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  • UCC21755-Q1 アクティブ保護および絶縁アナログ・センシング機能搭載、高 CMTI、車載用 10A ソース / シンク、SiC/IGBT 向け、強化絶縁型シングル・チャネル・ゲート・ドライバ

    • JAJSMH8 September   2022 UCC21755-Q1

      PRODUCTION DATA  

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  • UCC21755-Q1 アクティブ保護および絶縁アナログ・センシング機能搭載、高 CMTI、車載用 10A ソース / シンク、SiC/IGBT 向け、強化絶縁型シングル・チャネル・ゲート・ドライバ
  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
  4. 4 Revision History
  5. 5 Pin Configuration and Functions
  6. 6 Specifications
    1. 6.1  Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2  ESD Ratings
    3. 6.3  Recommended Operating Conditions
    4. 6.4  Thermal Information
    5. 6.5  Power Ratings
    6. 6.6  Insulation Specifications
    7. 6.7  Safety Limiting Values
    8. 6.8  Electrical Characteristics
    9. 6.9  Switching Characteristics
    10. 6.10 Insulation Characteristics Curves
    11. 6.11 Typical Characteristics
  7. 7 Parameter Measurement Information
    1. 7.1 Propagation Delay
      1. 7.1.1 Non-Inverting and Inverting Propagation Delay
    2. 7.2 Input Deglitch Filter
    3. 7.3 Active Miller Clamp
      1. 7.3.1 Internal On-Chip Active Miller Clamp
    4. 7.4 Undervoltage Lockout (UVLO)
      1. 7.4.1 VCC UVLO
      2. 7.4.2 VDD UVLO
    5. 7.5 Desaturation (DESAT) Protection
      1. 7.5.1 DESAT Protection with Soft Turn-OFF
  8. 8 Detailed Description
    1. 8.1 Overview
    2. 8.2 Functional Block Diagram
    3. 8.3 Feature Description
      1. 8.3.1  Power Supply
      2. 8.3.2  Driver Stage
      3. 8.3.3  VCC and VDD Undervoltage Lockout (UVLO)
      4. 8.3.4  Active Pulldown
      5. 8.3.5  Short Circuit Clamping
      6. 8.3.6  Internal Active Miller Clamp
      7. 8.3.7  Desaturation (DESAT) Protection
      8. 8.3.8  Soft Turn-Off
      9. 8.3.9  Fault (FLT), Reset and Enable (RST/EN)
      10. 8.3.10 Isolated Analog to PWM Signal Function
    4. 8.4 Device Functional Modes
  9. 9 Applications and Implementation
    1. 9.1 Application Information
    2. 9.2 Typical Application
      1. 9.2.1 Design Requirements
      2. 9.2.2 Detailed Design Procedure
        1. 9.2.2.1 Input Filters for IN+, IN- and RST/EN
        2. 9.2.2.2 PWM Interlock of IN+ and IN-
        3. 9.2.2.3 FLT, RDY, and RST/EN Pin Circuitry
        4. 9.2.2.4 RST/EN Pin Control
        5. 9.2.2.5 Turn-On and Turn-Off Gate Resistors
        6. 9.2.2.6 Overcurrent and Short Circuit Protection
        7. 9.2.2.7 Isolated Analog Signal Sensing
          1. 9.2.2.7.1 Isolated Temperature Sensing
          2. 9.2.2.7.2 Isolated DC Bus Voltage Sensing
        8. 9.2.2.8 Higher Output Current Using an External Current Buffer
      3. 9.2.3 Application Curves
  10. 10Power Supply Recommendations
  11. 11Layout
    1. 11.1 Layout Guidelines
    2. 11.2 Layout Example
  12. 12Device and Documentation Support
    1. 12.1 Device Support
      1. 12.1.1 Third-Party Products Disclaimer
    2. 12.2 Documentation Support
      1. 12.2.1 Related Documentation
    3. 12.3 Receiving Notification of Documentation Updates
    4. 12.4 サポート・リソース
    5. 12.5 Trademarks
    6. 12.6 Electrostatic Discharge Caution
    7. 12.7 Glossary
  13. 13Mechanical, Packaging, and Orderable Information
  14. 重要なお知らせ

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
  • DW|16
    • MSOI003I
サーマルパッド・メカニカル・データ
  • DW|16
    • QFND505A
発注情報
  • jajsmh8_oa
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DATA SHEET

UCC21755-Q1 アクティブ保護および絶縁アナログ・センシング機能搭載、高 CMTI、車載用 10A ソース / シンク、SiC/IGBT 向け、強化絶縁型シングル・チャネル・ゲート・ドライバ

このリソースの元の言語は英語です。 翻訳は概要を便宜的に提供するもので、自動化ツール (機械翻訳) を使用していることがあり、TI では翻訳の正確性および妥当性につきましては一切保証いたしません。 実際の設計などの前には、ti.com で必ず最新の英語版をご参照くださいますようお願いいたします。

1 特長

  • 5.7kVRMS のシングル・チャネル絶縁型ゲート・ドライバ
  • 下記内容で AEC-Q100 認定済み：
    • デバイス温度グレード 0：-40℃～+150℃の動作時周囲温度範囲
    • デバイス HBM ESD 分類レベル 3A
    • デバイス CDM ESD 分類レベル C6
  • 機能安全品質管理
    • 機能安全システムの設計に役立つ資料を利用可能
  • 最高 2121Vpk の SiC MOSFET および IGBT
  • 最高出力駆動電圧 (VDD-VEE)：33V
  • ±10A の駆動能力と分割出力
  • CMTI：150V/ns 以上
  • 応答時間 200ns の高速DESAT保護 (5V スレッショルド)
  • 4A の内部アクティブ・ミラー・クランプ
  • フォルト発生時の 400mA ソフト・ターンオフ
  • PWM 出力を備えた絶縁アナログ・センサで
    • NTC、PTC、サーマル・ダイオードによる温度センシング
    • 高電圧 DC リンクまたは相電圧
  • 過電流時の FLT アラームと RST/EN からのリセット
  • RST/EN での高速イネーブル / ディセーブル応答
  • 入力ピンの 40ns 未満のノイズ過渡およびパルスを除去
  • 12V VDD UVLO (RDY によるパワー・グッド通知付き)
  • 最大 5V のオーバーシュートまたはアンダーシュート過渡電圧に耐える入力 / 出力
  • 伝搬遅延時間：130ns 以下、パルス/部品スキュー：30ns 以下
  • 沿面距離と空間距離が 8mm を超える SOIC-16 DW パッケージ
  • 動作時の接合部温度：–40℃～150℃

2 アプリケーション

  • EV 用トラクション・インバータ
  • オンボード・チャージャおよび充電ステーション
  • HEV/EV 用 DC/DC コンバータ

 
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