    7. 11.7 Glossary
  12. 12メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

7.3.4 容量性負荷および安定度

TLV910x は抵抗性の出力段を採用しており、中程度の容量性負荷を駆動できます。また、絶縁抵抗を活用することで、大きな容量性負荷を駆動するよう簡単に構成できます。ゲインを大きくするとアンプの能力が拡張され、より大きな抵抗性負荷を駆動できるようになります。図 7-4 および図 7-5 を参照してください。アンプが動作時に安定するかどうか判断するには、オペアンプの回路構成、レイアウト、ゲイン、出力負荷など、いくつかの要因を考慮します。

GUID-CBFAC27F-BFA0-42FA-8136-853984C57034-low.gif図 7-4 小信号オーバーシュートと容量性負荷との関係 (出力ステップ 100mV、G = 1)
GUID-5BE8A562-5E27-4CD8-8B34-544CF5B31D94-low.gif図 7-5 小信号オーバーシュートと容量性負荷との関係 (出力ステップ 100mV、G = -1)

ユニティ・ゲイン構成で駆動能力を高めるため、図 7-6 に示すように、小さな (10Ω から 20Ω) 抵抗 RISO を出力と直列に挿入し、容量性負荷の駆動能力を増やします。この抵抗は、リンギングを大幅に低減し、純粋な容量性負荷に対して DC 性能を維持します。ただし、容量性負荷と抵抗性負荷が並列に接続されている場合、分圧回路が生まれるため、出力にゲイン誤差が生じ、出力スイングがわずかに減少します。発生する誤差は RISO/RL の比に比例し、一般に低い出力レベルでは無視できます。TLV910x は容量性負荷の駆動能力が大きいため、リファレンス・バッファ、MOSFET ゲート・ドライブ、ケーブル・シールド・ドライブなどのアプリケーションに最適です。図 7-6 に示す回路は、絶縁抵抗 RISO を使用してオペアンプの出力を安定させます。RISO は、システムの開ループ・ゲインを変更して位相マージンを増やし。

GUID-3F8C8062-89BB-4C43-ACAE-7B84FC6FF0DF-low.gif図 7-6 TLV9101 により容量性負荷の駆動能力を拡張