JAJSTS9A October   2024  – June 2025 TPSI31P1-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 ピン構成および機能
  6. 5 仕様
    1. 5.1  絶対最大定格
    2. 5.2  ESD 定格
    3. 5.3  推奨動作条件
    4. 5.4  熱に関する情報
    5. 5.5  電力定格
    6. 5.6  絶縁仕様
    7. 5.7  安全関連認証
    8. 5.8  安全限界値
    9. 5.9  電気的特性
    10. 5.10 スイッチング特性
    11. 5.11 絶縁特性曲線
  7. 6 詳細説明
    1. 6.1 概要
    2. 6.2 機能ブロック図
    3. 6.3 機能説明
      1. 6.3.1 イネーブル状態の送信
      2. 6.3.2 電力伝送
      3. 6.3.3 ゲート ドライバ
      4. 6.3.4 チップ イネーブル (CE)
      5. 6.3.5 コンパレータ
      6. 6.3.6 VDDP、VDDH、およびVDDM の低電圧誤動作防止 (UVLO)
      7. 6.3.7 キープオフ回路
      8. 6.3.8 サーマル シャットダウン
    4. 6.4 デバイスの機能モード
  8. 7 アプリケーションと実装
    1. 7.1 アプリケーション情報
    2. 7.2 代表的なアプリケーション
      1. 7.2.1 設計要件
      2. 7.2.2 詳細な設計手順
        1. 7.2.2.1 CDIV1、CDIV2 容量
      3. 7.2.3 アプリケーション曲線
      4. 7.2.4 絶縁寿命
    3. 7.3 電源に関する推奨事項
    4. 7.4 レイアウト
      1. 7.4.1 レイアウトのガイドライン
      2. 7.4.2 レイアウト例
  9. 8 デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 8.1 ドキュメントのサポート
      1. 8.1.1 関連資料
    2. 8.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 8.3 サポート・リソース
    4. 8.4 商標
    5. 8.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 8.6 用語集
  10. 9 改訂履歴
  11. 10メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

6.3.7 キープオフ回路

TPSI31P1-Q1 は、出力ドライバのキープオフ回路を内蔵しています。このキープオフ回路の目的は、2 次側レールに電源が供給されていないときに外部パワー スイッチがオンになるのを防ぐため、ゲート電圧を許容可能なレベル未満にクランプすることです。キープオフ回路を使用すると、外部パワー スイッチの外付けブリードオフ抵抗を置き換えるか、抵抗の要件を大幅に緩和低減できます。

図 6-3 に、キープオフ回路の概略回路図を示します。トランジスタ MP1 と MN1 がドライバを形成し、外部パワー スイッチ (M1) を駆動するゲート電流を供給します。2 次側に電力が供給されていない場合、1MΩ の抵抗を MN1 のドレインからゲートに接続し、NMOS ダイオード構成を形成します。M1 ゲート ドレイン間およびゲート ソース間寄生容量を介した VDRV 信号への外部カップリングは、VDRV 信号が上昇する原因となります。MN1 のダイオード構成は、この電流をシンクすることで、VDRV の立ち上がりが過大になることを防ぎ、VDRV を VACT_CLAMP にクランプします。この電圧は、ほとんどのパワー スイッチをオフに維持するのに十分です。必要に応じて、M1 のゲート ソース間の両端に抵抗 (250kΩ 程度またはそれ以上) を追加することもできます。印加される抵抗には、通常動作時に 2 次電源から電力が必要となるため、全体的な電力バジェットを考慮する必要があります。

MN1 ダイオード クランプに加えて、MP1 のボディ ダイオードは、VDRV へのカップリングの吸収にも役立ちます。等価静電容量 Ceq は、CDIV1 と CDIV2 を直列に組み合わせたもので、ほとんどのアプリケーションでは通常数百 nF 程度です。電力供給が一定期間停止した場合、この容量は VSSS に完全に放電され、VDDH に接続された MP1 のボディ ダイオードを介して VDRV A ダイオードが VSSS よりも高い値にクランプされます。M1 ゲート ドレイン間およびゲート ソース間寄生容量を介した VDRV 信号への外部カップリングは Ceq に吸収され、VDRV の電圧上昇を最小限に抑えます。

TPSI31P1-Q1 キープオフ回路図 6-3 キープオフ回路