JAJSPS2B January   2023  – November 2023 TMS320F2800152-Q1 , TMS320F2800153-Q1 , TMS320F2800154-Q1 , TMS320F2800155 , TMS320F2800155-Q1 , TMS320F2800156-Q1 , TMS320F2800157 , TMS320F2800157-Q1

PRODMIX  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
    1. 3.1 機能ブロック図
  5. 4 デバイスの比較
    1. 4.1 関連製品
  6. 5 ピン構成および機能
    1. 5.1 ピン配置図
    2. 5.2 ピン属性
    3. 5.3 信号の説明
      1. 5.3.1 アナログ信号
      2. 5.3.2 デジタル信号
      3. 5.3.3 電源およびグランド
      4. 5.3.4 テスト、JTAG、リセット
    4. 5.4 ピン多重化
      1. 5.4.1 GPIO 多重化ピン
        1. 5.4.1.1 GPIO 多重化ピン
      2. 5.4.2 ADC ピンのデジタル入力 (AIO)
      3. 5.4.3 ADC ピン上のデジタル入出力 (AGPIO)
      4. 5.4.4 GPIO 入力クロスバー
      5. 5.4.5 GPIO 出力クロスバーおよび ePWM クロスバー
    5. 5.5 内部プルアップおよびプルダウン付きのピン
    6. 5.6 未使用ピンの接続
  7. 6 仕様
    1. 6.1  絶対最大定格
    2. 6.2  ESD 定格 - 民生用
    3. 6.3  ESD 定格 - 車載用
    4. 6.4  推奨動作条件
    5. 6.5  消費電力の概略
      1. 6.5.1 システム消費電流 - VREG イネーブル - 内部電源
      2. 6.5.2 システム消費電流 - VREG ディセーブル - 外部電源
      3. 6.5.3 動作モード・テストの説明
      4. 6.5.4 消費電流のグラフ
      5. 6.5.5 消費電流の低減
        1. 6.5.5.1 ペリフェラル・ディセーブル時の標準的な電流低減
    6. 6.6  電気的特性
    7. 6.7  PN パッケージの熱抵抗特性
    8. 6.8  PM パッケージの熱抵抗特性
    9. 6.9  PHP パッケージの熱抵抗特性
    10. 6.10 RHB パッケージの熱抵抗特性
    11. 6.11 熱設計の検討事項
    12. 6.12 AEC-Q100 グレード 0 の熱設計に関する考慮事項
      1. 6.12.1 単純な周波数低減
      2. 6.12.2 動的な周波数低減
      3. 6.12.3 フラッシュの考慮事項
    13. 6.13 システム
      1. 6.13.1  パワー・マネージメント・モジュール (PMM)
        1. 6.13.1.1 概要
        2. 6.13.1.2 概要
          1. 6.13.1.2.1 電源レール監視
            1. 6.13.1.2.1.1 I/O POR (パワーオン・リセット) 監視
            2. 6.13.1.2.1.2 I/O BOR (ブラウンアウト・リセット) 監視
            3. 6.13.1.2.1.3 VDD POR (パワーオン・リセット) 監視
          2. 6.13.1.2.2 外部監視回路の使用
          3. 6.13.1.2.3 遅延ブロック
          4. 6.13.1.2.4 内部1.2V LDO 電圧レギュレータ (VREG)
          5. 6.13.1.2.5 VREGENZ
        3. 6.13.1.3 外付け部品
          1. 6.13.1.3.1 デカップリング・コンデンサ
            1. 6.13.1.3.1.1 VDDIO デカップリング
            2. 6.13.1.3.1.2 VDD デカップリング
        4. 6.13.1.4 電源シーケンス
          1. 6.13.1.4.1 電源ピンの一括接続
          2. 6.13.1.4.2 信号ピンの電源シーケンス
          3. 6.13.1.4.3 電源ピンの電源シーケンス
