JAJSIQ6D June   2020  – August 2024 UCC21540-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特長
  3. アプリケーション
  4. 概要
  5. デバイス比較表
  6. ピン構成および機能
  7. 仕様
    1. 6.1  絶対最大定格
    2. 6.2  ESD 定格
    3. 6.3  推奨動作条件
    4. 6.4  熱に関する情報
    5. 6.5  電力定格
    6. 6.6  絶縁仕様
    7. 6.7  安全限界値
    8. 6.8  電気的特性
    9. 6.9  スイッチング特性
    10. 6.10 絶縁特性曲線
    11. 6.11 代表的特性
  8. パラメータ測定情報
    1. 7.1 最小パルス
    2. 7.2 伝搬遅延とパルス幅歪み
    3. 7.3 立ち上がりおよび立ち下がり時間
    4. 7.4 入力とディスエーブルの応答時間
    5. 7.5 プログラム可能なデッド タイム
    6. 7.6 電源オン時の出力の UVLO 遅延
    7. 7.7 CMTI テスト
  9. 詳細説明
    1. 8.1 概要
    2. 8.2 機能ブロック図
    3. 8.3 機能説明
      1. 8.3.1 VDD、VCCI、低電圧誤動作防止 (UVLO)
      2. 8.3.2 入力および出力論理表
      3. 8.3.3 入力段
      4. 8.3.4 出力段
      5. 8.3.5 UCC21540-Q1 のダイオード構造
    4. 8.4 デバイスの機能モード
      1. 8.4.1 ディセーブル ピン
      2. 8.4.2 プログラマブル・デッド・タイム (DT) ピン
        1. 8.4.2.1 DT ピンを VCCI に接続
        2. 8.4.2.2 DT ピンと GND ピンの間に設定抵抗を接続
  10. アプリケーションと実装
    1. 9.1 アプリケーション情報
    2. 9.2 代表的なアプリケーション
      1. 9.2.1 設計要件
      2. 9.2.2 詳細な設計手順
        1. 9.2.2.1 INA/INB 入力フィルタの設計
        2. 9.2.2.2 デッド タイム抵抗およびコンデンサの選択
        3. 9.2.2.3 外部ブートストラップ ダイオードとその直列抵抗の選択
        4. 9.2.2.4 ゲート・ドライバの出力抵抗
        5. 9.2.2.5 ゲート - ソース間抵抗の選択
        6. 9.2.2.6 ゲート・ドライバの電力損失の推定
        7. 9.2.2.7 接合部温度の推定
        8. 9.2.2.8 VCCI、VDDA/B コンデンサの選択
          1. 9.2.2.8.1 VCCI コンデンサの選択
          2. 9.2.2.8.2 VDDA (ブートストラップ) コンデンサの選択
          3. 9.2.2.8.3 VDDB コンデンサの選択
        9. 9.2.2.9 出力段の負バイアスを使う応用回路
      3. 9.2.3 アプリケーション曲線
  11. 10電源に関する推奨事項
  12. 11レイアウト
    1. 11.1 レイアウトのガイドライン
      1. 11.1.1 部品の配置に関する注意事項
      2. 11.1.2 接地に関する注意事項
      3. 11.1.3 高電圧に関する注意事項
      4. 11.1.4 熱に関する注意事項
    2. 11.2 レイアウト例
  13. 12デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 12.1 サード・パーティ製品に関する免責事項
    2. 12.2 ドキュメントのサポート
      1. 12.2.1 関連資料
    3. 12.3 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    4. 12.4 サポート・リソース
    5. 12.5 商標
    6. 12.6 静電気放電に関する注意事項
    7. 12.7 用語集
  14. 13改訂履歴
  15. 14メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ(パッケージ|ピン)
  • DWK|14
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

ピン構成および機能

UCC21540-Q1 DWK パッケージ14 ピン SOIC上面図図 5-1 DWK パッケージ14 ピン SOIC上面図
表 5-1 ピンの機能
ピン タイプ (1) 説明
名称 番号
DIS 5 I High にアサートすると両方のドライバ出力はディセーブルされ、Low に設定するとイネーブルされます。このピンを使わない場合、ノイズ耐性を向上させるためにグランドに接続することを推奨します。離れた場所にあるマイクロコントローラに接続するときは、DIS ピンに近接して配置した約 1nF の低 ESR/ESL コンデンサを使ってバイパスします。
DT 6 I DT ピンの設定:
  • DT を VCCI に接続すると、DT 機能は無効になり、出力がオーバーラップできるようになります。
  • DT と GND の間に抵抗 (RDT) を配置することで、次の式に従ってデッド タイムを調整できます。DT (ns) = 10 × RDT (kΩ)。ノイズ耐性を向上させるため、DT ピンに近接して配置した 1nF 以下のセラミック コンデンサでこのピンをバイパスすることを推奨します。DT をフローティングのままにすることは推奨しません。
GND 4 P 1 次側のグランド基準。1 次側のすべての信号はこのグランドを基準とします。
INA 1 I A チャネルの入力信号。INA 入力は TTL/CMOS 互換の入力スレッショルドを持っています。このピンは、オープンのままにすると内部で Low にプルされます。このピンを使わない場合、ノイズ耐性を向上させるためにグランドに接続することを推奨します。
INB 2 I B チャネルの入力信号。INB 入力は TTL/CMOS 互換の入力スレッショルドを持っています。このピンは、オープンのままにすると内部で Low にプルされます。このピンを使わない場合、ノイズ耐性を向上させるためにグランドに接続することを推奨します。
NC 7 内部接続なしこのピンはオープンのまま、VCCI に接続、GND に接続のいずれかにできます。
NC 12 SOIC-14 DWK パッケージの場合、ピン 12 とピン 13 は除去されています。
13
OUTA 15 O ドライバ A の出力。A チャネルの FET または IGBT のゲートに接続します。
OUTB 10 O ドライバ B の出力。B チャネルの FET または IGBT のゲートに接続します。
VCCI 3 P 1 次側の電源電圧。本デバイスにできる限り近づけて配置した低 ESR/ESL コンデンサを使って GND に対して局所的にデカップリングします。
VCCI 8 P このピンはピン 3 と内部で短絡しています。
ピン 8~4 の代わりにピン 3~4 をバイパスすることを推奨します。
VDDA 16 P ドライバ A の 2 次側電源。本デバイスにできる限り近づけて配置した低 ESR/ESL コンデンサを使って VSSA に対して局所的にデカップリングします。
VDDB 11 P ドライバ B の 2 次側電源。本デバイスにできる限り近づけて配置した低 ESR/ESL コンデンサを使って VSSB に対して局所的にデカップリングします。
VSSA 14 P 2 次側のドライバ A のグランド。2 次側の A チャネルのグランド リファレンス電圧。
VSSB 9 P 2 次側のドライバ B のグランド。2 次側の B チャネルのグランド リファレンス電圧。
P = 電源、I = 入力、O = 出力