JAJSHI8B June   2019  – February 2024 TMUX1136

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 ピン構成および機能
  6. 5 仕様
    1. 5.1 絶対最大定格
    2. 5.2 ESD 定格
    3. 5.3 推奨動作条件
    4. 5.4 熱に関する情報
    5. 5.5 電気的特性 (VDD = 5V ±10%)
    6. 5.6 電気的特性 (VDD = 3.3V ±10%)
    7. 5.7 電気的特性 (VDD = 1.8V ±10%)
    8. 5.8 電気的特性 (VDD = 1.2V ±10%)
    9.     代表的特性
  7. 6 パラメータ測定情報
    1. 6.1 オン抵抗
    2. 6.2 オフ リーク電流
    3. 6.3 オン リーク電流
    4. 6.4 遷移時間
    5. 6.5 ブレイク ビフォー メイク
    6. 6.6 チャージ インジェクション
    7. 6.7 オフ絶縁
    8. 6.8 クロストーク
    9. 6.9 帯域幅
  8. 7 詳細説明
    1. 7.1 機能ブロック図
    2. 7.2 機能説明
      1. 7.2.1 双方向動作
      2. 7.2.2 レール ツー レールの動作
      3. 7.2.3 1.8V ロジック互換入力
      4. 7.2.4 フェイルセーフ ロジック
      5. 7.2.5 超低リーク電流
      6. 7.2.6 超低電荷注入
    3. 7.3 デバイスの機能モード
      1. 7.3.1 真理値表
  9. 8 アプリケーションと実装
    1. 8.1 アプリケーション情報
    2. 8.2 代表的なアプリケーション
      1. 8.2.1 設計要件
      2. 8.2.2 詳細な設計手順
      3. 8.2.3 アプリケーション曲線
    3. 8.3 電源に関する推奨事項
    4. 8.4 レイアウト
      1. 8.4.1 レイアウトのガイドライン
      2. 8.4.2 レイアウト例
  10. 9 デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 9.1 ドキュメントのサポート
      1. 9.1.1 関連資料
    2. 9.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 9.3 サポート・リソース
    4. 9.4 商標
    5. 9.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 9.6 用語集
  11. 10改訂履歴
  12. 11メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

5.7 電気的特性 (VDD = 1.8V ±10%)

TA = 25℃、VDD = 1.8V (特に記述のない限り)
パラメータテスト条件TA最小値標準値最大値単位
アナログ スイッチ
RONオン抵抗VS = 0V～VDD
ISD = 10mA
セクション 6.1 を参照		25℃40Ω
–40℃～+85℃80Ω
–40℃～+125℃80Ω
ΔRONチャネル間のオン抵抗の整合VS = 0V～VDD
ISD = 10mA
セクション 6.1 を参照		25℃0.4Ω
–40℃～+85℃1.5Ω
–40℃～+125℃1.5Ω
IS(OFF)ソース オフ リーク電流(1)VDD = 1.98V
スイッチ オフ
VD = 1.62V/1V
VS = 1V/1.62V
セクション 6.2 を参照		25℃-0.05±0.0030.05nA
–40℃～+85℃-0.10.1nA
–40℃～+125℃-0.50.5nA
ID(ON)
IS(ON)		チャネル オン リーク電流VDD = 1.98V
スイッチ オン
VD = VS = 1.62V/1V
セクション 6.3 を参照		25℃-0.1±0.0050.1nA
–40℃～+85℃-0.50.5nA
–40℃～+125℃-22nA
ロジック入力 (SELx)
VIH入力ロジック High-40℃～+125℃1.075.5V
VIL入力ロジック Low–40℃～+125℃00.68V
IIH
IIL		入力リーク電流25℃ ±0.005 μA
IIH
IIL		入力リーク電流–40℃～+125℃  ±0.05μA
CINロジック入力容量25℃ 1pF
CINロジック入力容量–40℃～+125℃ 2pF
電源
IDDVDD の電源電流ロジック入力 = 0V または 5.5V25℃0.001 μA
–40℃～+125℃ 0.85μA
ダイナミック特性
tTRANチャネル間の遷移時間VS = 1V
RL = 200Ω、CL = 15pF
セクション 6.4 を参照		25℃ 28ns
–40℃～+85℃ 44ns
–40℃～+125℃  44ns
tOPEN (BBM)ブレイク ビフォー メイク時間VS = 1V
RL = 200Ω、CL = 15pF
セクション 6.5 を参照		25℃ 16ns
–40℃～+85℃1  ns
–40℃～+125℃1  ns
QCチャージ インジェクションVD = 1V
RS = 0Ω、CL = 1nF
セクション 6.6 を参照		25℃ -3 pC
OISOオフ アイソレーションRL = 50Ω、CL = 5pF
f = 1MHz
セクション 6.7 を参照		25℃ –65 dB
RL = 50Ω、CL = 5pF
f = 10MHz
セクション 6.7 を参照		25℃ –45 dB
XTALKクロストークRL = 50Ω、CL = 5pF
f = 1MHz
セクション 6.8 を参照		25℃ -100 dB
RL = 50Ω、CL = 5pF
f = 10MHz
セクション 6.8 を参照		25℃ -80 dB
BW帯域幅RL = 50Ω、CL = 5pF25℃ 220 MHz
CSOFFソース オフ容量f = 1MHz25℃ 6 pF
CSON
CDON		オン容量f = 1MHz25℃ 20 pF
(1) VS が 1.62V の場合、VDは 1V、または VS が 1V の場合、VD は 1.62V です。