            1. 6.13.1.4.3.1 外部 VREG / VDD モード・シーケンス
            2. 6.13.1.4.3.2 内部 VREG/VDD モード・シーケンス
            3. 6.13.1.4.3.3 電源シーケンスの概要と違反の影響
            4. 6.13.1.4.3.4 電源スルーレート
        5. 6.13.1.5 推奨動作条件の PMM への適用
        6. 6.13.1.6 パワー・マネージメント・モジュールの電気的データおよびタイミング
          1. 6.13.1.6.1 パワー・マネージメント・モジュールの動作条件
          2. 6.13.1.6.2 パワー・マネージメント・モジュールの特性
      2. 6.13.2  リセット・タイミング
        1. 6.13.2.1 リセット・ソース
        2. 6.13.2.2 リセットの電気的データおよびタイミング
          1. 6.13.2.2.1 リセット - XRSn - タイミング要件
          2. 6.13.2.2.2 リセット - XRSn - スイッチング特性
          3. 6.13.2.2.3 リセットのタイミング図
      3. 6.13.3  クロック仕様
        1. 6.13.3.1 クロック・ソース
        2. 6.13.3.2 クロック周波数、要件、および特性
          1. 6.13.3.2.1 入力クロック周波数およびタイミング要件、PLL ロック時間
            1. 6.13.3.2.1.1 入力クロック周波数
            2. 6.13.3.2.1.2 XTAL 発振器の特性
            3. 6.13.3.2.1.3 水晶振動子ではない外部のクロック・ソース使用時の X1 入力レベルの特性
            4. 6.13.3.2.1.4 X1 のタイミング要件
            5. 6.13.3.2.1.5 AUXCLKIN のタイミング要件
            6. 6.13.3.2.1.6 APLL 特性
            7. 6.13.3.2.1.7 XCLKOUT のスイッチング特性 - PLL バイパスまたはイネーブル
            8. 6.13.3.2.1.8 内部クロック周波数
        3. 6.13.3.3 入力クロックおよび PLL
        4. 6.13.3.4 XTAL 発振器
          1. 6.13.3.4.1 概要
          2. 6.13.3.4.2 概要
            1. 6.13.3.4.2.1 電気発振回路
              1. 6.13.3.4.2.1.1 動作モード
                1. 6.13.3.4.2.1.1.1 水晶動作モード
                2. 6.13.3.4.2.1.1.2 シングルエンド動作モード
              2. 6.13.3.4.2.1.2 XCLKOUT での XTAL 出力
            2. 6.13.3.4.2.2 水晶振動子
            3. 6.13.3.4.2.3 GPIO 動作モード
          3. 6.13.3.4.3 機能動作
            1. 6.13.3.4.3.1 ESR – 等価直列抵抗
            2. 6.13.3.4.3.2 Rneg – 負性抵抗
            3. 6.13.3.4.3.3 起動時間
              1. 6.13.3.4.3.3.1 X1 / X2 事前条件
            4. 6.13.3.4.3.4 DL – 励振レベル
          4. 6.13.3.4.4 水晶振動子の選択方法
          5. 6.13.3.4.5 テスト
          6. 6.13.3.4.6 一般的な問題とデバッグのヒント
          7. 6.13.3.4.7 水晶発振回路の仕様
            1. 6.13.3.4.7.1 水晶発振器の電気的特性
            2. 6.13.3.4.7.2 水晶振動子の等価直列抵抗 (ESR) 要件
            3. 6.13.3.4.7.3 水晶発振器のパラメータ
            4. 6.13.3.4.7.4 水晶発振器の電気的特性
        5. 6.13.3.5 内部発振器
          1. 6.13.3.5.1 INTOSC の特性
