JAJSEI9B October   2017  – January 2018 UCC28056

PRODUCTION DATA.  

  1. 特長
  2. アプリケーション
  3. 概要
    1.     スタンバイ消費電力
      1.      Device Images
        1.       アプリケーション概略図
  4. 改訂履歴
  5. 端子構成および機能
    1.     端子機能
  6. 仕様
    1. 6.1 絶対最大定格
    2. 6.2 ESD定格
    3. 6.3 推奨動作条件
    4. 6.4 熱特性
    5. 6.5 電気的特性
    6. 6.6 代表的特性
  7. 詳細説明
    1. 7.1 概要
    2. 7.2 機能ブロック図
    3. 7.3 機能説明
      1. 7.3.1 CrM/DCM制御原理
      2. 7.3.2 入力電圧フィードフォワード
        1. 7.3.2.1 ピーク入力電圧検出
      3. 7.3.3 バレー・スイッチングとCrM/DCMヒステリシス
        1. 7.3.3.1 バレー遅延調整
      4. 7.3.4 過渡応答高速化機能を備えたトランスコンダクタンス・アンプ
      5. 7.3.5 異常と保護
        1. 7.3.5.1 電源低電圧誤動作防止
        2. 7.3.5.2 2つの値の過電流保護
          1. 7.3.5.2.1 サイクル単位の電流制限Ocp1
          2. 7.3.5.2.2 Ocp2による重大過電流/CCM保護
        3. 7.3.5.3 出力過電圧保護
          1. 7.3.5.3.1 1次出力過電圧保護(Ovp1)
          2. 7.3.5.3.2 2次過電圧保護(Ovp2)
        4. 7.3.5.4 過熱保護動作
        5. 7.3.5.5 低入力電圧/ブラウンイン
      6. 7.3.6 大電流ドライバ
    4. 7.4 コントローラの機能モード
      1. 7.4.1 バースト・モード動作
      2. 7.4.2 ソフト・スタート
  8. アプリケーションと実装
    1. 8.1 アプリケーション情報
    2. 8.2 代表的なアプリケーション
      1. 8.2.1 設計要件
      2. 8.2.2 詳細な設計手順
        1. 8.2.2.1 WEBENCH®ツールによるカスタム設計
        2. 8.2.2.2 電力段設計
          1. 8.2.2.2.1 ブースト・インダクタ設計
          2. 8.2.2.2.2 ブースト・スイッチの選定
          3. 8.2.2.2.3 ブースト・ダイオードの選定
          4. 8.2.2.2.4 出力コンデンサの選定
        3. 8.2.2.3 ZCD/CS端子
          1. 8.2.2.3.1 ZCD/CS端子波形に生じる電圧スパイク
        4. 8.2.2.4 VOSNS端子
        5. 8.2.2.5 電圧ループ補償
          1. 8.2.2.5.1 プラント・モデル
          2. 8.2.2.5.2 補償設計
      3. 8.2.3 アプリケーション曲線
  9. 電源に関する推奨事項
  10. 10レイアウト
    1. 10.1 レイアウトのガイドライン
      1. 10.1.1 VOSNS端子
      2. 10.1.2 ZCD/CS端子
      3. 10.1.3 VCC端子
      4. 10.1.4 GND端子
      5. 10.1.5 DRV端子
      6. 10.1.6 COMP端子
    2. 10.2 レイアウト例
  11. 11デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 11.1 WEBENCH®ツールによるカスタム設計
    2. 11.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 11.3 コミュニティ・リソース
