1 特長

下記内容で AEC-Q100 認定済み
- デバイス温度グレード 1：–40℃～+125℃の動作時周囲温度範囲
- デバイス HBM ESD 分類レベル 2
- デバイス CDM ESD 分類レベル C4B
機能安全準拠
- 機能安全アプリケーション向けに開発
- ASIL D までの ISO 26262 システム設計を支援するドキュメントを提供
- ASIL D までの決定論的対応能力とハードウェア・インテグリティ
入力電圧範囲
- 7～36V (初回バッテリ・パワーアップ時)
- 4～36V (初回バッテリ・パワーアップ後の完全な機能)
- 最小 2.3V (ウェイクアップ後の動作中)
電源レール (FET 内蔵)
- 6V 同期整流昇降圧プリレギュレータ
- 5V、285mA LDO (CAN、ペリフェラル、ADC リファレンス電圧 (精度 1%、負荷 20～120mA))
- 3.3V または 5V、350mA LDO (MCU) TPS653853A-Q1.3.3V、350mA または 5V、500mA LDO (MCU) TPS653854A-Q1
- センサ電源またはペリフェラル用に保護された 2 つの LDO
  - センサ電源 1 (VSOUT1) 用の 120mA、センサ電源 2 (VSOUT2) 用の 20mA
  - 設定可能なトラッキング・モード (トラッキング入力ピン) または、3.3V または 5V 固定出力電圧
  - グランドおよびバッテリへの短絡に対する保護
- チャージ･ポンプ：バッテリ電圧よりも最小で 6V、最大で 11V 高い出力
監視と保護
- すべてのレギュレータ出力、バッテリ電圧、および内部電源に対する独立した低電圧監視能および過電圧監視機能
- 異なるバッテリ電圧入力ピンから電源を供給された電圧監視回路 (独立したバンドギャップ・リファレンス回路を含む)
- すべての電圧監視機能に対するセルフ・チェック機能 (パワーアップ中に動作、加えてパワーアップ後に外部 MCU により起動可能)
- すべての電源出力に対する電流制限機能、過熱予告警告機能、およびシャットダウンによる過熱保護機能
操舵角監視 (SAM)
- 位置センサ信号用に 2 つの信号コンパレータ
- 回転カウンタ
- 位置センサ信号を定期的にサンプリングする低消費電力モード
- MCU へのセンサ信号パス用のスイッチ
マイコン・インターフェイス
- OPEN/CLOSE ウィンドウ式、または質疑応答式のウォッチドッグ機能
- 機能安全 MCU のフォルト出力 (PWM またはレベル) の監視、 MCU のエラー信号の監視
- Diagnostic 状態：デバイスのセルフ・テストおよびシステム診断実行用
- SAFE 状態：システム故障検出時のデバイスおよびシステム保護用
- デバイス内部発振器用のクロック・モニタ
- アナログ回路およびロジック回路の内蔵セルフ・テスト
- 不揮発性メモリに対する CRC (デバイス・レジスタおよびシステム設定レジスタ) と SPI 通信に対する CRC
- MCU 用のリセット回路
- 診断出力ピン
SPI、コマンド + データに対する CRC 付き
SPI レジスタによるシステム・レベルとデバイス・レベルのエラーを報告
イネーブル・ドライブ出力：システム故障検出時の外部パワー・ステージのディスエーブル用
IGN ピン (イグニッション) または CAN_WU ピン (トランシーバまたはその他の機能) によるウェイクアップ
48 ピン HTSSOP PowerPAD™ IC パッケージ