          2. 6.13.3.5.2 外部高精度抵抗 (ExtR) を使用した場合の INTOSC2
      4. 6.13.4  フラッシュ・パラメータ
        1. 6.13.4.1 フラッシュ・パラメータ 
      5. 6.13.5  RAM の仕様
      6. 6.13.6  ROM の仕様
      7. 6.13.7  エミュレーション / JTAG
        1. 6.13.7.1 JTAG の電気的データおよびタイミング
          1. 6.13.7.1.1 JTAG のタイミング要件
          2. 6.13.7.1.2 JTAG のスイッチング特性
          3. 6.13.7.1.3 JTAG のタイミング図
        2. 6.13.7.2 cJTAG の電気的データおよびタイミング
          1. 6.13.7.2.1 cJTAG のタイミング要件
          2. 6.13.7.2.2 cJTAG のスイッチング特性
          3. 6.13.7.2.3 cJTAG のタイミング図
      8. 6.13.8  GPIO の電気的データおよびタイミング
        1. 6.13.8.1 GPIO - 出力タイミング
          1. 6.13.8.1.1 汎用出力のスイッチング特性
          2. 6.13.8.1.2 汎用出力のタイミング図
        2. 6.13.8.2 GPIO - 入力タイミング
          1. 6.13.8.2.1 汎用入力のタイミング要件
          2. 6.13.8.2.2 サンプリング・モード
        3. 6.13.8.3 入力信号のサンプリング・ウィンドウ幅
      9. 6.13.9  割り込み
        1. 6.13.9.1 外部割り込み (XINT) の電気的データおよびタイミング
          1. 6.13.9.1.1 外部割り込みのタイミング要件
          2. 6.13.9.1.2 外部割り込みのスイッチング特性
          3. 6.13.9.1.3 外部割り込みのタイミング
      10. 6.13.10 低消費電力モード
        1. 6.13.10.1 クロック・ゲーティング低消費電力モード
        2. 6.13.10.2 低消費電力モードのウェークアップ・タイミング
          1. 6.13.10.2.1 IDLE モードのタイミング要件
          2. 6.13.10.2.2 IDLE モードのスイッチング特性
          3. 6.13.10.2.3 IDLE 開始および終了タイミング図
          4. 6.13.10.2.4 STANDBY モードのタイミング要件
          5. 6.13.10.2.5 STANDBY モードのスイッチング特性
          6. 6.13.10.2.6 STANDBY の開始 / 終了タイミング図
          7. 6.13.10.2.7 HALT モードのタイミング要件
          8. 6.13.10.2.8 HALT モードのスイッチング特性
          9. 6.13.10.2.9 HALT 開始および終了タイミング図
    14. 6.14 アナログ・ペリフェラル
      1. 6.14.1 アナログ・ピンと内部接続
      2. 6.14.2 アナログ信号の説明
      3. 6.14.3 A/D コンバータ (ADC)
        1. 6.14.3.1 ADC の構成可能性
          1. 6.14.3.1.1 信号モード
        2. 6.14.3.2 ADC の電気的データおよびタイミング
          1. 6.14.3.2.1 ADC の動作条件
          2. 6.14.3.2.2 ADC 特性
          3. 6.14.3.2.3 ピンごとの ADC 性能
          4. 6.14.3.2.4 ADC 入力モデル
          5. 6.14.3.2.5 ADC のタイミング図
      4. 6.14.4 温度センサ
        1. 6.14.4.1 温度センサの電気的データおよびタイミング
          1. 6.14.4.1.1 温度センサの特性
      5. 6.14.5 コンパレータ・サブシステム (CMPSS)
        1. 6.14.5.1 CMPSS モジュールのバリエーション
