JAJSEI9B October 2017 – January 2018 UCC28056
PRODUCTION DATA.
PARAMETER | TEST CONDITIONS | MIN | TYP | MAX | UNIT | |
---|---|---|---|---|---|---|
電源電圧 | ||||||
VCCStart | 起動開始閾値 | VCC立ち上がり | 10.65 | 11 | V | |
VCCStop | 停止閾値 | VCC立ち下がり | 8.5 | 8.85 | 9.2 | V |
VCCHyst | UVLOヒステリシス(VCCStart - VCCStop) (1) | 1.5 | V | |||
TUVLOBlk | 動作停止ブランキング時間 | 27 | 35 | 42 | µs | |
消費電流 | ||||||
ICC_Startup | 起動開始前消費電流 | VCC=VCCStart-200mV、TA<110℃ | 46 | µA | ||
ICC_FAULT | 異常検出状態での消費電流 | VCC=12V | 130 | µA | ||
ICC_BSTOFF | バースト・オフ期間中の消費電流 | VCC=12V | 132 | µA | ||
ICC_RUN | DRV端子無負荷時動作電流 | VCC=12V | 1.8 | 2.2 | mA | |
ゲート・トライブ | ||||||
VDRLow | DRV出力低電圧 | IDR=100mA | 0.9 | V | ||
VDRHigh | DRV出力電圧高値、制限付き | VCC=25V、IDR=-10mA | 10 | 13.7 | 15 | V |
VDRHighMin | DRV最小高電圧値 | VCC=VCCStop+200mV、IDR=-8mA | 8 | V | ||
RDRH | DRV、プルアップ抵抗 | TA=-40℃~125℃、IDR=-8mA、VCC=12V | 9.7 | 16 | Ω | |
RDRL | DRV、プルダウン抵抗 | TA=-40℃~125℃、IDR=100mA | 2.0 | 4.6 | 9 | Ω |
tR | 立ち上がり時間 | CLOAD=1nF、DRV=1V~6V、VCC=12V | 10 | 34 | 61 | ns |
tF | 立ち下がり時間 | CLOAD=1nF、DRV=6V~1V、VCC=12V | 4 | 15 | 40 | ns |
Isource | DRV端子のソース・ピーク電流 (1) | -0.7 | A | |||
Isink | DRV端子のシンク・ピーク電流 (1) | 1 | A | |||
RDG0 | TZCDR0を選択するDRV-GND間の抵抗値 (1) | 130 | 200 | kΩ | ||
RDG1 | TZCDR1を選択するDRV-GND間の抵抗値 (1) | 81.18 | 82 | 82.82 | kΩ | |
RDG2 | TZCDR2を選択するDRV-GND間の抵抗値 (1) | 61.38 | 62 | 62.62 | kΩ | |
RDG3 | TZCDR3を選択するDRV-GND間の抵抗値 (1) | 42.57 | 43 | 43.43 | kΩ | |
RDG4 | TZCDR4を選択するDRV-GND間の抵抗値 (1) | 26.73 | 27 | 27.27 | kΩ | |
RDG5 | TZCDR5を選択するDRV-GND間の抵抗値 (1) | 17.82 | 18 | 18.18 | kΩ | |
RDG6 | TZCDR6を選択するDRV-GND間の抵抗値 (1) | 12.87 | 13 | 13.13 | kΩ | |
RDG7 | TZCDR7を選択するDRV-GND間の抵抗値 (1) | 9 | 9.1 | 9.2 | kΩ | |
TDGSmpl | RDG値の検出に要する時間。 | TA<85℃ | 3.95 | 4.4 | 4.95 | ms |
VDGClmp | RDG値の検出中にDRV端子で印加される最大電圧。 | 1 | 1.05 | 1.1 | V | |
エラー・アンプ | ||||||
VOSReg | 帰還基準電圧 | 2.45 | 2.5 | 2.55 | V | |
IOSBias | ISNS端子バイアス電流 | VOS=VOSReg | -100 | 100 | nA | |
gM | エラー・アンプ・トランスコンダクタンス・ゲイン | |VOS-VOSReg|<DSuThs | 50 | µS | ||
gMNL | 大きな誤差におけるエラー・アンプ・トランスコンダクタンス・ゲイン | |VOS-VOSReg|>DSuThs | 300 | µS | ||
DSuThs | 非線形ゲイン閾値 | 67 | mV | |||
RCODisch | STOPb状態でのCOMP-GND間の内蔵抵抗。 | 4.3 | 5 | 5.7 | kΩ | |
VCOClmp | COMP端子内部高クランプ電圧 | 5.5 | 5.6 | 5.71 | V | |
VCOSat | COMP端子内部低クランプ電圧 (1) | 0 | V | |||
ICOMin | COMP最大ソース電流 | -120 | µA | |||
ICOMax | COMP最大シンク電流 | 120 | µA | |||
