JAJSJG8B August 2020 – February 2024 UCC21759-Q1
PRODUCTION DATA
UCC21759-Q1 は、先進の保護機能、クラス最高の動的性能、堅牢性を持ち合わせ、最高 990V (DC) で動作する SiC MOSFET および IGBT 用に設計されたガルバニック絶縁型シングル チャネル ゲート ドライバです。UCC21759-Q1 は、最大 ±10A のピーク ソース / シンク電流を供給できます。
入力側は SiO2 容量性絶縁技術によって出力側から絶縁され、最大 636VRMS の動作電圧に対応し、40 年を超える寿命の絶縁バリアにより 6kVPK のサージ耐性を備えるとともに、部品間スキューが小さく、>150V/ns の同相ノイズ耐性 (CMTI) を実現しています。
UCC21759-Q1 は、高速の過電流および短絡検出、フォルト通知、アクティブ ミラー クランプ、入力側および出力側電源 UVLO などの最新の保護機能を備えているため、SiC および IGBT パワー トランジスタを最適化できます。アナログから PWM へ信号を変換する、この絶縁型センサは、温度または電圧のセンシングを簡単に行えるため、ドライバの汎用性をさらに高め、システムの設計工数、サイズ、およびコストを簡素化できます。
部品番号 | パッケージ(1) | 本体サイズ (公称) |
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UCC21759-Q1 | DW (SOIC-16) | 10.3mm × 7.5mm |