        2. 6.14.5.2 CMPx_DACL
        3. 6.14.5.3 CMPSS 接続図
        4. 6.14.5.4 ブロック図
        5. 6.14.5.5 CMPSS の電気的データおよびタイミング
          1. 6.14.5.5.1 CMPSS コンパレータの電気的特性
          2. 6.14.5.5.2 CMPSS_LITE コンパレータの電気的特性
          3.        CMPSS コンパレータの入力換算オフセットとヒステリシス
          4. 6.14.5.5.3 CMPSS DAC の静的電気特性
          5. 6.14.5.5.4 CMPSS_LITE DAC の静的電気特性
          6. 6.14.5.5.5 CMPSS の説明用グラフ
          7. 6.14.5.5.6 CMPSS DAC の動的誤差
          8. 6.14.5.5.7 CMPx_DACL のバッファ付き出力の動作条件
          9. 6.14.5.5.8 CMPx_DACL のバッファ付き出力の電気的特性
    15. 6.15 制御ペリフェラル
      1. 6.15.1 拡張パルス幅変調器 (ePWM)
        1. 6.15.1.1 制御ペリフェラルの同期
        2. 6.15.1.2 ePWM の電気的データおよびタイミング
          1. 6.15.1.2.1 ePWM のタイミング要件
          2. 6.15.1.2.2 ePWM のスイッチング特性
          3. 6.15.1.2.3 トリップ・ゾーン入力のタイミング
            1. 6.15.1.2.3.1 トリップ・ゾーン入力のタイミング要件
            2. 6.15.1.2.3.2 PWM ハイ・インピーダンス特性のタイミング図
      2. 6.15.2 高分解能パルス幅変調器 (HRPWM)
        1. 6.15.2.1 HRPWM の電気的データおよびタイミング
          1. 6.15.2.1.1 高分解能 PWM の特性
      3. 6.15.3 外部 ADC 変換開始の電気的データおよびタイミング
        1. 6.15.3.1 外部 ADC 変換開始のスイッチング特性
        2. 6.15.3.2 ADCSOCAO または ADCSOCBO のタイミング図
      4. 6.15.4 拡張キャプチャ (eCAP)
        1. 6.15.4.1 eCAP のブロック図
        2. 6.15.4.2 eCAP の同期
        3. 6.15.4.3 eCAP の電気的データおよびタイミング
          1. 6.15.4.3.1 eCAP のタイミング要件
          2. 6.15.4.3.2 eCAP のスイッチング特性
      5. 6.15.5 拡張直交エンコーダ・パルス (eQEP)
        1. 6.15.5.1 eQEP の電気的データおよびタイミング
          1. 6.15.5.1.1 eQEP のタイミング要件
          2. 6.15.5.1.2 eQEP のスイッチング特性
    16. 6.16 通信ペリフェラル
      1. 6.16.1 CAN (Controller Area Network)
      2. 6.16.2 モジュラー・コントローラ・エリア・ネットワーク (MCAN)
      3. 6.16.3 I2C (Inter-Integrated Circuit)
        1. 6.16.3.1 I2C の電気的データおよびタイミング
          1. 6.16.3.1.1 I2C のタイミング要件
          2. 6.16.3.1.2 I2C のスイッチング特性
          3. 6.16.3.1.3 I2C のタイミング図
      4. 6.16.4 PMBus (Power-Management Bus) インターフェイス
        1. 6.16.4.1 PMBus の電気的データおよびタイミング
          1. 6.16.4.1.1 PMBus の電気的特性
          2. 6.16.4.1.2 PMBus ファスト・モードのスイッチング特性
          3. 6.16.4.1.3 PMBus スタンダード・モードのスイッチング特性
      5. 6.16.5 シリアル通信インターフェイス (SCI)
