JAJSE04G January 2017 – January 2023 TMS320F280040-Q1 , TMS320F280040C-Q1 , TMS320F280041 , TMS320F280041-Q1 , TMS320F280041C , TMS320F280041C-Q1 , TMS320F280045 , TMS320F280048-Q1 , TMS320F280048C-Q1 , TMS320F280049 , TMS320F280049-Q1 , TMS320F280049C , TMS320F280049C-Q1
PRODUCTION DATA
表 7-9 に、異なるクロック・ソースおよび周波数で必要な最小のフラッシュ・ウェイト状態を示します。
CPUCLK (MHz) | フラッシュの読み取り、実行、プログラム、または消去 | LPMでのフラッシュ・バンク / ポンプ、または LPM への移行 / 復帰 アクティブ→スリープ→アクティブまたは アクティブ→スタンバイ→アクティブ |
---|---|---|
80 < CPUCLK ≤ 100 | 4 | 5 |
60 < CPUCLK ≤ 80 | 3 | 4 |
40 < CPUCLK ≤ 60 | 2 | 3 |
20 < CPUCLK ≤ 40 | 1 | 2 |
10 < CPUCLK ≤ 20 | 0 | 1 |
CPUCLK ≤ 10 | 0 | 0 |
F28004x デバイスには、改善された 128 ビットのプリフェッチ・バッファがあり、さまざまなウェイト状態にわたってフラッシュ・コードの高い実行効率を実現します。図 7-24 および 図 7-25 に、64 ビットのプリフェッチ・バッファを搭載した前世代のデバイスと比較した場合の、さまざまなウェイト状態設定での標準的な効率を示します。プリフェッチ・バッファを使用したウェイト状態の実行効率は、アプリケーション・ソフトウェアに存在する分岐の数によって異なります。線形コードと IF-THEN-ELSE コードの 2 つの例を示しています。
表 7-10 に、フラッシュ・パラメータを示します。
パラメータ | 最小値 | 標準値 | 最大値 | 単位 | |
---|---|---|---|---|---|
プログラム時間(1) | 128 データ・ビット + 16 ECC ビット | 150 | 300 | μs | |
8KB セクタ | 50 | 100 | ms | ||
消去時間(2) (25 W/E サイクル未満) | 8KB セクタ | 15 | 100 | ms | |
消去時間(2) (1000 W/E サイクル) | 8KB セクタ | 25 | 350 | ms | |
消去時間(2) (2000 W/E サイクル) | 8KB セクタ | 30 | 600 | ms | |
消去時間(2) (20K W/E サイクル) | 8KB セクタ | 120 | 4000 | ms | |
Nwec 書き込み / 消去サイクル (1 セクタごと) | 20000 | サイクル | |||
Nwec 書き込み / 消去サイクル (フラッシュ全体、すべてのセクタを結合)(3) | 100000 | サイクル | |||
tretention データ保持期間 (TJ = 85oC) | 20 | 年 |
メイン・アレイのフラッシュ・プログラミングは、64 ビットのアドレス境界に合わせて整列させる必要があり、それぞれの 64 ビット・ワードは、書き込み / 消去サイクルごとに 1 回のみプログラムされます。
DCSM OTP のプログラミングは、128 ビットのアドレス境界に合わせて整列させる必要があり、それぞれの 128 ビット・ワードは、1 回のみプログラムされます。例外は以下に示すとおりです。