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  • UCC21717-Q1 アクティブ保護および絶縁アナログ センシング機能搭載、高 CMTI、車載用 10A ソース / シンク、SiC/IGBT 向け、強化絶縁シングル チャネル ゲート ドライバ

    • JAJSLR1B April   2022  – June 2024 UCC21717-Q1

      PRODUCTION DATA  

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  • UCC21717-Q1 アクティブ保護および絶縁アナログ センシング機能搭載、高 CMTI、車載用 10A ソース / シンク、SiC/IGBT 向け、強化絶縁シングル チャネル ゲート ドライバ
  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 Pin Configuration and Functions
  6. 5 Specifications
    1. 5.1  Absolute Maximum Ratings
    2. 5.2  ESD Ratings
    3. 5.3  Recommended Operating Conditions
    4. 5.4  Thermal Information
    5. 5.5  Power Ratings
    6. 5.6  Insulation Specifications
    7. 5.7  Safety Limiting Values
    8. 5.8  Electrical Characteristics
    9. 5.9  Switching Characteristics
    10. 5.10 Insulation Characteristics Curves
    11. 5.11 Typical Characteristics
  7. 6 Parameter Measurement Information
    1. 6.1 Propagation Delay
      1. 6.1.1 Non-Inverting and Inverting Propagation Delay
    2. 6.2 Input Deglitch Filter
    3. 6.3 Active Miller Clamp
      1. 6.3.1 Internal Active Miller Clamp
    4. 6.4 Undervoltage Lockout (UVLO)
      1. 6.4.1 VCC UVLO
      2. 6.4.2 VDD UVLO
    5. 6.5 Overcurrent (OC) Protection
      1. 6.5.1 OC Protection with Soft Turn-OFF
    6. 6.6 Soft Turn-Off Triggered by RST/EN
      1. 6.6.1 Soft Turn-Off Triggered by RST/EN
  8. 7 Detailed Description
    1. 7.1 Overview
    2. 7.2 Functional Block Diagram
    3. 7.3 Feature Description
      1. 7.3.1  Power Supply
      2. 7.3.2  Driver Stage
      3. 7.3.3  VCC and VDD Undervoltage Lockout (UVLO)
      4. 7.3.4  Active Pulldown
      5. 7.3.5  Short Circuit Clamping
      6. 7.3.6  Internal Active Miller Clamp
      7. 7.3.7  Overcurrent and Short Circuit Protection
      8. 7.3.8  Soft Turn-Off
      9. 7.3.9  Fault (FLT), Reset and Enable (RST/EN)
      10. 7.3.10 Isolated Analog to PWM Signal Function
    4. 7.4 Device Functional Modes
  9. 8 Applications and Implementation
    1. 8.1 Application Information
    2. 8.2 Typical Application
      1. 8.2.1 Design Requirements
      2. 8.2.2 Detailed Design Procedure
        1. 8.2.2.1 Input Filters for IN+, IN-, and RST/EN
        2. 8.2.2.2 PWM Interlock of IN+ and IN-
        3. 8.2.2.3 FLT, RDY, and RST/EN Pin Circuitry
        4. 8.2.2.4 RST/EN Pin Control
        5. 8.2.2.5 Turn-On and Turn-Off Gate Resistors
        6. 8.2.2.6 Overcurrent and Short Circuit Protection
          1. 8.2.2.6.1 Protection Based on Power Modules with Integrated SenseFET
          2. 8.2.2.6.2 Protection Based on Desaturation Circuit
          3. 8.2.2.6.3 Protection Based on Shunt Resistor in Power Loop
        7. 8.2.2.7 Isolated Analog Signal Sensing
          1. 8.2.2.7.1 Isolated Temperature Sensing
          2. 8.2.2.7.2 Isolated DC Bus Voltage Sensing
        8. 8.2.2.8 Higher Output Current Using an External Current Buffer
  10. 9 Power Supply Recommendations
  11. 10Layout
    1. 10.1 Layout Guidelines
    2. 10.2 Layout Example
  12. 11Device and Documentation Support
    1. 11.1 Device Support
      1. 11.1.1 サード・パーティ製品に関する免責事項
    2. 11.2 Documentation Support
      1. 11.2.1 Related Documentation
    3. 11.3 Receiving Notification of Documentation Updates
    4. 11.4 サポート・リソース
    5. 11.5 Trademarks
    6. 11.6 静電気放電に関する注意事項
    7. 11.7 用語集
  13. 12Revision History
  14. 13Mechanical, Packaging, and Orderable Information
  15. 重要なお知らせ

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
  • DW|16
    • MSOI003I
サーマルパッド・メカニカル・データ
  • DW|16
    • QFND505A
発注情報
  • jajslr1b_oa
  • jajslr1b_pm
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Data Sheet

UCC21717-Q1 アクティブ保護および絶縁アナログ センシング機能搭載、高 CMTI、車載用 10A ソース / シンク、SiC/IGBT 向け、強化絶縁シングル チャネル ゲート ドライバ

このリソースの元の言語は英語です。 翻訳は概要を便宜的に提供するもので、自動化ツール (機械翻訳) を使用していることがあり、TI では翻訳の正確性および妥当性につきましては一切保証いたしません。 実際の設計などの前には、ti.com で必ず最新の英語版をご参照くださいますようお願いいたします。