入力電圧フィードフォワード | ||||||
THLinMax | 入力ピーク・サンプリング・ウィンドウ (1) | スイッチング中 | 11 | 12.3 | 13.6 | ms |
VFF0Rise | GFF0からGFF1に切り替わるコンパレータ立ち上がり閾値(1) | 0.348 | V | |||
VFF1Rise | GFF1からGFF2に切り替わるコンパレータ立ち上がり閾値 (1) | 0.406 | V | |||
VFF2Rise | GFF2からGFF3に切り替わるコンパレータ立ち上がり閾値(1) | 0.473 | V | |||
VFF3Rise | GFF3からGFF4に切り替わるコンパレータ立ち上がり閾値(1) | 0.552 | V | |||
VFF4Rise | GFF4からGFF5に切り替わるコンパレータ立ち上がり閾値(1) | 0.644 | V | |||
VFF5Rise | GFF5からGFF6に切り替わるコンパレータ立ち上がり閾値(1) | 0.751 | V | |||
VFF6Rise | GFF6からGFF7に切り替わるコンパレータ立ち上がり閾値(1) | 0.875 | V | |||
VFF0Fall | GFF1からGFF0に切り替わるコンパレータ立ち下がり閾値(1) | VInSynthのピーク値(THLinMaxウィンドウ内) | 0.331 | V | ||
VFF1Fall | GFF2からGFF1に切り替わるコンパレータ立ち下がり閾値(1) | VInSynthのピーク値(THLinMaxウィンドウ内) | 0.386 | V | ||
VFF2Fall | GFF3からGFF2に切り替わるコンパレータ立ち下がり閾値(1) | VInSynthのピーク値(THLinMaxウィンドウ内) | 0.45 | V | ||
VFF3Fall | GFF4からGFF3に切り替わるコンパレータ立ち下がり閾値(1) | VInSynthのピーク値(THLinMaxウィンドウ内) | 0.524 | V | ||
VFF4Fall | GFF5からGFF4に切り替わるコンパレータ立ち下がり閾値(1) | VInSynthのピーク値(THLinMaxウィンドウ内) | 0.612 | V | ||
VFF5Fall | GFF6からGFF5に切り替わるコンパレータ立ち下がり閾値(1) | VInSynthのピーク値(THLinMaxウィンドウ内) | 0.713 | V | ||
VFF6Fall | GFF7からGFF6に切り替わるコンパレータ立ち下がり閾値(1) | VInSynthのピーク値(THLinMaxウィンドウ内) | 0.832 | V | ||
GFF0 | 入力フィードフォワード・ゲイン値0 (1) | 1 | V | |||
GFF1 | 入力フィードフォワード・ゲイン値1 (1) | 0.735 | V | |||
GFF2 | 入力フィードフォワード・ゲイン値2 (1) | 0.541 | V | |||
GFF3 | 入力フィードフォワード・ゲイン値3 (1) | 0.398 | V | |||
GFF4 | 入力フィードフォワード・ゲイン値4 (1) | 0.292 | V | |||
GFF5 | 入力フィードフォワード・ゲイン値5 (1) | 0.215 | V | |||
GFF6 | 入力フィードフォワード・ゲイン値6 (1) | 0.158 | V | |||
GFF7 | 入力フィードフォワード・ゲイン値7 (1) | 0.116 | V | |||
最大オン時間 | ||||||
TONMAX0 | GFF=GFF0のときの最大オン時間 | 12.1 | 12.8 | 13.2 | µs | |
TONMAX1 | GFF=GFF1のときの最大オン時間 | 10.42 | 10.98 | 11.28 | µs | |
TONMAX2 | GFF=GFF2のときの最大オン時間 | 8.85 | 9.41 | 9.64 | µs | |
TONMAX3 | GFF=GFF3のときの最大オン時間 | 7.59 | 8.07 | 8.32 | µs | |
TONMAX4 | GFF=GFF4のときの最大オン時間 | 6.52 | 6.92 | 7.18 | µs | |
TONMAX5 | GFF=GFF5のときの最大オン時間 | 5.56 | 5.93 | 6.16 | µs | |
TONMAX6 | GFF=GFF6のときの最大オン時間 | 4.73 | 5.09 | 5.28 | µs | |
TONMAX7 | GFF=GFF7のときの最大オン時間 | 4.07 | 4.36 | 4.57 | µs | |
バースト・モード動作 | ||||||
VBSTFall | VCOMPバースト閾値立ち下がり | 0.5 | V | |||
VBSTRise | VCOMPバースト閾値立ち上がり | 0.625 | V | |||
ゼロ電流検出およびバレー同期 | ||||||
VZcdVinHyst | ZcdVinコンパレータ・ヒステリシス (1) | 12 | 19 | 26 | mV | |
TDCHVinMin | DRV立ち下がりエッジからのZcdVinコンパレータ・ブランキング (1) | 250 | 358 | 467 | ns | |
