JAJSKQ8B October   2019  – March 2021 UCC23313-Q1

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
  4. 4 Revision History
  5. 5 Pin Configuration and Function
    1.     Pin Functions
  6. 6 Specifications
    1. 6.1  Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2  ESD Ratings
    3. 6.3  Recommended Operating Conditions
    4. 6.4  Thermal Information
    5. 6.5  Power Ratings
    6. 6.6  Insulation Specifications
    7. 6.7  Safety-Related Certifications
    8. 6.8  Safety Limiting Values
    9. 6.9  Electrical Characteristics
    10. 6.10 Switching Characteristics
    11. 6.11 Insulation Characteristics Curves
    12. 6.12 Typical Characteristics
  7. 7 Parameter Measurement Information
    1. 7.1 Propagation Delay, rise time and fall time
    2. 7.2 IOH and IOL testing
    3. 7.3 CMTI Testing
  8. 8 Detailed Description
    1. 8.1 Overview
    2. 8.2 Functional Block Diagram
    3. 8.3 Feature Description
      1. 8.3.1 Power Supply
      2. 8.3.2 Input Stage
      3. 8.3.3 Output Stage
      4. 8.3.4 Protection Features
        1. 8.3.4.1 Undervoltage Lockout (UVLO)
        2. 8.3.4.2 Active Pulldown
        3. 8.3.4.3 Short-Circuit Clamping
    4. 8.4 Device Functional Modes
      1. 8.4.1 ESD Structure
  9. 9 Application and Implementation
    1. 9.1 Application Information
    2. 9.2 Typical Application
      1. 9.2.1 Design Requirements
      2. 9.2.2 Detailed Design Procedure
        1. 9.2.2.1 Selecting the Input Resistor
        2. 9.2.2.2 Gate Driver Output Resistor
        3. 9.2.2.3 Estimate Gate-Driver Power Loss
        4. 9.2.2.4 Estimating Junction Temperature
        5. 9.2.2.5 Selecting VCC Capacitor
      3. 9.2.3 Application Performance Plots
  10. 10Power Supply Recommendations
  11. 11Layout
    1. 11.1 Layout Guidelines
    2. 11.2 Layout Example
    3. 11.3 PCB Material
  12. 12Mechanical, Packaging, and Orderable Information

パッケージ・オプション

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
  • DWY|6
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

3 概要

UCC23313-Q1 は、IGBT、MOSFET、SiC MOSFET 用の、フォトカプラ互換、シングル・チャネル絶縁型ゲート・ドライバです。ソース 4.5A、シンク 5.3A のピーク電流を出力でき、3.75kVRMS の基本絶縁定格を持っています。電源電圧範囲が 33V と高いため、バイポーラ電源を使用して IGBT および SiC パワー FET を効果的に駆動できます。UCC23313-Q1 は、ローサイドとハイサイドの両方のパワー FET を駆動できます。主な機能と特性は、標準的なフォトカプラ・ベースのゲート・ドライバに比べて性能と信頼性を大幅に向上させると同時に、回路設計とレイアウト設計の両方でピン互換性を維持しています。同相過渡耐性 (CMTI) が高く、伝搬遅延時間が短く、パルス幅歪みが小さいという特長があります。厳密なプロセス制御により、部品間スキューも小さくなっています。入力段はダイオード・エミュレーション (e-diode) であり、フォトカプラ・ゲート・ドライバで使われている従来型 LED に比べて、長期的な信頼性と優れた経時特性を実現します。本デバイスは、材料グループ I (比較トラッキング指数 (CTI) > 600V) のモールド・コンパウンドを採用した、沿面距離と空間距離がどちらも 8.5mm を超えるストレッチ SO6 パッケージで供給されます。UCC23313-Q1 は高性能でありかつ信頼性が高いため、トラクション・インバータ、オンボード・チャージャ、DC 充電ステーション、車載 HVAC、暖房システムなど、車載用モータ駆動に理想的です。高い温度で動作するため、従来のフォトカプラでは対応できなかったアプリケーションで活用する機会が広がります。

製品情報(1)
部品番号 パッケージ 本体サイズ (公称)
UCC23313-Q1 ストレッチ SO-6 7.5mm × 4.68mm
(1) 利用可能なすべてのパッケージについては、このデータシートの末尾にある注文情報を参照してください。
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