JAJSKN4B November   2020  – September 2021 TPS25858-Q1 , TPS25859-Q1

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
  4. 4 改訂履歴
  5. 5 概要 (続き)
  6. 6 デバイス比較表
  7. 7 ピン構成および機能
  8. 8 仕様
    1. 8.1 絶対最大定格
    2. 8.2 ESD 定格
    3. 8.3 推奨動作条件
    4. 8.4 熱に関する情報
    5. 8.5 電気的特性
    6. 8.6 タイミング要件
    7. 8.7 スイッチング特性
    8. 8.8 代表的特性
  9. 9 パラメータ測定情報
  10. 10詳細説明
    1. 10.1 概要
    2. 10.2 機能ブロック図
    3. 10.3 機能説明
      1. 10.3.1  パワーダウンまたは低電圧誤動作防止
      2. 10.3.2  入力過電圧保護 (OVP) - 連続監視
      3. 10.3.3  降圧コンバータ
      4. 10.3.4  FREQ/SYNC
      5. 10.3.5  ブートストラップ電圧 (BOOT)
      6. 10.3.6  最小オン時間、最小オフ時間
      7. 10.3.7  内部補償
      8. 10.3.8  選択可能な出力電圧 (VSET)
      9. 10.3.9  電流制限と短絡保護回路
        1. 10.3.9.1 USB スイッチ・プログラマブル電流制限 (ILIM)
        2. 10.3.9.2 2 レベル USB スイッチの電流制限のインターロック
        3. 10.3.9.3 サイクル単位の降圧電流制限
        4. 10.3.9.4 OUT の電流制限
      10. 10.3.10 ケーブル補償
      11. 10.3.11 温度センシング (TS) および OTSD による熱管理
      12. 10.3.12 サーマル・シャットダウン
      13. 10.3.13 USB イネーブルのオンおよびオフ制御 (TPS25859-Q1)
      14. 10.3.14 FAULT 通知 (TPS25859-Q1)
      15. 10.3.15 USB 仕様の概要
      16. 10.3.16 USB Type-C® の基本
        1. 10.3.16.1 構成チャネル
        2. 10.3.16.2 接続の検出
      17. 10.3.17 USB ポートの動作モード
        1. 10.3.17.1 USB Type-C® モード
        2. 10.3.17.2 専用充電ポート (DCP) モード (TPS25858-Q1 のみ)
          1. 10.3.17.2.1 DCP BC1.2 と YD/T 1591-2009
          2. 10.3.17.2.2 DCP Divider - 充電方式
          3. 10.3.17.2.3 DCP 1.2V 充電方式
        3. 10.3.17.3 DCP 自動モード (TPS25858-Q1)
    4. 10.4 デバイスの機能モード
      1. 10.4.1 シャットダウン・モード
      2. 10.4.2 アクティブ・モード
  11. 11アプリケーションと実装
    1. 11.1 アプリケーション情報
    2. 11.2 代表的なアプリケーション
      1. 11.2.1 設計要件
      2. 11.2.2 詳細な設計手順
        1. 11.2.2.1 出力電圧設定
        2. 11.2.2.2 スイッチング周波数
        3. 11.2.2.3 インダクタの選択
        4. 11.2.2.4 出力コンデンサの選択
        5. 11.2.2.5 入力コンデンサの選択
        6. 11.2.2.6 ブートストラップ・コンデンサの選択
