JAJSMG9E March   2021  – December 2023 TPS3704

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特長
  3. アプリケーション
  4. 概要
  5. デバイス命名規則
  6. ピン構成と機能
  7. 仕様
    1. 6.1 絶対最大定格
    2. 6.2 ESD 定格
    3. 6.3 推奨動作条件
    4. 6.4 熱に関する情報
    5. 6.5 電気的特性
    6. 6.6 タイミング要件
    7. 6.7 タイミング図
    8. 6.8 代表的特性
  8. 詳細説明
    1. 7.1 概要
    2. 7.2 機能ブロック図
    3. 7.3 機能説明
      1. 7.3.1 VDD
      2. 7.3.2 SENSEx 入力
        1. 7.3.2.1 SENSEx ピンの電圧過渡耐性
          1. 7.3.2.1.1 SENSEx ヒステリシス
      3. 7.3.3 RESETx/RESETx
    4. 7.4 デバイスの機能モード
      1. 7.4.1 通常動作 (VDD > VDD(MIN))
      2. 7.4.2 低電圧誤動作防止 (VPOR < VDD < UVLO)
      3. 7.4.3 パワーオン リセット (VDD < VPOR)
  9. アプリケーションと実装
    1. 8.1 アプリケーション情報
      1. 8.1.1 電圧スレッショルド精度
      2. 8.1.2 可変電圧スレッショルド
    2. 8.2 代表的なアプリケーション
      1. 8.2.1 設計 1:マイクロコントローラの電源レール用のマルチレール・ウィンドウ監視
        1. 8.2.1.1 設計要件
        2. 8.2.1.2 詳細な設計手順
      2. 8.2.2 設計 2:機能安全のユースケースを強化するための手動セルフ・テスト・オプション
        1. 8.2.2.1 設計要件
        2. 8.2.2.2 詳細な設計手順
      3. 8.2.3 アプリケーション曲線
    3. 8.3 電源に関する推奨事項
      1. 8.3.1 電源に関するガイドライン
    4. 8.4 レイアウト
      1. 8.4.1 レイアウトのガイドライン
      2. 8.4.2 レイアウト例
  10. デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 9.1 デバイス命名規則
    2. 9.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 9.3 サポート・リソース
    4. 9.4 商標
    5. 9.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 9.6 用語集
  11. 10改訂履歴
  12. 11メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ(パッケージ|ピン)
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

可変電圧スレッショルド

TPS3704x の最大精度 (1%) によって、デバイスに大きなばらつきを与えることなく、外付け抵抗を使用して電圧スレッショルドを調整することができます。監視したい電圧が利用できない場合、外付け分圧抵抗を使用して目標の電圧スレッショルドを設定することができます。図 8-2 に、外付け分圧抵抗を使用して、電圧スレッショルドを調整する方法の例を図示します。外付け抵抗の計算については、TPS3704 製品ページの「設計ツールおよびシミュレーション」セクションの「TPS3704 可変スレッショルド電圧抵抗の計算」にアクセスしてください。抵抗は、目標の電圧スレッショルドとデバイス部品番号に応じて計算できます。テキサス・インスツルメンツでは、内部抵抗ラダーのバイパス モードのため、可変電圧スレッショルド デバイス バリアントを使用することを推奨します。

たとえば、TPS3704 の 0.8V 可変バリアントを使用して、2.0V レールを監視 (VMON) するとします。式 2 を使用すると、R2 = 10kΩ、VMON = 2V、VSENSE1 = 0.8V であるため、R1 = 15kΩ となります。このデバイスは通常、±4% の電圧スレッショルドで 0.8V レールを監視することを意図しています。つまり、デバイスの低電圧スレッショルド (VIT-(UV)) と過電圧スレッショルド (VIT+(OV)) は、それぞれ 0.768V と 0.832V になります。式 2 を使用すると、VSENSE1 = VIT-(UV) のとき、VMON = 1.92V になります。これは、デバイスがリセット信号をアサートする監視対象の低電圧しきい値、VMON- と表すことができします。式 2 を再度使用すると、VSENSE1 = VIT+(OV) のとき、監視対象の過電圧スレッショルド (VMON+) = 2.08V となります。より広範囲の許容誤差が必要な場合や、UV のみのスレッショルドが必要な場合は、表 9-3 に示すデバイス バリアントを使用して、実際のアプリケーションに適合するデバイスの部品番号を決定してください。

式 2. VSENSE1 = VMON × (R2 / (R1 + R2))

電圧スレッショルドを調整する際には、誤差を考慮する必要があります。分圧抵抗の許容誤差とは別に、分圧抵抗の精度に影響を及ぼす可能性のある SENSE1 ピンの内部抵抗があります。非常に高いインピーダンスになることが予想されますが、設計仕様の数値を計算することを推奨します。内部センス抵抗 RSENSE1 は、式 4 に示すように、センス電圧 VSENSE1 をセンス電流 ISENSE1 で除算することで計算できます。VSENSE1 は、分圧抵抗と監視対象電圧に応じて、式 2 を使用して計算できます。
ISENSE1 は、式 3 を使用して計算できます。

式 3. ISENSE1 = [(VMON – VSENSE1) / R1] – (VSENSE1 / R2)
式 4. RSENSE1 = VSENSE1 / ISENSE1
GUID-20210202-CA0I-LZZW-M3HV-HZ4F32L211J5-low.svg図 8-2 外付け分圧抵抗による可変電圧スレッショルド