JAJSSK9A January   2024  – June 2024 UCC21330

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 ピン構成および機能
  6. 5 仕様
    1. 5.1  絶対最大定格
    2. 5.2  ESD 定格
    3. 5.3  推奨動作条件
    4. 5.4  熱に関する情報
    5. 5.5  電力定格
    6. 5.6  絶縁仕様
    7. 5.7  安全限界値
    8. 5.8  電気的特性
    9. 5.9  スイッチング特性
    10. 5.10 絶縁特性曲線
    11. 5.11 代表的特性
  7. 6 パラメータ測定情報
    1. 6.1 伝搬遅延とパルス幅歪み
    2. 6.2 立ち上がりおよび立ち下がり時間
    3. 6.3 入力とディセーブルの応答時間
    4. 6.4 プログラム可能なデッド・タイム
    5. 6.5 電源オン時の UVLO 出力遅延
    6. 6.6 CMTI テスト
  8. 7 詳細説明
    1. 7.1 概要
    2. 7.2 機能ブロック図
    3. 7.3 機能説明
      1. 7.3.1 VDD、VCCI、低電圧誤動作防止 (UVLO)
      2. 7.3.2 入力および出力論理表
      3. 7.3.3 入力段
      4. 7.3.4 出力段
      5. 7.3.5 UCC21330 のダイオード構造
    4. 7.4 デバイスの機能モード
      1. 7.4.1 ディセーブル・ピン
      2. 7.4.2 プログラマブル・デッド・タイム (DT) ピン
        1. 7.4.2.1 DT ピンを VCC に接続
        2. 7.4.2.2 DT ピンと GND ピンとの間の設定抵抗に接続される DT ピン
  9. 8 アプリケーションと実装
    1. 8.1 アプリケーション情報
    2. 8.2 代表的なアプリケーション
      1. 8.2.1 設計要件
      2. 8.2.2 詳細な設計手順
        1. 8.2.2.1 INA/INB 入力フィルタの設計
        2. 8.2.2.2 外部ブートストラップ・ダイオードとその直列抵抗の選択
        3. 8.2.2.3 ゲート・ドライバの出力抵抗
        4. 8.2.2.4 ゲート - ソース間抵抗の選択
        5. 8.2.2.5 ゲート ドライバの電力損失の推定
        6. 8.2.2.6 推定接合部温度
        7. 8.2.2.7 VCCI、VDDA/B コンデンサの選択
          1. 8.2.2.7.1 VCCI コンデンサの選択
          2. 8.2.2.7.2 VDDA (ブートストラップ) コンデンサの選択
          3. 8.2.2.7.3 VDDB コンデンサの選択
        8. 8.2.2.8 デッド タイム設定の指針
        9. 8.2.2.9 出力段の負バイアスを使う応用回路
      3. 8.2.3 アプリケーション曲線
  10. 9 電源に関する推奨事項
  11. 10レイアウト
    1. 10.1 レイアウトのガイドライン
    2. 10.2 レイアウト例
  12. 11デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 11.1 デバイスのサポート
      1. 11.1.1 サード・パーティ製品に関する免責事項
    2. 11.2 ドキュメントのサポート
      1. 11.2.1 関連資料
    3. 11.3 認定
    4. 11.4 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    5. 11.5 サポート・リソース
    6. 11.6 商標
    7. 11.7 静電気放電に関する注意事項
    8. 11.8 用語集
  13. 12改訂履歴
  14. 13メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
  • D|16
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

5.6 絶縁仕様

パラメータ テスト条件 仕様 単位
全般
CLR 外部空間距離(1) 空気を介した最短のピン間距離 >4 mm
CPG 外部沿面距離(1) パッケージ表面に沿った最短のピン間距離 >4 mm
DTI 絶縁物を介した距離 最小内部ギャップ (内部空間距離) >17 μm
CTI 比較トラッキング インデックス DIN EN 60112 (VDE 0303-11)、IEC 60112 > 400 V
材料グループ IEC 60664-1 に準拠 II
過電圧カテゴリ 定格商用電源 VRMS が 150V 以下 I-IV
定格商用電源 VRMS が 300V 以下 I-III
DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)
VIORM 最大反復ピーク絶縁電圧 AC 電圧 (バイポーラ) 1200 VPK
VIOWM 最大絶縁動作電圧 AC 電圧 (正弦波)、絶縁膜経時破壊 (TDDB) テスト、図 6-1 を参照 850 VRMS
DC 電圧 1200 VDC
VIOTM 最大過渡絶縁電圧 VTEST = VIOTM、t = 60s (認定)、
VTEST = 1.2 × VIOTM、t = 1s (100% 出荷時)		 4242 VPK
VIMP 最大入力パルス電圧 IEC 62368-1 に準拠し空気中でテスト、1.2/50µs の波形 5000 VPK
VIOSM 最大サージ絶縁電圧(2) VIOSM ≧ 1.3 × VIMP、油中でテスト (認定)、1.2/50μs 波形、IEC 62368-1 に準拠 6500 VPK
qpd 見掛けの電荷(3) 方法 a：I/O 安全テスト サブグループ 2/3 の後、Vini = VIOTM、tini = 60s、Vpd(m) = 1.2 × VIORM、tm = 10s ≦ 5 pC
方法 a：環境テスト サブグループ 1 の後、Vini = VIOTM、tini = 60s、Vpd(m) = 1.3 × VIORM、tm = 10s ≦ 5
方法 b1：ルーチン テスト (100% 出荷時) および事前条件設定 (タイプ テスト) の場合、Vini = 1.2 × VIOTM、tini = 1s、Vpd(m) = 1.5 × VIORM、tm = 1s ≦ 5
CIO 絶縁バリア容量、入力から出力へ(4) VIO = 0.4 × sin (2πft)、f = 1MHz ≒1.2 pF
RIO 絶縁抵抗、入力から出力へ(4) VIO = 500V、TA = 25℃ >1012 Ω
VIO = 500V (100℃ ≦ TA ≦ 125℃時) >1011
VIO = 500V (TS = 150℃時) >109
汚染度 2
耐候性カテゴリ 40/125/21
UL 1577
VISO UCC2155x の絶縁耐圧 VTEST = VISO、t = 60s (認定時テスト)、VTEST = 1.2 × VISO、t = 1s (100% 出荷時テスト) 3000 VRMS
(1) 沿面距離および空間距離の要件は、アプリケーション個別の機器絶縁規格に従って適用する必要があります。沿面距離および空間距離を維持するために、プリント基板上でアイソレータの取り付けパッドによってこの距離が短くならないように注意して基板を設計する必要があります。場合によっては、プリント基板上の沿面距離と空間距離が等しくなります。プリント基板上に溝やリブを設けるという技法を使用して、これらの仕様値を大きくすることができます。
(2) テストは、絶縁バリアの固有サージ耐性を判定するため、気中または油中で実行されます。
(3) 見掛けの放電電荷とは、部分放電 (pd) により発生する放電です。
(4) 絶縁バリアのそれぞれの側にあるすべてのピンを互いに接続して、2 つの端子を持つデバイスを構成します。