JAJSQD3C May   2023  – August 2024 UCC21550

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特長
  3. アプリケーション
  4. 概要
  5. ピン構成および機能
  6. 仕様
    1. 5.1  絶対最大定格
    2. 5.2  ESD 定格
    3. 5.3  推奨動作条件
    4. 5.4  熱に関する情報
    5. 5.5  電力定格
    6. 5.6  絶縁仕様
    7. 5.7  安全限界値
    8. 5.8  電気的特性
    9. 5.9  スイッチング特性
    10. 5.10 絶縁特性曲線
    11. 5.11 代表的特性
  7. パラメータ測定情報
    1. 6.1 伝搬遅延とパルス幅歪み
    2. 6.2 立ち上がりおよび立ち下がり時間
    3. 6.3 入力とディセーブルの応答時間
    4. 6.4 プログラム可能なデッド・タイム
    5. 6.5 電源オン時の UVLO 出力遅延
    6. 6.6 CMTI テスト
  8. 詳細説明
    1. 7.1 概要
    2. 7.2 機能ブロック図
    3. 7.3 機能説明
      1. 7.3.1 VDD、VCCI、低電圧誤動作防止 (UVLO)
      2. 7.3.2 入力および出力論理表
      3. 7.3.3 入力段
      4. 7.3.4 出力段
      5. 7.3.5 UCC21550 のダイオード構造
    4. 7.4 デバイスの機能モード
      1. 7.4.1 ディセーブル・ピン
      2. 7.4.2 プログラマブル・デッド・タイム (DT) ピン
        1. 7.4.2.1 DT ピンを VCC に接続
        2. 7.4.2.2 DT ピンと GND ピンとの間の設定抵抗に接続される DT ピン
  9. アプリケーションと実装
    1. 8.1 アプリケーション情報
    2. 8.2 代表的なアプリケーション
      1. 8.2.1 設計要件
      2. 8.2.2 詳細な設計手順
        1. 8.2.2.1 INA/INB 入力フィルタの設計
        2. 8.2.2.2 外部ブートストラップ・ダイオードとその直列抵抗の選択
        3. 8.2.2.3 ゲート・ドライバの出力抵抗
        4. 8.2.2.4 ゲート - ソース間抵抗の選択
        5. 8.2.2.5 ゲート ドライバの電力損失の推定
        6. 8.2.2.6 推定接合部温度
        7. 8.2.2.7 VCCI、VDDA/B コンデンサの選択
          1. 8.2.2.7.1 VCCI コンデンサの選択
          2. 8.2.2.7.2 VDDA (ブートストラップ) コンデンサの選択
          3. 8.2.2.7.3 VDDB コンデンサの選択
        8. 8.2.2.8 デッド タイム設定の指針
        9. 8.2.2.9 出力段の負バイアスを使う応用回路
      3. 8.2.3 アプリケーション曲線
  10. 電源に関する推奨事項
  11. 10レイアウト
    1. 10.1 レイアウトのガイドライン
    2. 10.2 レイアウト例
  12. 11デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 11.1 デバイスのサポート
      1. 11.1.1 サード・パーティ製品に関する免責事項
    2. 11.2 ドキュメントのサポート
      1. 11.2.1 関連資料
    3. 11.3 認定
    4. 11.4 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    5. 11.5 サポート・リソース
    6. 11.6 商標
    7. 11.7 静電気放電に関する注意事項
    8. 11.8 用語集
  13. 12改訂履歴
  14. 13メカニカル、パッケージ、および注文情報
    1. 13.1 テープおよびリール情報
    2. 13.2 メカニカル データ

パッケージ・オプション

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ(パッケージ|ピン)
  • DWK|14
  • DW|16
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

DT ピンと GND ピンとの間の設定抵抗に接続される DT ピン

DT ピンと GND の間に抵抗 RDT を配置することで、tDT を設定します。RDT の適切な値は、次のように求めることができます。ここで、RDT の単位は kΩ、tDT の単位は ns です。

式 1. t D T 8.6 × R D T + 13

式 1 は RDT が 1.7kΩ~100kΩ の範囲内のときに真となります。値が 100kΩ を超える RDT を使用することは推奨されません。

入力信号の立ち下がりエッジで、他方の信号の設定済みデッド タイムが作動します。出力信号のデッド タイムは常に、ドライバの設定済みデッド タイムと入力信号自体のデッド タイムのどちらか長い方に設定されます。両方の入力が同時に High になった場合、両方の出力は即座に Low に設定されます。この機能は、貫通電流を防止するために使用され、通常動作時は設定済みデッド タイムの影響を受けません。ドライバのデッド タイム ロジックのさまざまな動作条件を図 7-4 に示し、説明します。

UCC21550 入力信号と入出力ロジックの関係図 7-4 入力信号と入出力ロジックの関係

条件 A:INB が Low、INA が High に遷移します。INB は即座に OUTB を LOW に設定し、設定済みデッド タイムが OUTA に割り当てられます。設定済みデッド タイムの後、OUTA は HIGH に遷移できます。

条件 B:INB が High、INA が Low に遷移します。今度は INA は即座に OUTA を LOW に設定し、設定済みデッド タイムが OUTB に割り当てられます。設定済みデッド タイムの後、OUTB は HIGH に遷移できます。

条件 C:INB が Low になりますが、INA はまだ Low のままです。INB は即座に OUTB を LOW に設定し、設定済みデッド タイムが OUTA に割り当てられます。この例では、入力信号自体のデッド タイムは設定済みデッド タイムよりも長くなっています。したがって、INA が High になると、即座に OUTA が High に設定されます。

条件 D:INA が Low になりますが、INB はまだ Low のままです。INA は即座に OUTA を LOW に設定し、設定済みデッド タイムが OUTB に割り当てられます。INB 自体のデッド タイムは、プログラムされたデッド タイムよりも長くなります。したがって、INB が High になると、即座に OUTB が High に設定されます。

条件 E:INB と OUTB がまだ High のうちに、INA が High に遷移します。オーバーシュートを防止するため、INA は OUTB を即座に Low にプルし、OUTA を Low に維持します。その後 OUTB は LOW に遷移し、設定済みデッド タイムが OUTA に割り当てられます。OUTB はすでに Low になっているため、設定済みデッド タイムの後、OUTA は HIGH に遷移できます。

条件 F:INA と OUTA がまだ High のうちに、INB が High に遷移します。オーバーシュートを防止するため、INB は OUTA を即座に Low にプルし、OUTB を Low に維持します。その後 OUTA は LOW に遷移し、設定済みデッド タイムが OUTB に割り当てられます。OUTA はすでに Low になっているため、設定済みデッド タイムの後、OUTB は HIGH に遷移できます。