      6. 6.16.6 シリアル・ペリフェラル・インターフェイス (SPI)
        1. 6.16.6.1 SPI マスタ・モードのタイミング
          1. 6.16.6.1.1 SPI マスタ・モードのタイミング要件
          2. 6.16.6.1.2 SPI マスタ・モードのスイッチング特性 - クロック位相 0
          3. 6.16.6.1.3 SPI マスタ・モードのスイッチング特性 - クロック位相 1
          4. 6.16.6.1.4 SPI マスタ・モードのタイミング図
        2. 6.16.6.2 SPI スレーブ・モードのタイミング
          1. 6.16.6.2.1 SPI スレーブ・モードのタイミング要件
          2. 6.16.6.2.2 SPI スレーブ・モードのスイッチング特性
          3. 6.16.6.2.3 SPI スレーブ・モードのタイミング図
      7. 6.16.7 LIN (Local Interconnect Network)
  8. 7 詳細説明
    1. 7.1  概要
    2. 7.2  機能ブロック図
    3. 7.3  メモリ
      1. 7.3.1 メモリ・マップ
        1. 7.3.1.1 専用 RAM (Mx RAM)
        2. 7.3.1.2 ローカル共有 RAM (LSx RAM)
      2. 7.3.2 フラッシュ・メモリ・マップ
      3. 7.3.3 ペリフェラル・レジスタのメモリ・マップ
    4. 7.4  識別
    5. 7.5  C28x プロセッサ
      1. 7.5.1 浮動小数点演算ユニット (FPU)
      2. 7.5.2 三角関数演算ユニット (TMU)
      3. 7.5.3 VCRC ユニット
      4. 7.5.4 ロックステップ比較モジュール (LCM)
    6. 7.6  デバイス・ブート・モード
      1. 7.6.1 デバイス・ブートの構成
        1. 7.6.1.1 ブート・モード・ピンの構成
        2. 7.6.1.2 ブート・モード・テーブル・オプションの設定
      2. 7.6.2 GPIO の割り当て
    7. 7.7  セキュリティ
      1. 7.7.1 チップの境界の保護
        1. 7.7.1.1 JTAGLOCK
        2. 7.7.1.2 ゼロピン・ブート
      2. 7.7.2 デュアル ゾーン セキュリティ
      3. 7.7.3 免責事項
    8. 7.8  ウォッチドッグ
    9. 7.9  C28x タイマ
    10. 7.10 デュアル・クロック・コンパレータ (DCC)
      1. 7.10.1 特長
      2. 7.10.2 DCCx クロック・ソース入力のマッピング
    11. 7.11 機能安全
  9. 8 アプリケーション、実装、およびレイアウト
    1. 8.1 アプリケーションと実装
    2. 8.2 デバイスの主な特長
    3. 8.3 アプリケーション情報
      1. 8.3.1 代表的なアプリケーション
        1. 8.3.1.1 オンボード充電器 (OBC)
          1. 8.3.1.1.1 システム・ブロック図
          2. 8.3.1.1.2 OBC の技術関連資料
        2. 8.3.1.2 車載用ポンプ
          1. 8.3.1.2.1 システム・ブロック図
          2. 8.3.1.2.2 車載用ポンプの技術関連資料
        3. 8.3.1.3 正温度係数 (PTC) ヒーター
          1. 8.3.1.3.1 システム・ブロック図
          2. 8.3.1.3.2 PTC の技術関連資料
        4. 8.3.1.4 車載用 HVAC コンプレッサ
          1. 8.3.1.4.1 システム・ブロック図
          2. 8.3.1.4.2 車載用 HVAC コンプレッサの技術関連資料
        5. 8.3.1.5 単相ライン・インタラクティブ無停電電源 (UPS)
          1. 8.3.1.5.1 システム・ブロック図
          2. 8.3.1.5.2 単相ライン・インタラクティブ UPS の技術関連資料
        6. 8.3.1.6 AC ドライブ電力段モジュール
          1. 8.3.1.6.1 システム・ブロック図
