JAJSN42D December   2011  – December 2021 TPS28225-Q1

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
  4. 4 Revision History
  5. 5 Pin Configuration and Functions
  6. 6 Specifications
    1. 6.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2 ESD Ratings
    3. 6.3 Recommended Operating Conditions
    4. 6.4 Thermal Information
    5. 6.5 Electrical Characteristics
    6. 6.6 Switching Characteristics
    7. 6.7 Typical Characteristics
  7. 7 Detailed Description
    1. 7.1 Overview
    2. 7.2 Functional Block Diagram
    3. 7.3 Feature Description
      1. 7.3.1 Undervoltage Lockout (UVLO)
      2. 7.3.2 Output Active Low
      3. 7.3.3 Enable/Power Good
      4. 7.3.4 3-State Input
      5. 7.3.5 Bootstrap Diode
      6. 7.3.6 Upper and Lower Gate Drivers
      7. 7.3.7 Dead-Time Control
      8. 7.3.8 Thermal Shutdown
    4. 7.4 Device Functional Modes
  8. 8 Application and Implementation
    1. 8.1 Application Information
    2. 8.2 Typical Application
      1. 8.2.1 Design Requirements
      2. 8.2.2 Detailed Design Procedure
        1. 8.2.2.1 Switching the MOSFETs
      3. 8.2.3 Application Curves
  9. 9 Power Supply Recommendations
  10. 10Layout
    1. 10.1 Layout Guidelines
    2. 10.2 Layout Example
  11. 11Device and Documentation Support
    1. 11.1 Third-Party Products Disclaimer
    2. 11.2 Documentation Support
      1. 11.2.1 Related Documentation
    3. 11.3 Receiving Notification of Documentation Updates
    4. 11.4 サポート・リソース
    5. 11.5 Trademarks
    6. 11.6 Electrostatic Discharge Caution
    7. 11.7 Glossary
  12. 12Mechanical, Packaging, and Orderable Information

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

3 概要

TPS28225-Q1 は、適応型デッド・タイム制御機能を備えた、N チャネル相補型パワー MOSFET 用の高速ドライバです。さまざまな種類の 1 相および多相の高電流 DC-DC コンバータとともに使用できるよう最適化されています。TPS28225-Q1 は高効率であり、小さいソリューション・サイズと EMI 放射を特長としています。

TPS28225-Q1 デバイスは、最大 8.8V のゲート駆動電圧、14ns の適応型デッド・タイム制御、14ns の伝播遅延、2A ソース / 4A シンクの高電流駆動能力などの優れた機能を備えています。ローサイド・ゲート・ドライバの 0.4Ω のインピーダンスによってパワー MOSFET のゲートをスレッショルド未満に保持し、高い dV/dt でノードが遷移した場合でも貫通電流が生じないようにしています。ブートストラップ・コンデンサは内蔵ダイオードで充電されるため、N チャネル MOSFET をハーフブリッジ構成で使用できます。

TPS28225-Q1 は安価な SOIC-8 パッケージと、放熱性に優れた小型 VSON パッケージで供給されます。本ドライバは –40℃～105℃の温度範囲で動作するように設計されており、接合部温度の絶対最大定格は 150℃です。

製品情報(1)
部品番号 パッケージ 本体サイズ (公称)
TPS28225-Q1 SOIC (8) 5.00mm × 6.20mm
VSON (8) 3.00mm × 3.00mm
(1) 利用可能なパッケージについては、このデータシートの末尾にある注文情報を参照してください。
GUID-14B1BCBB-D95A-458E-8FBC-3DC2D1920422-low.gif概略回路図