JAJSGJ2C October   2018  – November 2021 UCC21530

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
  4. 4 改訂履歴
  5. 5 ピン構成および機能
  6. 6 仕様
    1. 6.1  絶対最大定格
    2. 6.2  ESD 定格
    3. 6.3  推奨動作条件
    4. 6.4  熱に関する情報
    5. 6.5  電力定格
    6. 6.6  絶縁仕様
    7. 6.7  安全関連認証
    8. 6.8  安全限界値
    9. 6.9  電気的特性
    10. 6.10 スイッチング特性
    11. 6.11 絶縁特性曲線
    12. 6.12 代表的特性
  7. 7 パラメータ測定情報
    1. 7.1 伝搬遅延とパルス幅歪み
    2. 7.2 立ち上がりおよび立ち下がり時間
    3. 7.3 入力とイネーブルの応答時間
    4. 7.4 プログラム可能なデッド・タイム
    5. 7.5 電源オン時の出力の UVLO 遅延
    6. 7.6 CMTI テスト
  8. 8 詳細説明
    1. 8.1 概要
    2. 8.2 機能ブロック図
    3. 8.3 機能説明
      1. 8.3.1 VDD、VCCI、低電圧誤動作防止 (UVLO)
      2. 8.3.2 入力および出力論理表
      3. 8.3.3 入力段
      4. 8.3.4 出力段
      5. 8.3.5 UCC21530 のダイオード構造
    4. 8.4 デバイスの機能モード
      1. 8.4.1 イネーブル・ピン
      2. 8.4.2 プログラマブル・デッド・タイム (DT) ピン
        1. 8.4.2.1 VCC に接続された DT ピン
        2. 8.4.2.2 DT ピンと GND ピンとの間の設定抵抗に接続される DT ピン
  9. 9 アプリケーションと実装
    1. 9.1 アプリケーション情報
    2. 9.2 代表的なアプリケーション
      1. 9.2.1 設計要件
      2. 9.2.2 詳細な設計手順
        1. 9.2.2.1 INA/INB 入力フィルタの設計
        2. 9.2.2.2 デッド・タイム抵抗およびコンデンサの選択
        3. 9.2.2.3 ゲート・ドライバの出力抵抗
        4. 9.2.2.4 ゲート・ドライバの電力損失の推定
        5. 9.2.2.5 接合部温度の推定
        6. 9.2.2.6 VCCI、VDDA/B コンデンサの選択
          1. 9.2.2.6.1 VCCI コンデンサの選択
        7. 9.2.2.7 他のアプリケーション回路の例
      3. 9.2.3 アプリケーション曲線
  10. 10電源に関する推奨事項
  11. 11レイアウト
    1. 11.1 レイアウトのガイドライン
      1. 11.1.1 部品の配置に関する注意事項
      2. 11.1.2 接地に関する注意事項
      3. 11.1.3 高電圧に関する注意事項
      4. 11.1.4 熱に関する注意事項
    2. 11.2 レイアウト例
  12. 12デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 12.1 ドキュメントのサポート
      1. 12.1.1 関連資料
    2. 12.2 Receiving Notification of Documentation Updates
    3. 12.3 サポート・リソース
    4. 12.4 商標
    5. 12.5 Electrostatic Discharge Caution
    6. 12.6 Glossary
      1.      メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

9.2.3 アプリケーション曲線

図 9-5に、インダクタ負荷として L1 を使用する複数パルスのベンチ・テスト回路を示します。また、ドライバと SiC MOSFET のスイッチング過渡をさまざまな負荷条件のもとで評価するため、制御パルスのグループが生成されます。テスト条件は次のとおりです。VDC-Link = 600V、VCC = 5V、VDD = 15V、VSS = -4V、fSW = 500kHz、RON = 5.1Ω、ROFF = 1.0Ω。約 20A の電流でのオン/オフ波形を、図 9-6 に示します。

チャネル 1 (黄)：ローサイド MOSFET のゲートとソースの間の電圧信号。

チャネル 2 (青)：ハイサイド MOSFET のゲートとソースの間の電圧信号。

チャネル 3 (ピンク)：ローサイド MOSFET のドレインとソースの間の電圧信号。

チャネル 4 (緑)：ローサイド MOSFET のドレインとソースの間の電流信号。

図 9-6 で、ハイサイドとローサイドのパワー・トランジスタのゲート駆動信号のデッドタイムは 100ns で、どちらの信号も 500MHz 以上の帯域幅を持つプローブで測定されます。

GUID-7AA27267-5F77-4756-B112-626DF2B12A0A-low.png図 9-5 SiC MOSFET スイッチングを使用したベンチ・テスト回路
GUID-DE02C788-BB05-416A-B66C-DEF410E0110F-low.png図 9-6 SiC MOSFET のスイッチング波形