    4. 11.4 商標
    5. 11.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 11.6 Glossary
  12. 12メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ(パッケージ|ピン)
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

電気的特性

動作温度範囲内(特に記述のない限り)
PARAMETER TEST CONDITIONS MIN TYP MAX UNIT
電源電圧
VCCStart 起動開始閾値 VCC立ち上がり 10.65 11 V
VCCStop 停止閾値 VCC立ち下がり 8.5 8.85 9.2 V
VCCHyst UVLOヒステリシス(VCCStart - VCCStop) (1) 1.5 V
TUVLOBlk 動作停止ブランキング時間 27 35 42 µs
消費電流
ICC_Startup 起動開始前消費電流 VCC=VCCStart-200mV、TA<110℃ 46 µA
ICC_FAULT 異常検出状態での消費電流 VCC=12V 130 µA
ICC_BSTOFF バースト・オフ期間中の消費電流 VCC=12V 132 µA
ICC_RUN DRV端子無負荷時動作電流 VCC=12V 1.8 2.2 mA
ゲート・トライブ
VDRLow DRV出力低電圧 IDR=100mA 0.9 V
VDRHigh DRV出力電圧高値、制限付き VCC=25V、IDR=-10mA 10 13.7 15 V
VDRHighMin DRV最小高電圧値 VCC=VCCStop+200mV、IDR=-8mA 8 V
RDRH DRV、プルアップ抵抗 TA=-40℃~125℃、IDR=-8mA、VCC=12V 9.7 16 Ω
RDRL DRV、プルダウン抵抗 TA=-40℃~125℃、IDR=100mA 2.0 4.6 9 Ω
tR 立ち上がり時間 CLOAD=1nF、DRV=1V~6V、VCC=12V 10 34 61 ns
tF 立ち下がり時間 CLOAD=1nF、DRV=6V~1V、VCC=12V 4 15 40 ns
Isource DRV端子のソース・ピーク電流 (1) -0.7 A
Isink DRV端子のシンク・ピーク電流 (1) 1 A
RDG0 TZCDR0を選択するDRV-GND間の抵抗値 (1) 130 200
RDG1 TZCDR1を選択するDRV-GND間の抵抗値 (1) 81.18 82 82.82
RDG2 TZCDR2を選択するDRV-GND間の抵抗値 (1) 61.38 62 62.62
RDG3 TZCDR3を選択するDRV-GND間の抵抗値 (1) 42.57 43 43.43
RDG4 TZCDR4を選択するDRV-GND間の抵抗値 (1) 26.73 27 27.27
RDG5 TZCDR5を選択するDRV-GND間の抵抗値 (1) 17.82 18 18.18
RDG6 TZCDR6を選択するDRV-GND間の抵抗値 (1) 12.87 13 13.13
RDG7 TZCDR7を選択するDRV-GND間の抵抗値 (1) 9 9.1 9.2
TDGSmpl RDG値の検出に要する時間。 TA<85℃ 3.95 4.4 4.95 ms
VDGClmp RDG値の検出中にDRV端子で印加される最大電圧。 1 1.05 1.1 V
エラー・アンプ
VOSReg 帰還基準電圧 2.45 2.5 2.55 V
IOSBias ISNS端子バイアス電流 VOS=VOSReg -100 100 nA
gM エラー・アンプ・トランスコンダクタンス・ゲイン |VOS-VOSReg|<DSuThs 50 µS
gMNL 大きな誤差におけるエラー・アンプ・トランスコンダクタンス・ゲイン |VOS-VOSReg|>DSuThs 300 µS
DSuThs 非線形ゲイン閾値 67 mV
RCODisch STOPb状態でのCOMP-GND間の内蔵抵抗。 4.3 5 5.7
VCOClmp COMP端子内部高クランプ電圧 5.5 5.6 5.71 V