        7. 11.2.2.7 低電圧誤動作防止設定点
        8. 11.2.2.8 ケーブル補償の設定点
      3. 11.2.3 アプリケーション曲線
  12. 12電源に関する推奨事項
  13. 13レイアウト
    1. 13.1 レイアウトのガイドライン
    2. 13.2 レイアウト例
    3. 13.3 グランド・プレーンおよび熱に関する考慮事項
  14. 14デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 14.1 Receiving Notification of Documentation Updates
    2. 14.2 サポート・リソース
    3. 14.3 商標
    4. 14.4 Electrostatic Discharge Caution
    5. 14.5 Glossary
  15. 15メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

8.5 電気的特性

特に記述のない限り、これらの制限値は推奨の動作時ジャンクション温度 (TJ) 範囲 (-40℃～+150℃) にわたり、VIN = 13.5V、fSW = 400kHz、VSET が GND に短絡されている条件下で適用されます。最小値および最大値の制限値は、試験、設計、および統計的相関に基づいて規定されています。標準値は TJ = 25℃ における最も一般的なパラメータ基準値を表しており、参考目的にのみ提供されています。
パラメータ テスト条件 最小値 標準値 最大値 単位
電源電圧 (IN ピン)
ISD シャットダウン静止時電流 (IN ピンで測定) VEN/UV = 0、-40℃ ≦ TJ ≦ 85℃ 34 63 uA
IQ 動作時の静止電流 (DCDC ディセーブル)  VEN = VSENSE、CCx = オープン、-40℃ ≦ TJ ≦ 85℃ 200 µA
VOVLO_R 降圧レギュレータがスイッチングを停止したときの VIN ピンの電圧 26.6 27.5 28.4 V
VOVLO_HYS ヒステリシス 0.5 V
イネーブルおよび UVLO (EN ピン)
VEN/UVLO_R 外部 UVLO ではない場合の立ち上がりスレッショルド VEN/UV 立ち上がりスレッショルド 1.26 1.3 1.34 V
VEN/UVLO_HYS ヒステリシス VEN/UVLO の立ち下がり 100 mV
VPA/B_EN_H PA_BUS および PB_BUS 負荷スイッチをオンにするために必要な PA_EN、PB_EN 入力レベル (TPS25859-Q1) VPA_EN または VPB_EN の立ち上がりスレッショルド 1.6 1.98 V
VPA/B_EN_L PA_BUS および PB_BUS 負荷スイッチをオフにするために必要な PA_EN、PB_EN 入力レベル (TPS25859-Q1) VPA_EN または VPB_EN の立ち下がりスレッショルド 0.97 1.5 V
VEN1/2_HYS ヒステリシス (TPS25859-Q1) VPA_EN または VPB_EN の立ち下がりスレッショルド 100 mV
ブートストラップ
VBTST_UVLO ブートストラップ電圧 UVLO スレッショルド 2.2 V
RBOOT ブートストラップ・プルアップ抵抗 VSENSE - BOOT = 0.1V 7.7 Ω
降圧レギュレータ
IL-SC-HS 下限側電流制限 BOOT - SW = 5V 10.2 11.4 12.6 A
IL-SC-LS 上限側電流制限 SENSE = 5V 8.5 10 11.5 A
IL-NEG-LS 上限側負の電流制限 SENSE = 5V -7 -5 -3 A
IZC ゼロ電流検出のスレッショルド 0.01 A
VSENSE BUCK 出力電圧 CC1 または CC2 プルダウン抵抗 = Rd、VSET をオープン、または VSENSE へのプルアップ、TJ = 25℃ -1% 5.1 +1% V
CC1 または CC2 プルダウン抵抗 = Rd、VSET は AGND へ短絡、TJ = 25℃ -1% 5.17 +1% V
