JAJSHZ5D September 2019 – November 2023 UCC21750-Q1
PRODUCTION DATA
UCC21750-Q1 は、先進の保護機能、クラス最高の動的性能、堅牢性を持ち合わせ、最高 2121V (DC) で動作する SiC MOSFET および IGBT 用に設計されたガルバニック絶縁型シングル・チャネル・ゲート・ドライバです。UCC21750-Q1 は最大 ±10A のピーク・ソース / シ ンク電流を供給できます。
入力側は SiO2 容量性絶縁技術によって出力側から絶縁され、最大 1.5kVRMS の動作電圧に対応し、40 年を超える寿命の絶縁バリアにより 12.8kVPK のサージ耐性を備えるとともに、部品間スキューが小さく、150V/ns を超える同相ノイズ耐性 (CMTI) を実現しています。
UCC21750-Q1 は、高速の過電流および短絡検出、シャント電流センシング、フォルト通知、アクティブ・ミラー・クランプ、入力側および出力側電源 UVLO などの最新の保護機能を備えているため、SiC および IGBT のスイッチング動作や堅牢性を最適化できます。アナログから PWM へ信号を変換する、この絶縁型センサは、温度または電圧のセンシングを簡単に行えるため、ドライバの汎用性をさらに高め、システムの設計工数、サイズ、およびコストを簡素化できます。
部品番号 | パッケージ(1) | 本体サイズ (公称) |
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UCC21750-Q1 | DW SOIC-16 | 10.3mm × 7.5mm |