JAJSSQ9C November   2024  – June 2025 TPSM82866C

PRODMIX  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 デバイスのオプション
  6. 5 ピン構成および機能
  7. 6 仕様
    1. 6.1 絶対最大定格
    2. 6.2 ESD 定格
    3. 6.3 推奨動作条件
    4. 6.4 熱に関する情報
    5. 6.5 電気的特性
    6. 6.6 I2C インターフェイス タイミングの要件
    7. 6.7 代表的特性
  8. 7 詳細説明
    1. 7.1 概要
    2. 7.2 機能ブロック図
    3. 7.3 機能説明
      1. 7.3.1 パワー セーブ モード
      2. 7.3.2 強制 PWM モード
      3. 7.3.3 PWM モードから PSM モードへの移行で最適化された過渡性能
      4. 7.3.4 低ドロップアウト動作 (100% デューティ サイクル)
      5. 7.3.5 イネーブルおよびソフトスタートランプ
      6. 7.3.6 スイッチ電流制限と HICCUP 短絡保護回路
      7. 7.3.7 低電圧誤動作防止
      8. 7.3.8 熱警告およびシャットダウン
    4. 7.4 デバイスの機能モード
      1. 7.4.1 イネーブル / ディセーブル (EN)
      2. 7.4.2 スタートアップ時の出力電圧と I2C ターゲットアドレスの選択（VSET）
      3. 7.4.3 出力電圧レジスタの選択（VID）
      4. 7.4.4 出力放電
      5. 7.4.5 パワー グッド (PG)
    5. 7.5 プログラミング
      1. 7.5.1 シリアル インターフェイスの説明
      2. 7.5.2 Standard-Mode、Fast-Mode、Fast-Mode Plus のプロトコル
      3. 7.5.3 HS-Mode のプロトコル
      4. 7.5.4 I2C 更新シーケンス
      5. 7.5.5 I2C レジスタ リセット
  9. 8 レジスタ マップ
    1. 8.1 ターゲット アドレス バイト
    2. 8.2 レジスタ アドレス バイト
    3. 8.3 VOUT レジスタ 1
    4. 8.4 VOUT レジスタ 2
    5. 8.5 CONTROL レジスタ
    6. 8.6 STATUS レジスタ
  10. 9 アプリケーションと実装
    1. 9.1 アプリケーション情報
    2. 9.2 代表的なアプリケーション
      1. 9.2.1 設計要件
      2. 9.2.2 詳細な設計手順
        1. 9.2.2.1 入力および出力コンデンサの選択
      3. 9.2.3 アプリケーション曲線
    3. 9.3 電源に関する推奨事項
    4. 9.4 レイアウト
      1. 9.4.1 レイアウトのガイドライン
      2. 9.4.2 レイアウト例
        1. 9.4.2.1 熱に関する注意事項
  11. 10デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 10.1 デバイス サポート
      1. 10.1.1 サード・パーティ製品に関する免責事項
    2. 10.2 ドキュメントのサポート
      1. 10.2.1 関連資料
    3. 10.3 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    4. 10.4 サポート・リソース
    5. 10.5 商標
    6. 10.6 静電気放電に関する注意事項
    7. 10.7 用語集
  12. 11改訂履歴
  13. 12メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

6.5 電気的特性

TJ = -40℃ ～ 125℃、VIN = 2.4V ～ 5.5V。代表値は、TJ = 25℃ および VIN = 5V です (特に記述のない限り)。
パラメータ テスト条件 最小値 標準値 最大値 単位
電源
IQ_VIN VIN ピンへの静止電流 EN = High、無負荷、デバイスがスイッチングしない 4 10 µA
IQ_VOS VOS ピンへの静止電流 EN = High、無負荷、デバイスがスイッチングしない、VVOS = 1.8V 18 µA
ISD シャットダウン電流(1) EN = Low、TJ = -40℃ ～ 85℃
 0.24 1 µA
VUVLO 低電圧誤動作防止のスレッショルド VIN 立ち上がり 2.2 2.3 2.4 V
VIN 立ち下がり 2.1 2.2 2.3 V
TJW 過熱警告スレッショルド TJ 立ち上がり 130 ℃
過熱警告ヒステリシス TJ 立ち下がり 20 ℃
TJSD サーマル シャットダウンのスレッショルド TJ 立ち上がり 150 ℃
サーマル シャットダウン ヒステリシス TJ 立ち下がり 20 ℃
ロジック インターフェイス
VIH EN、SCL、SDA、VSET/VID の High レベル入力スレッショルド電圧 0.84 V
VIL EN、SCL、SDA、VSET/VID の Low レベル入力スレッショルド電圧 0.4 V
ISCL,LKG SCL ピンへの入力リーク電流 0.01 0.8 µA
ISDA,LKG SDA ピンへの入力リーク電流 0.01 0.1 µA
IEN、LKG EN ピンへの入力リーク電流 0.01 0.1 µA
CSCL SCL の寄生容量 1 pF
CSDA SDA の寄生容量 2.4 pF
スタートアップ、パワーグッド
tDelay イネーブル遅延時間 EN が High になってからデバイスがスイッチングを開始するまでの時間、VSET/VID と GND の間に 249kΩ 抵抗が接続されている場合 420 650 1100 μs
VPG(low) パワー グッドの下限スレッショルド VOUT は公称 VOUT を基準とします。 85 91 96 %
VPG(high) パワー グッドの上限スレッショルド VOUT は公称 VOUT を基準とします。 103 111 120 %
VPG、OH High レベル出力電圧 Vin (入力電圧) V
tPG、DLY パワーグッド遅延 立ち上がりエッジと立ち下がりエッジ 34 μs
出力
VOUT 出力電圧精度 FPWM、無負荷、TA = 0℃～85℃ -1 1 %
FPWM、無負荷 -2 2 %
I VOS,LKG VOS ピンへの入力リーク電流 EN = Low、出力放電ディセーブル、 VVOS = 1.8V 0.2 2.5 µA
RDIS VOS ピンの出力放電抵抗 3.5 Ω
負荷レギュレーション VOUT = 0.9V、FPWM  0.04 %/A
パワー スイッチ
RDP
ドロップアウト抵抗

 100% モード。VIN = 3.3V、TJ = 25℃ 26 mΩ
ILIM ハイサイド FET 順方向電流制限値 TPSM82864xx 5 5.5 6 A
TPSM82866xx 7 7.9 9 A
ローサイド FET 順方向電流制限値 TPSM82864xx 4.5 A
TPSM82866xx 6.5 A
ローサイド FET 負電流制限値 -3 A
fSW PWM スイッチング周波数 IOUT = 1A、VOUT = 0.9V 2.4 MHz
(1) VSET/PGピンから出る電流は含まれていません。   パワーグッド（PG）を参照してください。