CC1 または CC2 プルダウン抵抗 = Rd、RVSET = 40.2KΩ、TJ = 25℃ -1% 5.3 +1% V
CC1 または CC2 プルダウン抵抗 = Rd、RVSET = 80.6KΩ、TJ = 25℃ -1% 5.4 +1% V
VSENSE BUCK 出力電圧精度 CC1 または CC2 プルダウン抵抗 = Rd、-40℃ ≦ TJ ≦ 150℃ -2 2 %
VDCDC_UVLO_R DCDC スイッチングを有効にする SENSE 入力レベル VSENSE の立ち上がり、CC1 または CC2 プルダウン抵抗 = Rd 3.85 4 4.15 V
VDCDC_UVLO_HYS ヒステリシス VSENSE の立ち下がり、CC1 または CC2 プルダウン抵抗 = Rd 0.4 V
VDROP ドロップアウト電圧 (VIN - VSENSE) VIN = VSENSE + VDROP、VSENS = 5.1V、IPA_BUS = 3A、IPB_BUS = 3A 300 mV
RDS-ON-HS 下限側 MOSFET オン抵抗 IPA_BUS = 3A、IPB_BUS = 3A、BOOT-SW = 5V、-40℃ ≦ TJ ≦ 150℃ 18 34 mΩ
RDS-ON-LS 上限側 MOSFET オン抵抗 IPA_BUS = 3A、IPB_BUS = 3A、VSENSE = 5V、-40℃ ≦ TJ ≦ 150℃ 9.5 18.5 mΩ
パワー・スイッチと電流制限
RDS-ON_USB USB 負荷スイッチ MOSFET オン抵抗 IPA_BUS = 3A、IPB_BUS = 3A、-40℃ ≦ TJ ≦ 150℃ 6.8 11.73 mΩ
RDS-ON_OUT OUT 負荷スイッチ MOSFET オン抵抗 IOUT = 0.3A 230 mΩ
RDS-ON_VCONN オン状態抵抗 TJ = 25℃、ICCn = 0.25A 410 550 mΩ
RDS-ON_VCONN オン状態抵抗 -40℃ ≦ TJ ≦ 150℃、ICCn = 0.25A 410 740 mΩ
VUSBLS_UVLO_R USB 負荷スイッチを有効にする SENSE ピンの電圧 3.95 4.1 4.25 V
VUSBLS_UVLO_HYS ヒステリシス 200 mV
RBUS_DCHG ポート A またはポート B バスの放電抵抗 PA_BUS または PB_BUS に 5V 印加、CC1 または CC2 = Rd 250 500 750 Ω
VTH_R_BUS_DCHGb 放電されていない BUS の立ち上がりスレッショルド電圧   670 700 730 mV
VTH_HYS_BUS_DCHG ヒステリシス   100 mV
VBUS_DCHG_BLEED バス・ブリード抵抗 VPx_BUS = 4V、CC ラインのシンク終端なし、時間 > tW_BUS_DCHG 100 150 200 KΩ
IOS_HI バス出力短絡 2 次電流制限 RILIM = 48.7KΩ 849 1061 1273 mA
RILIM = 19.1KΩ 2434 2704 2974 mA
RILIM = 15.4KΩ 3018 3354 3689 mA
RILIM = 12.4KΩ 3748 4165 4581 mA
RILIM = 11.5KΩ 4040 4490 4938 mA
RILIM = 9.53KΩ 4876 5418 5960 mA
RILIM = 0Ω (GND への短絡) 4828 5680 6532 mA
RILIM = 11.5KΩ、TJ = 25℃ 4265 4490 4714 mA
IOS_BUS バス出力短絡電流制限 RILIM = 48.7KΩ 530.4 663 800 mA
RILIM = 19.1KΩ 1521 1690 1859 mA
RILIM = 15.4KΩ 1886.4 2096 2305.6 mA
RILIM = 12.4KΩ 2342.7 2603 2863.3 mA
RILIM = 11.5KΩ 2525.4 2806 3086.6 mA
RILIM = 9.53kΩ 3047.4 3386 3724.6 mA
RILIM = 0Ω (GND への短絡) 3017.5 3550 4082.5 mA
RILIM =11.5kΩ、TJ = 25℃ 2666 2806 2946 mA
