JAJSE04G January 2017 – January 2023 TMS320F280040-Q1 , TMS320F280040C-Q1 , TMS320F280041 , TMS320F280041-Q1 , TMS320F280041C , TMS320F280041C-Q1 , TMS320F280045 , TMS320F280048-Q1 , TMS320F280048C-Q1 , TMS320F280049 , TMS320F280049-Q1 , TMS320F280049C , TMS320F280049C-Q1
PRODUCTION DATA
パラメータ | テスト条件 | 最小値 | 標準値 | 最大値 | 単位 | |
---|---|---|---|---|---|---|
全般 | ||||||
CVDDIO | VDDIO のバルク容量 | 外部電源 IC の要件によります(1) | 0.1 | µF | ||
CVDDIO_DECAP | 各 VDDIO ピンのデカップリング・コンデンサ | 0.1 | µF | |||
CVDDA | VDDA ピンのコンデンサ | 2.2 | μF | |||
CVDDIO_SW | VDDIO_SW ピンのコンデンサ | DC-DC 動作の場合(2) | 20 | µF | ||
LDO のみ動作の場合 | 0.1 | |||||
CVDD | VDD のバルク容量 | DC-DC 動作の場合(2) | 20 | µF | ||
LDO のみ動作の場合(3) | 12 | 20 | 27 | |||
CVDD_DECAP | 各 VDD ピンのデカップリング・コンデンサ | DC-DC 動作の場合(2) | 0.1 | µF | ||
LDO のみ動作の場合(3) | 0.1 | 6.75 | ||||
LVSW | VSW ピンと VDD ノードの間の DC-DC 用インダクタ | 2.2 | μH | |||
RLVSW-DCR | LVSW に許容される DCR | 80 | mΩ | |||
ISAT-LVSW | LVSW 飽和電流 | 600 | mA | |||
SRVDDIO-UP(5) | 3.3V レールの電源上昇速度 (VDDIO) | 8 | 100 | mV/μs | ||
SRVDDIO-DN(5) | 3.3V レールの電源下降速度 (VDDIO) | 20 | 100 | mV/μs | ||
外部 VREG | ||||||
合計 CVDD(4)(6) | 合計 VDD 容量(8) | 10 | μF | |||
SRVDD-UP(5) | 1.2V レールの電源上昇速度 (VDD) | 3.5 | 100 | mV/μs | ||
SRVDD-DN(5) | 1.2V レールの電源下降速度 (VDD) | 10 | 100 | mV/μs | ||
VDDIO - VDD 遅延(7) | VDDIO と VDD の間の上昇下降遅延 | 0 | 制限なし | µs |