JAJSGZ7A
May 2015 – February 2019
UC1845A-SP
PRODUCTION DATA.
1
特長
2
アプリケーション
3
概要
Device Images
概略回路図
VREF放射線ドリフト曲線
4
改訂履歴
5
概要(続き)
6
Device Comparison Table
7
Pin Configuration and Functions
Pin Functions
8
Specifications
8.1
Absolute Maximum Ratings
8.2
ESD Ratings
8.3
Recommended Operating Conditions
8.4
Thermal Information
8.5
Electrical Characteristics
8.6
Typical Characteristics
9
Detailed Description
9.1
Overview
9.2
Functional Block Diagram
9.3
Feature Description
9.3.1
UVLO
9.3.2
Reference
9.3.3
Totem-Pole Output
9.4
Device Functional Modes
10
Application and Implementation
10.1
Application Information
10.2
Typical Application
10.2.1
Design Requirements
10.2.2
Detailed Design Procedure
10.2.2.1
Oscillator
10.2.2.2
Current Sensing and Limiting
10.2.2.3
Error Amplifier
10.2.3
Application Curves
11
Power Supply Recommendations
12
Layout
12.1
Layout Guidelines
12.1.1
Feedback Traces
12.1.2
Input/Output Capacitors
12.1.3
Compensation Components
12.1.4
Traces and Ground Planes
12.2
Layout Example
13
デバイスおよびドキュメントのサポート
13.1
ドキュメントの更新通知を受け取る方法
13.2
コミュニティ・リソース
13.3
商標
13.4
静電気放電に関する注意事項
13.5
Glossary
14
メカニカル、パッケージ、および注文情報
パッケージ・オプション
メカニカル・データ(パッケージ|ピン)
FK|20
MCQC028
JG|8
MCER001B
HKU|10
MCDF015C
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報
jajsgz7a_oa
jajsgz7a_pm
1
特長
QML Class V (QMLV)認定済み、SMD
5962-86704
5962
P
8670411Vxx
(2)
吸収線量(TID) 30krad(Si)までの
放射線耐性保証(RHA)
MIL-STD-883テスト手法1019.9段落3.13.3.bの定義に従い、1.5xのOver TestにおいてLDR (10 mrad(Si)/s)で45kradの機能および規定のPost-Radiationパラメータ制限に合格
低線量率の感受性を示すが
(1)
、30kradの合計線量レベルにおいて、MIL-STD-883, TM1019で許容されるPre-Radiationの電気的制限範囲内を維持
1.
影響を受けるパラメータ参照出力電圧、VREF放射線ドリフト曲線(
VREF放射線ドリフト曲線
を参照)
DC/DCコンバータ
アプリケーション
用に最適化
低いスタートアップ電流(0.5mA未満)
トリムされた発振器放電電流
自動的なフィードフォワード補償
パルス単位の電流制限
拡張された負荷応答特性
ヒステリシス付きの低電圧誤動作防止(UVLO)
ダブル・パルス抑制
大電流トーテムポール出力
内部トリム付きのバンドギャップ参照
500kHzでの動作
低R
O
のエラー・アンプ
軍事用温度範囲(-55℃~125℃)全体で認定済み
2.
TID放射線特性の強化は、RHAデバイス・タイプ11にのみ適用されます。