JAJSFJ4H January   2005  – May 2018 TS3A5018

PRODUCTION DATA.  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
    1.     Device Images
      1.      ブロック図
  4. 4 改訂履歴
  5. 5 Pin Configuration and Functions
    1.     Pin Functions
  6. 6 Specifications
    1. 6.1  Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2  ESD Ratings
    3. 6.3  Recommended Operating Conditions
    4. 6.4  Thermal Information
    5. 6.5  Electrical Characteristics for 3.3-V Supply
    6. 6.6  Electrical Characteristics for 2.5-V Supply
    7. 6.7  Electrical Characteristics for 2.1-V Supply
    8. 6.8  Electrical Characteristics for 1.8-V Supply
    9. 6.9  Switching Characteristics for 3.3-V Supply
    10. 6.10 Switching Characteristics for 2.5-V Supply
    11. 6.11 Switching Characteristics for 1.8-V Supply
    12. 6.12 Typical Characteristics
  7. 7 Parameter Measurement Information
  8. 8 Detailed Description
    1. 8.1 Overview
    2. 8.2 Functional Block Diagram (Each Switch)
    3. 8.3 Feature Description
    4. 8.4 Device Functional Modes
  9. 9 Application and Implementation
    1. 9.1 Application Information
    2. 9.2 Typical Application
      1. 9.2.1 Design Requirements
      2. 9.2.2 Detailed Design Procedure
      3. 9.2.3 Application Curve
  10. 10Power Supply Recommendations
  11. 11Layout
    1. 11.1 Layout Guidelines
    2. 11.2 Layout Example
  12. 12デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 12.1 デバイス・サポート
      1. 12.1.1 デバイスの項目表記
    2. 12.2 ドキュメントのサポート
      1. 12.2.1 関連資料
    3. 12.3 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    4. 12.4 コミュニティ・リソース
    5. 12.5 商標
    6. 12.6 静電気放電に関する注意事項
    7. 12.7 Glossary
  13. 13メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
  • PW|16
  • DBQ|16
  • RGY|16
  • D|16
  • DGV|16
  • RSV|16
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

1 特長

  • 低いオン抵抗(10Ω)
  • 低い電荷注入
  • 非常に優れたオン抵抗マッチング
  • 低い全高調波歪(THD)
  • 1.8V～3.6Vの単電源で動作
  • JESD 78, Class II準拠で100mA超のラッチアップ性能
  • ESD性能はJESD 22に準拠しテスト済み
    • 人体モデルで2000V (A114-B、クラスII)
    • 荷電デバイス・モデルで1000V (C101)