VCOSat COMP端子内部低クランプ電圧 (1) 0 V
ICOMin COMP最大ソース電流 -120 µA
ICOMax COMP最大シンク電流 120 µA
入力電圧フィードフォワード
THLinMax 入力ピーク・サンプリング・ウィンドウ (1) スイッチング中 11 12.3 13.6 ms
VFF0Rise GFF0からGFF1に切り替わるコンパレータ立ち上がり閾値(1) 0.348 V
VFF1Rise GFF1からGFF2に切り替わるコンパレータ立ち上がり閾値 (1) 0.406 V
VFF2Rise GFF2からGFF3に切り替わるコンパレータ立ち上がり閾値(1) 0.473 V
VFF3Rise GFF3からGFF4に切り替わるコンパレータ立ち上がり閾値(1) 0.552 V
VFF4Rise GFF4からGFF5に切り替わるコンパレータ立ち上がり閾値(1) 0.644 V
VFF5Rise GFF5からGFF6に切り替わるコンパレータ立ち上がり閾値(1) 0.751 V
VFF6Rise GFF6からGFF7に切り替わるコンパレータ立ち上がり閾値(1) 0.875 V
VFF0Fall GFF1からGFF0に切り替わるコンパレータ立ち下がり閾値(1) VInSynthのピーク値(THLinMaxウィンドウ内) 0.331 V
VFF1Fall GFF2からGFF1に切り替わるコンパレータ立ち下がり閾値(1) VInSynthのピーク値(THLinMaxウィンドウ内) 0.386 V
VFF2Fall GFF3からGFF2に切り替わるコンパレータ立ち下がり閾値(1) VInSynthのピーク値(THLinMaxウィンドウ内) 0.45 V
VFF3Fall GFF4からGFF3に切り替わるコンパレータ立ち下がり閾値(1) VInSynthのピーク値(THLinMaxウィンドウ内) 0.524 V
VFF4Fall GFF5からGFF4に切り替わるコンパレータ立ち下がり閾値(1) VInSynthのピーク値(THLinMaxウィンドウ内) 0.612 V
VFF5Fall GFF6からGFF5に切り替わるコンパレータ立ち下がり閾値(1) VInSynthのピーク値(THLinMaxウィンドウ内) 0.713 V
VFF6Fall GFF7からGFF6に切り替わるコンパレータ立ち下がり閾値(1) VInSynthのピーク値(THLinMaxウィンドウ内) 0.832 V
GFF0 入力フィードフォワード・ゲイン値0 (1) 1 V
GFF1 入力フィードフォワード・ゲイン値1 (1) 0.735 V
GFF2 入力フィードフォワード・ゲイン値2 (1) 0.541 V
GFF3 入力フィードフォワード・ゲイン値3 (1) 0.398 V
GFF4 入力フィードフォワード・ゲイン値4 (1) 0.292 V
GFF5 入力フィードフォワード・ゲイン値5 (1) 0.215 V
GFF6 入力フィードフォワード・ゲイン値6 (1) 0.158 V
GFF7 入力フィードフォワード・ゲイン値7 (1) 0.116 V
最大オン時間
TONMAX0 GFF=GFF0のときの最大オン時間 12.1 12.8 13.2 µs
TONMAX1 GFF=GFF1のときの最大オン時間 10.42 10.98 11.28 µs
TONMAX2 GFF=GFF2のときの最大オン時間 8.85 9.41 9.64 µs
TONMAX3 GFF=GFF3のときの最大オン時間 7.59 8.07 8.32 µs
TONMAX4 GFF=GFF4のときの最大オン時間 6.52 6.92 7.18 µs
TONMAX5 GFF=GFF5のときの最大オン時間 5.56 5.93 6.16 µs
TONMAX6 GFF=GFF6のときの最大オン時間 4.73 5.09 5.28 µs
TONMAX7 GFF=GFF7のときの最大オン時間 4.07 4.36 4.57 µs
バースト・モード動作
VBSTFall VCOMPバースト閾値立ち下がり 0.5 V
VBSTRise VCOMPバースト閾値立ち上がり 0.625 V
ゼロ電流検出およびバレー同期
VZcdVinHyst ZcdVinコンパレータ・ヒステリシス (1) 12 19 26 mV
TDCHVinMin DRV立ち下がりエッジからのZcdVinコンパレータ・ブランキング (1) 250 358 467 ns
