JAJSPT8F February   2023  – December 2023 TPS7H1111-SEP , TPS7H1111-SP

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 デバイスのオプション表
  6. 5 ピン構成および機能
  7. 6 仕様
    1. 6.1 絶対最大定格
    2. 6.2 ESD 定格
    3. 6.3 推奨動作条件
    4. 6.4 熱に関する情報
    5. 6.5 電気的特性
    6. 6.6 品質適合検査
    7. 6.7 代表的特性
  8. 7 パラメータ測定情報
  9. 8 詳細説明
    1. 8.1 概要
    2. 8.2 機能ブロック図
    3. 8.3 機能説明
      1. 8.3.1  バイアス電源
      2. 8.3.2  出力電圧構成
      3. 8.3.3  電圧源を使用した出力電圧構成
      4. 8.3.4  イネーブル
      5. 8.3.5  ソフト スタートとノイズ低減
      6. 8.3.6  構成可能なパワー グッド
      7. 8.3.7  電流制限
      8. 8.3.8  安定性
        1. 8.3.8.1 出力容量
        2. 8.3.8.2 補償
      9. 8.3.9  カレント シェア（電流共有）
      10. 8.3.10 PSRR
      11. 8.3.11 ノイズ
      12. 8.3.12 サーマル・シャットダウン
    4. 8.4 デバイスの機能モード
  10. 9 アプリケーションと実装
    1. 9.1 アプリケーション情報
    2. 9.2 代表的なアプリケーション
      1. 9.2.1 アプリケーション 1：EN によるターンオン・スレッショルドの設定
        1. 9.2.1.1 設計要件
        2. 9.2.1.2 詳細な設計手順
          1. 9.2.1.2.1 バイアス電源
          2. 9.2.1.2.2 出力電圧構成
          3. 9.2.1.2.3 出力電圧精度
          4. 9.2.1.2.4 イネーブル スレッショルド
          5. 9.2.1.2.5 ソフト スタートとノイズ低減
          6. 9.2.1.2.6 構成可能なパワー グッド
          7. 9.2.1.2.7 電流制限
          8. 9.2.1.2.8 出力コンデンサとフェライト ビーズ
        3. 9.2.1.3 アプリケーション曲線
      2. 9.2.2 アプリケーション 2：並列動作
        1. 9.2.2.1 設計要件
        2. 9.2.2.2 詳細な設計手順
          1. 9.2.2.2.1 カレント シェア（電流共有）
        3. 9.2.2.3 アプリケーション結果
    3. 9.3 テストしたコンデンサ
    4. 9.4 TID の影響
    5. 9.5 電源に関する推奨事項
    6. 9.6 レイアウト
      1. 9.6.1 レイアウトのガイドライン
      2. 9.6.2 レイアウト例
  11. 10デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 10.1 ドキュメントのサポート
      1. 10.1.1 サード・パーティ製品に関する免責事項
      2. 10.1.2 関連資料
    2. 10.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 10.3 サポート・リソース
    4. 10.4 商標
    5. 10.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 10.6 用語集
  12. 11改訂履歴
  13. 12メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
  • PWP|28
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

1 特長

  • 吸収線量 (TID) 特性評価済み
    • 放射線耐性保証 (RHA)：100krad(Si) または 50krad(Si)
  • シングル・イベント効果 (SEE) 特性評価済み
    • シングル・イベント・ラッチアップ (SEL)、シングル・イベント・バーンアウト (SEB)、シングル・イベント・ゲート・ラプチャー (SEGR) の、最大線エネルギー付与 (LET) = 75 MeV-cm2/mg に対する耐性
    • シングル・イベント機能割り込み (SEFI) およびシングル・イベント過渡 (SET) の最大 LET = 75MeV-cm2/mg に対する耐性
  • 超低ノイズ (10Hz～100kHz)：
    • 1.71µVRMS (代表値)
  • 高い電源電圧変動除去比 (PSRR) (代表値)：
    • 1kHz 時 109dB
    • 100kHz 時 71dB
    • 1MHz 時 66dB
  • 0.85V～7V の入力電圧範囲
  • 2.2V～14V のバイアス電源による消費電力の最小化
  • 出力電圧を最小 0.4V まで調整可能
  • 最大 1.5A の出力電流
  • ラインおよび負荷に対する優れた出力精度：
    • 全温度範囲で -1.3%～+1.2%
    • 25℃で -0.7%～+0.9%
  • 低ドロップアウト：215mV (代表値)、1.5A 時
  • プログラマブル・ソフト・スタート制御 (SS_SET)
  • オープン・ドレインのパワー・グッド (PG) インジケータ
  • 構成可能なパワー・グッド・スレッショルド (FB_PG)
  • 外部補償の STAB ピンを使用した露出制御ループ
  • 構成可能な動作による内部電流制限
  • 電流共有により最大 2.9A の動作を実現
  • 軍事用温度範囲 (-55℃～125℃)