          2. 8.3.1.6.2 AC ドライブ電力段モジュールの技術関連資料
        7. 8.3.1.7 サーバー / テレコム電源ユニット (PSU)
          1. 8.3.1.7.1 システム・ブロック図
          2. 8.3.1.7.2 サーバー / テレコム PSU のリソース
  10. 9 デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 9.1 使い始めと次の手順
    2. 9.2 デバイス命名規則
    3. 9.3 マーキング
    4. 9.4 ツールとソフトウェア
    5. 9.5 ドキュメントのサポート
    6. 9.6 サポート・リソース
    7. 9.7 商標
    8. 9.8 静電気放電に関する注意事項
    9. 9.9 用語集
  11. 10改訂履歴
  12. 11メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
  • RHB|32
  • PHP|48
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

6.5.1 システム消費電流 - VREG イネーブル - 内部電源

推奨動作条件範囲内 (特に記述のない限り)
標準値：Vnom、温度は TJ
パラメータ テスト条件 最小値 標準値 最大値 単位
動作モード
IDDIO 動作時の VDDIO 消費電流 これは、標準的な大負荷アプリケーションにおける電流の推定値です。実際の電流は、システムの動作、I/O の電気的負荷、およびスイッチング周波数によって異なります。これには、内部 Vreg が有効な場合のコア電源電流が含まれます。

- CPU は RAM から実行中
- フラッシュに電源を供給
- X1/X2 水晶振動子に電源を供給
- PLL 有効、SYSCLK = デバイスの最大周波数
- アナログ モジュールに電源を供給
- DC 負荷なしで出力は安定
- 入力は High または Low で安定
 		 30℃ 52 mA
85℃ 59.3 mA
125℃ 71.22 mA
143℃(3) 77.1 mA
155℃(4)(5) 44.1 mA
IDDA 動作時の VDDA 消費電流 30℃ 1.6 mA
85℃ 2 mA
125℃ 2.5 mA
143℃(3) 2.5 mA
155℃(4)(5) 2.6 mA
IDLE モード
IDDIO デバイスが IDLE モードのときの VDDIO 消費電流 - CPU は IDLE モード
- フラッシュへの電源供給なし
- PLL 有効、SYSCLK = デバイスの最大周波数、CPUCLK はゲート
- X1/X2 水晶振動子に電源を供給
- アナログ・モジュールへの電源供給なし
- DC 負荷なしで出力は安定
- 入力は High または Low で安定		 30℃ 19.3 mA
85℃ 24 mA
125℃ 37.22 mA
134℃(3) 39.8 mA
155℃(4) 45.1 mA
IDDA デバイスが IDLE モードのときの VDDA 消費電流 30℃ 0.01 mA
85℃ 0.1 mA
125℃ 0.1 mA
134℃(3) 0.1 mA
155℃(4) 0.1 mA
STANDBY モード (PLL 有効)
IDDIO デバイスが STANDBY モードのときの VDDIO 消費電流 - CPU は STANDBY モード
- フラッシュへの電源供給なし
- PLL 有効、SYSCLK および CPUCLK はゲート
- X1/X2 水晶振動子への電源供給なし
- アナログ・モジュールへの電源供給なし
- DC 負荷なしで出力は安定
- 入力は High または Low で安定		 30℃ 7.6 mA
85℃ 11.8 mA
125℃ 23.82 mA
131℃(3) 25.5 mA
154℃(4) 31.8 mA
IDDA デバイスが STANDBY モードのときの VDDA 消費電流 30℃ 0.01 mA
85℃ 0.1 mA
125℃ 0.1 mA
131℃(3) 0.1 mA
154℃(4) 0.1 mA
STANDBY モード (PLL 無効)
IDDIO デバイスが STANDBY モードのときの VDDIO 消費電流 - CPU は STANDBY モード
- フラッシュへの電源供給なし
- PLL 無効、SYSCLK および CPUCLK はゲート
- X1/X2 水晶振動子への電源供給なし
- アナログ・モジュールへの電源供給なし
- DC 負荷なしで出力は安定
- 入力は High または Low で安定		 30℃ 5.8 mA
85℃ 10 mA
