JAJSHI8B June   2019  – February 2024 TMUX1136

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 ピン構成および機能
  6. 5 仕様
    1. 5.1 絶対最大定格
    2. 5.2 ESD 定格
    3. 5.3 推奨動作条件
    4. 5.4 熱に関する情報
    5. 5.5 電気的特性 (VDD = 5V ±10%)
    6. 5.6 電気的特性 (VDD = 3.3V ±10%)
    7. 5.7 電気的特性 (VDD = 1.8V ±10%)
    8. 5.8 電気的特性 (VDD = 1.2V ±10%)
    9.     代表的特性
  7. 6 パラメータ測定情報
    1. 6.1 オン抵抗
    2. 6.2 オフ リーク電流
    3. 6.3 オン リーク電流
    4. 6.4 遷移時間
    5. 6.5 ブレイク ビフォー メイク
    6. 6.6 チャージ インジェクション
    7. 6.7 オフ絶縁
    8. 6.8 クロストーク
    9. 6.9 帯域幅
  8. 7 詳細説明
    1. 7.1 機能ブロック図
    2. 7.2 機能説明
      1. 7.2.1 双方向動作
      2. 7.2.2 レール ツー レールの動作
      3. 7.2.3 1.8V ロジック互換入力
      4. 7.2.4 フェイルセーフ ロジック
      5. 7.2.5 超低リーク電流
      6. 7.2.6 超低電荷注入
    3. 7.3 デバイスの機能モード
      1. 7.3.1 真理値表
  9. 8 アプリケーションと実装
    1. 8.1 アプリケーション情報
    2. 8.2 代表的なアプリケーション
      1. 8.2.1 設計要件
      2. 8.2.2 詳細な設計手順
      3. 8.2.3 アプリケーション曲線
    3. 8.3 電源に関する推奨事項
    4. 8.4 レイアウト
      1. 8.4.1 レイアウトのガイドライン
      2. 8.4.2 レイアウト例
  10. 9 デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 9.1 ドキュメントのサポート
      1. 9.1.1 関連資料
    2. 9.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 9.3 サポート・リソース
    4. 9.4 商標
    5. 9.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 9.6 用語集
  11. 10改訂履歴
  12. 11メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

6.6 チャージ インジェクション

TMUX1136 は送信ゲート トポロジを採用しています。NMOS トランジスタと PMOS トランジスタの間で容量の不一致がある場合、ゲート信号の立ち下がりエッジまたは立ち上がりエッジにおいて、ドレインまたはソースに電荷が注入されます。デバイスのソースまたはドレインに注入される電荷の量を電荷注入と呼び、QC という記号で表します。図 6-6 に、ドレイン (Dx) から ソース (Sx) に向けた電荷注入の測定に使用する設定を示します。

GUID-84677E83-7967-4B1F-A36C-BE93BEC47EA1-low.gif図 6-6 電荷注入測定時の設定