最新の英語版をダウンロード

1 特長

  • 5.7kVRMS のシングル チャネル絶縁型ゲート ドライバ
  • 車載アプリケーション向けに AEC-Q100 認証済み
    • デバイス温度グレード 1：動作時周囲温度範囲 -40℃～+125℃
  • 機能安全品質管理
    • 機能安全システムの設計に役立つ資料を利用可能
  • 最高 2121Vpk の SiC MOSFET および IGBT
  • 出力駆動電圧 (VDD-VEE)：33V (最大値)
  • ±10A の駆動能力と分割出力
  • 最小 CMTI：150V/ns
  • 270ns の応答時間による高速過電流保護
  • 4A の内部アクティブ ミラー クランプ
  • 400mA のソフト ターンオフ オプション (フォルト検出時)
  • PWM 出力を備えた絶縁アナログ センサで
    • NTC、PTC、サーマル ダイオードによる温度センシング
    • 高電圧 DC リンクまたは相電圧
  • 過電流 FLT アラームと RST/EN からのリセット
  • RST/EN によるデバイスのディセーブルでソフト ターンオフを起動
  • 入力ピンの 40ns 未満のノイズ過渡およびパルスを除去
  • 12V VDD UVLO (RDY のパワー グッド付き)
  • 最大 5V のオーバー / アンダーシュート過渡電圧に耐える入力 / 出力
  • 伝搬遅延時間：130ns (最大値)、パルス / 部品スキュー：30ns (最大値)
  • 沿面距離と空間距離が 8mm を超える SOIC-16 DW パッケージ
  • 動作時の接合部温度：–40℃～150℃

2 アプリケーション

  • EV 用トラクション・インバータ
  • オンボード・チャージャおよび充電ステーション
  • HEV/EV 用 DC/DC コンバータ

3 概要

UCC21717-Q1 は、最大 1700V の SiC MOSFET および IGBT を駆動するように設計された、ガルバニック絶縁シングル チャネル ゲート ドライバです。先進的な内蔵保護機能、クラス最高の動的性能および堅牢性を備えています。UCC21717-Q1 は、最大 ±10A のピーク ソース / シンク電流を供給できます。

入力側は SiO2 容量性絶縁技術によって出力側から絶縁されており、最大 1.5kVRMS の動作電圧、絶縁バリア寿命が 40 年を超える 12.8kVPK のサージ耐性を備えるとともに、小さい部品間スキュー、 150V/ns を超える同相ノイズ耐性 (CMTI) を実現しています。

UCC21717-Q1 は、高速の過電流および短絡検出、シャント電流センシング、フォルト通知、アクティブ ミラー クランプ、入力側および出力側電源 UVLO などの最新の保護機能を備えているため、SiC および IGBT のスイッチング動作や堅牢性を最適化できます。アナログから PWM へ信号を変換する、この絶縁型センサは、温度または電圧のセンシングを簡単に行えるため、ドライバの汎用性をさらに高め、システムの設計工数、サイズ、およびコストを簡素化できます。

製品情報
部品番号パッケージ (1)本体サイズ (公称)
UCC21717-Q1DW (SOIC 16)10.3mm × 7.5mm
(1) 供給されているすべてのパッケージについては、セクション 13 を参照してください。
UCC21717-Q1 デバイスのピン構成デバイスのピン構成

4 Pin Configuration and Functions

UCC21717-Q1 UCC21717-Q1 DW Package SOIC 16 PinsTop View Figure 4-1 UCC21717-Q1 DW Package SOIC 16 PinsTop View
Table 4-1 Pin Functions
PIN I/O(1) DESCRIPTION
NAME NO.
AIN 1 I Isolated analog sensing input, parallel a small capacitor to COM for better noise immunity. Tie to COM if unused.
OC 2 I Over current detection pin, support lower threshold for SenseFET, DESAT, and shunt resistor sensing. Tie to COM is unused.
COM 3 P Common ground reference, connecting to emitter pin for IGBT or source pin for SiC-MOSFET
OUTH 4 O Gate driver output pull up
VDD 5 P Positive supply rail for gate drive voltage, Bypassing a >10-μF capacitor to COM to support specified gate driver source peak current capability. Place decoupling capacitor close to the pin.
OUTL 6 O Gate driver output pull down
CLMPI 7 O Internal Active miller clamp, connecting this pin directly to the gate of the power transistor. Leave floating or tie to VEE if unused.
VEE 8 P Negative supply rail for gate drive voltage. Bypassing a >10-μF capacitor to COM to support specified gate driver sink peak current capability. Place decoupling capacitor close to the pin.
GND 9 P Input power supply and logic ground reference
IN+ 10 I Non-inverting gate driver control input. Tie to VCC if unused.
IN– 11 I Inverting gate driver control input. Tie to GND if unused.
RDY 12 O Power good for VCC-GND and VDD-COM. RDY is open drain configuration and can be paralleled with other RDY signals
FLT 13 O Active low fault alarm output upon over current or short circuit. FLT is in open drain configuration and can be paralleled with other faults
RST/EN 14 I The RST/EN serves two purposes:
1) Enable soft shutdown of the output side. The output is turned off by a soft turn off (STO) if EN is set to low;
2) Resets the OC condition signaled on FLT pin if terminal RST/EN is set to low for more than 1000ns. A reset of signal FLT is asserted at the rising edge of terminal RST/EN.
For automatic RESET function, this pin only serves as an EN pin. Enable / shutdown of the output side. The FET is turned off by a soft turn-off, if terminal EN is set to low.
VCC 15 P Input power supply from 3V to 5.5V, bypassing a >1-μF capacitor to GND. Place decoupling capacitor close to the pin.
APWM 16 O Isolated Analog Sensing PWM output. Leave floating if unused.
(1) P = Power, G = Ground, I = Input, O = Output

 
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