125℃ 22.92 mA
131℃(3) 24.5 mA
154℃(4) 29.7 mA
IDDA デバイスが STANDBY モードのときの VDDA 消費電流 30℃ 0.01 mA
85℃ 0.1 mA
125℃ 0.1 mA
131℃(3) 0.1 mA
154℃(4) 0.1 mA
HALT モード
IDDIO デバイスが HALT モードのときの VDDIO 消費電流 - CPU は HALT モード
- フラッシュへの電源供給なし
- PLL 無効、SYSCLK および CPUCLK はゲート
- X1/X2 水晶振動子への電源供給なし
- アナログ・モジュールへの電源供給なし
- DC 負荷なしで出力は安定
- 入力は High または Low で安定		 30℃ 5.3 mA
85℃ 9.5 mA
125℃ 22.52 mA
131℃(3) 24.1 mA
154℃(4) 29.2 mA
IDDA デバイスが HALT モードのときの VDDA 消費電流 30℃ 0.01 mA
85℃ 0.1 mA
125℃ 0.1 mA
131℃(3) 0.1 mA
154℃(4) 0.1 mA
フラッシュ消去 / プログラム
IDDIO 消去 / プログラム・サイクル中の VDDIO 消費電流(1) - CPU は RAM から実行中
- フラッシュに対し連続的なプログラム / 消去操作を実行
- PLL 有効、SYSCLK = デバイスの最大周波数
- ペリフェラル・クロックはオフ
- X1 / X2 水晶振動子への電源供給あり
- アナログへの電源供給なし
- 出力は DC 負荷なしで安定
- 入力は High または Low で安定
 

 		 65(6) 90(6) mA
IDDA 消去 / プログラム・サイクル中の VDDA 消費電流 0.1 2.6 mA
リセット・モード
IDDIO リセットがアクティブのときの VDDIO 消費電流(2)

 

 		 30℃ 7 mA
85℃ 10.7 mA
125℃ 17 mA
129℃(3) 17.8 mA
153℃(4) 24.3 mA
IDDA リセットがアクティブのときの VDDA 消費電流(2) 30℃ 0.01 mA
85℃ 0.01 mA
125℃ 0.01 mA
129℃(3) 0.01 mA
153℃(4) 0.01 mA
(1) フラッシュ・プログラミング中に発生したブラウンアウト・イベントは、フラッシュ・データを破壊し、デバイスを永続的にロックする可能性があります。代替電源 (USB プログラマなど) を使用するプログラミング環境では、電源のブラウンアウト状態を回避するために、十分なマージンを確保して、デバイスおよび他のシステム・コンポーネントに定格電流を供給できるようにする必要があります。
(2) これは、リセットがアクティブ (XRSn が Low) の場合の消費電流です。
(3) この温度は、与えられた電流で TA が 125℃ (AEC-Q100 グレード 1) のときの TJ です。消費電流によるデバイスの自己発熱により、TJ は TA を上回ります。この TJ はすべてのパッケージに適用されます。消費電流による自己発熱の計算に使用する値については、各パッケージの「熱抵抗特性」セクションを参照してください。
(4) この温度は、与えられた電流で TA が 150 ℃ (AEC-Q100 グレード 0) のときの TJ です。消費電流によるデバイスの自己発熱により、TJ は TA を上回ります。この TJ は 48PHP パッケージに適用されます。消費電流による自己発熱の計算に使用する値については、各パッケージの「熱抵抗特性」セクションを参照してください。
(5) デバイスの TJ の最大値の仕様を超えないようにデバイスの SYSCLK 周波数を 60MHz に低減。詳細については、「AEC-Q100 グレード 0 の熱設計に関する考慮事項」セクションを参照してください。
(6) 連続的な消去 / プログラム・パルスは、TJ の最大値を超えるため、回避する必要があります。単一のセクタのプログラミングと消去であれば、TJ の最大値を超える熱上昇は発生せず、すべての温度で実行できます。供給される電流は、ピークの消去/プログラム・パルス電流です。AEC-Q100 グレード 0 の温度範囲を使用する場合、デバイスの消費電力は約 169mW (連続) を超えてはなりません。そうしないと、TJ の最大値の仕様を超えます。TJ の最大値を超えないようにするため、消去 / プログラム・フラッシュ・パルス間の時間を長くすることで、消費される平均フラッシュ電流を低減できます。これにより、消去 / プログラム・パルスで温度が上昇した後にデバイスを周囲温度まで冷却する時間が得られるため、デバイス全体の自己発熱が低減されます。