IOS_OUT OUT 出力短絡電流制限 短絡電流制限 390 450 495 mA
IOS_VCONN VCONN 出力短絡電流制限 短絡電流制限 240 300 360 mA
ケーブル補償電圧
VDROP_COM ケーブル補償電圧 IPA_BUS または IPB_BUS = 2.4A 、VSET = GND (出力 5.17V に設定) 70 90 110 mV
CC 接続管理
ISRC_CC_3A ソース電流 CC ピン電圧：0V ≦ VCCn ≦ 2.45V  304 330 356 µA
ISRC_CC_1.5A 熱管理におけるソース電流 (温度ウォーム) CC ピン電圧：0V ≦ VCCn ≦ 1.5V、TA > 85℃ 167 180 194 µA
ISRC_CC_DFLT 熱管理におけるソース電流 (温度ホット) CC ピン電圧：0V ≦ VCCn ≦ 1.5V、TA > 85℃ 64 80 105 µA
IREV 逆リーク電流 CCx はテスト時の CC ピン、CCy はそれ以外の CC ピン。CC ピン電圧 VCCx = 5.5V、CCy オープン、VEN_UV = 0V または VSENSE、0V ≦ VIN ≦ 26V、IREV は CCx ピンへの電流   2.75 10 µA
VTH_R 放電されていない VCONN の立ち上がりスレッショルド電圧 前のシンク状態で VCONN を供給した CC ピン 670 700 730 mV
VTH_HYS ヒステリシス 100 mV
FAULT (TPS25859-Q1)
VOL PA_FAULT、PB_FAULT 出力電圧ロー ISNK_PIN = 1mA 250 mV
IOFF PA_FAULT、PB_FAULT オフ状態のリーケージ VPIN = 5.5V 2.2 µA
BC 1.2 ダウンストリーム充電ポート (TPS25858-Q1)
RDPM_SHORT DP および DM の短絡抵抗 70 200 Ω
分割 3 モード (TPS25858-Q1)
VDP_DIV3 DP 出力電圧 2.57 2.7 2.84 V
VDM_DIV3 DM 出力電圧 2.57 2.7 2.84 V
RDP_DIV3 DP 出力インピーダンス IDP_IN = -5µA 24 30 36 kΩ
RDM_DIV3 DM 出力インピーダンス IDM_IN = -5µA 24 30 36 kΩ
1.2V モード (TPS25858-Q1)
VDP_1.2V DP 出力電圧 1.12 1.2 1.26 V
VDM_1.2V DM 出力電圧 1.12 1.2 1.26 V
RDP_1.2V DP 出力インピーダンス IDP_IN = -5µA 84 100 126 kΩ
RDM_1.2V DM 出力インピーダンス IDM_IN = -5µA 84 100 126 kΩ
FREQ/SYNC スレッショルド
VIH_FREQ/SYNC 外部クロック同期の場合の FREQ/SYNC 高スレッショルド SYNC クロックの AC 信号の振幅 (FREQ/SYNC ピンで測定) 2 V
VIL_FREQ/SYNC 外部クロック同期の場合の FREQ/SYNC 低スレッショルド SYNC クロックの AC 信号の振幅 (FREQ/SYNC ピンで測定) 0.8 V
温度センシング
VWARN_HIGH 温度警告スレッショルド立ち上がり VSENSE に対するパーセンテージ 0.475 0.5 0.525 V/V
VWARN_HYS ヒステリシス VSENSE に対するパーセンテージ 0.1 V/V
VHOT_HIGH 温度ホット・アサート・スレッショルドの立ち上がりによる SENS 電圧の低減 VSENSE に対するパーセンテージ 0.618 0.65 0.683 V/V
VHOT_HYS ヒステリシス VSENSE に対するパーセンテージ 0.1 V/V
VR_VSENS 温度ホット・アサートの場合、VSENSE 電圧は低下 TS ピン電圧は 0.65 * VSENSE 以上に上昇 4.77 V
サーマル・シャットダウン
TLS_SD USB 負荷スイッチの過熱 シャットダウン・スレッショルド 160 ℃
復帰スレッショルド 150 ℃
TSD サーマル・シャットダウン シャットダウン・スレッショルド 166 ℃
復帰スレッショルド 154 ℃