TZCDTo この期間にVinコンパレータで負過渡が生じなければバレーを待たない 2.035 2.4 3.0 µs
TZCDR0 ZCD-DRV間の最小遅延。 VZC<VInSynthからDRV=6V、CDR=1nF、Fres=1.2MHz、RDG=RDG0まで 170 235 ns
ΔTZCDR1 TZCDR1=TZCDR0+ΔTZCDR1 (1) RDG=RDG1 34.6 45.5 58.5 ns
ΔTZCDR2 TZCDR2=TZCDR0+ΔTZCDR2 (1) RDG=RDG2 76 90 107 ns
ΔTZCDR3 TZCDR3=TZCDR0+ΔTZCDR3 (1) RDG=RDG3 114 130 147 ns
ΔTZCDR4 TZCDR4=TZCDR0+ΔTZCDR4 (1) RDG=RDG4 157 175 193 ns
ΔTZCDR5 TZCDR5=TZCDR0+ΔTZCDR5 (1) RDG=RDG5 229 255 281 ns
ΔTZCDR6 TZCDR6=TZCDR0+ΔTZCDR6 (1) RDG=RDG6 301 335 369 ns
ΔTZCDR7 TZCDR7=TZCDR0+ΔTZCDR7 (1) RDG=RDG7 373 415 457 ns
VDDAmpl ニー検出器の検知に必要なZCD/CS端子の500kHz正弦波信号の振幅 25 mV
TDCHDDMin ニーポイント検出器のブランキング期間 (1) DRVパルスの立ち下がりエッジから測定 1.5 µs
異常保護
TLongFlt 長い異常期間 (1) 1 s
入力ブラウンイン保護
VZCBoRise Stopb状態でのブラウンアウト保護閾値 ZCD/CS端子のピーク・サイクル平均電圧。 0.282 0.3 0.318 V
IZCBias ZCD/CS端子バイアス電流 (1) VZC=VZCBoFall -100 100 nA
過電流保護
VZCOcp1 ZCD/CS 1次過電流保護閾値 450 500 550 mV
VZCOcp2 ZCD/CS 2次過電流保護閾値 670 750 825 mV
TOcp1Blk DRV立ち上がりエッジからOcp1コンパレータ出力イネーブルまでのZCD/CSブランキング時間 (1) 450 ns
TOcp2Blk DRV立ち上がりエッジからOcp2コンパレータ出力イネーブルまでのZCD/CSブランキング時間 (1) 250 ns
TOcpDrvDel ZCD/CSがVOcpxThを交差してからDRV立ち下がりエッジまで。 56 120 ns
TDCHMax0 ZCD信号が検出されない場合のTDCHb状態の最長期間。OCPx事象がなかった後 (1) 250 µS
TDCHMax1 ZCD信号が検出されない場合のTDCHb状態の最長期間。OCPx事象が1回生じた後 (1) 500 µS
TDCHMax2 ZCD信号が検出されない場合のTDCHb状態の最長期間。OCPx事象が2回連続して生じた後 (1) 1000 µS
出力過電圧保護
VOSOovp1Rise VOSNS過電圧閾値、立ち上がり VCC=12V 2.69 2.75 2.81 V
VOSOovp1Fall VOSNS過電圧閾値、立ち下がり VCC=12V 2.60 2.675 2.73 V
VOSOovp1Hyst VOSOovp1Rise - VOSOovp1Fall(1) 0.072 V
TOvp2Blk DRVの立ち下がりエッジ後のこの期間にOvp2コンパレータ出力がブランキングされる (1) 520 620 720 ns
TOvp2bEn Ovp3コンパレータ出力の立ち下がりエッジ後のこの期間にOvp2b異常が検出され、ZCDが検出される (1) 620 720 820 ns
VOvp2Th 2次出力過電圧異常閾値 1.102 1.125 1.148 V
過熱保護動作
TTSDRise 温度上昇中に過熱保護動作を開始する温度閾値 (1) スイッチング動作時 135 145 155 °C
TTSDFall 温度が下降中に過熱保護動作を停止する温度閾値 (1) スイッチング動作停止中 95 105 115
TTSDHyst TTSDRise - TTSDFall(1) 38 40 42
実製品の検査は行っていません。設計により保証されています。