JAJSIQ6D June   2020  – August 2024 UCC21540-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 デバイス比較表
  6. 5 ピン構成および機能
  7. 6 仕様
    1. 6.1  絶対最大定格
    2. 6.2  ESD 定格
    3. 6.3  推奨動作条件
    4. 6.4  熱に関する情報
    5. 6.5  電力定格
    6. 6.6  絶縁仕様
    7. 6.7  安全限界値
    8. 6.8  電気的特性
    9. 6.9  スイッチング特性
    10. 6.10 絶縁特性曲線
    11. 6.11 代表的特性
  8. 7 パラメータ測定情報
    1. 7.1 最小パルス
    2. 7.2 伝搬遅延とパルス幅歪み
    3. 7.3 立ち上がりおよび立ち下がり時間
    4. 7.4 入力とディスエーブルの応答時間
    5. 7.5 プログラム可能なデッド タイム
    6. 7.6 電源オン時の出力の UVLO 遅延
    7. 7.7 CMTI テスト
  9. 8 詳細説明
    1. 8.1 概要
    2. 8.2 機能ブロック図
    3. 8.3 機能説明
      1. 8.3.1 VDD、VCCI、低電圧誤動作防止 (UVLO)
      2. 8.3.2 入力および出力論理表
      3. 8.3.3 入力段
      4. 8.3.4 出力段
      5. 8.3.5 UCC21540-Q1 のダイオード構造
    4. 8.4 デバイスの機能モード
      1. 8.4.1 ディセーブル ピン
      2. 8.4.2 プログラマブル・デッド・タイム (DT) ピン
        1. 8.4.2.1 DT ピンを VCCI に接続
        2. 8.4.2.2 DT ピンと GND ピンの間に設定抵抗を接続
  10. 9 アプリケーションと実装
    1. 9.1 アプリケーション情報
    2. 9.2 代表的なアプリケーション
      1. 9.2.1 設計要件
      2. 9.2.2 詳細な設計手順
        1. 9.2.2.1 INA/INB 入力フィルタの設計
        2. 9.2.2.2 デッド タイム抵抗およびコンデンサの選択
        3. 9.2.2.3 外部ブートストラップ ダイオードとその直列抵抗の選択
        4. 9.2.2.4 ゲート・ドライバの出力抵抗
        5. 9.2.2.5 ゲート - ソース間抵抗の選択
        6. 9.2.2.6 ゲート・ドライバの電力損失の推定
        7. 9.2.2.7 接合部温度の推定
        8. 9.2.2.8 VCCI、VDDA/B コンデンサの選択
          1. 9.2.2.8.1 VCCI コンデンサの選択
          2. 9.2.2.8.2 VDDA (ブートストラップ) コンデンサの選択
          3. 9.2.2.8.3 VDDB コンデンサの選択
        9. 9.2.2.9 出力段の負バイアスを使う応用回路
      3. 9.2.3 アプリケーション曲線
  11. 10電源に関する推奨事項
  12. 11レイアウト
    1. 11.1 レイアウトのガイドライン
      1. 11.1.1 部品の配置に関する注意事項
      2. 11.1.2 接地に関する注意事項
      3. 11.1.3 高電圧に関する注意事項
      4. 11.1.4 熱に関する注意事項
    2. 11.2 レイアウト例
  13. 12デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 12.1 サード・パーティ製品に関する免責事項
    2. 12.2 ドキュメントのサポート
      1. 12.2.1 関連資料
    3. 12.3 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    4. 12.4 サポート・リソース
    5. 12.5 商標
    6. 12.6 静電気放電に関する注意事項
    7. 12.7 用語集
  14. 13改訂履歴
  15. 14メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
  • DWK|14
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

6.4 熱に関する情報

熱評価基準(1)UCC21540-Q1単位
DWK (SOIC)
RθJA接合部から周囲への熱抵抗74.1℃/W
RθJC(top)接合部からケース (上面) への熱抵抗34.1℃/W
RθJB接合部から基板への熱抵抗32.8℃/W
ψJT接合部から上面への特性パラメータ23.7℃/W
ψJB接合部から基板への特性パラメータ32.1℃/W
(1) 従来および最新の熱測定基準の詳細については、アプリケーション レポート『半導体および IC パッケージの熱評価基準』(SPRA953) を参照してください。