TZCDTo | この期間にVinコンパレータで負過渡が生じなければバレーを待たない | 2.035 | 2.4 | 3.0 | µs | |
TZCDR0 | ZCD-DRV間の最小遅延。 | VZC<VInSynthからDRV=6V、CDR=1nF、Fres=1.2MHz、RDG=RDG0まで | 170 | 235 | ns | |
ΔTZCDR1 | TZCDR1=TZCDR0+ΔTZCDR1 (1) | RDG=RDG1 | 34.6 | 45.5 | 58.5 | ns |
ΔTZCDR2 | TZCDR2=TZCDR0+ΔTZCDR2 (1) | RDG=RDG2 | 76 | 90 | 107 | ns |
ΔTZCDR3 | TZCDR3=TZCDR0+ΔTZCDR3 (1) | RDG=RDG3 | 114 | 130 | 147 | ns |
ΔTZCDR4 | TZCDR4=TZCDR0+ΔTZCDR4 (1) | RDG=RDG4 | 157 | 175 | 193 | ns |
ΔTZCDR5 | TZCDR5=TZCDR0+ΔTZCDR5 (1) | RDG=RDG5 | 229 | 255 | 281 | ns |
ΔTZCDR6 | TZCDR6=TZCDR0+ΔTZCDR6 (1) | RDG=RDG6 | 301 | 335 | 369 | ns |
ΔTZCDR7 | TZCDR7=TZCDR0+ΔTZCDR7 (1) | RDG=RDG7 | 373 | 415 | 457 | ns |
VDDAmpl | ニー検出器の検知に必要なZCD/CS端子の500kHz正弦波信号の振幅 | 25 | mV | |||
TDCHDDMin | ニーポイント検出器のブランキング期間 (1) | DRVパルスの立ち下がりエッジから測定 | 1.5 | µs | ||
異常保護 | ||||||
TLongFlt | 長い異常期間 (1) | 1 | s | |||
入力ブラウンイン保護 | ||||||
VZCBoRise | Stopb状態でのブラウンアウト保護閾値 | ZCD/CS端子のピーク・サイクル平均電圧。 | 0.282 | 0.3 | 0.318 | V |
IZCBias | ZCD/CS端子バイアス電流 (1) | VZC=VZCBoFall | -100 | 100 | nA | |
過電流保護 | ||||||
VZCOcp1 | ZCD/CS 1次過電流保護閾値 | 450 | 500 | 550 | mV | |
VZCOcp2 | ZCD/CS 2次過電流保護閾値 | 670 | 750 | 825 | mV | |
TOcp1Blk | DRV立ち上がりエッジからOcp1コンパレータ出力イネーブルまでのZCD/CSブランキング時間 (1) | 450 | ns | |||
TOcp2Blk | DRV立ち上がりエッジからOcp2コンパレータ出力イネーブルまでのZCD/CSブランキング時間 (1) | 250 | ns | |||
TOcpDrvDel | ZCD/CSがVOcpxThを交差してからDRV立ち下がりエッジまで。 | 56 | 120 | ns | ||
TDCHMax0 | ZCD信号が検出されない場合のTDCHb状態の最長期間。OCPx事象がなかった後 (1) | 250 | µS | |||
TDCHMax1 | ZCD信号が検出されない場合のTDCHb状態の最長期間。OCPx事象が1回生じた後 (1) | 500 | µS | |||
TDCHMax2 | ZCD信号が検出されない場合のTDCHb状態の最長期間。OCPx事象が2回連続して生じた後 (1) | 1000 | µS | |||
出力過電圧保護 | ||||||
VOSOovp1Rise | VOSNS過電圧閾値、立ち上がり | VCC=12V | 2.69 | 2.75 | 2.81 | V |
VOSOovp1Fall | VOSNS過電圧閾値、立ち下がり | VCC=12V | 2.60 | 2.675 | 2.73 | V |
VOSOovp1Hyst | VOSOovp1Rise - VOSOovp1Fall(1) | 0.072 | V | |||
TOvp2Blk | DRVの立ち下がりエッジ後のこの期間にOvp2コンパレータ出力がブランキングされる (1) | 520 | 620 | 720 | ns | |
TOvp2bEn | Ovp3コンパレータ出力の立ち下がりエッジ後のこの期間にOvp2b異常が検出され、ZCDが検出される (1) | 620 | 720 | 820 | ns | |
VOvp2Th | 2次出力過電圧異常閾値 | 1.102 | 1.125 | 1.148 | V | |
過熱保護動作 | ||||||
TTSDRise | 温度上昇中に過熱保護動作を開始する温度閾値 (1) | スイッチング動作時 | 135 | 145 | 155 | °C |
TTSDFall | 温度が下降中に過熱保護動作を停止する温度閾値 (1) | スイッチング動作停止中 | 95 | 105 | 115 | ℃ |
TTSDHyst | TTSDRise - TTSDFall(1) | 38 | 40 | 42 | ℃ |